EFA025A-70
已更新2006年4月28日
低失真功率的GaAs FET
特点
无封闭低成本陶瓷70mil套餐
在1dB压缩20.0 dBm的输出功率
10.0分贝功率增益为12GHz的
7.0分贝功率增益为18GHz的
典型1.50分贝噪声系数和
10.0分贝相关的增益在12GHz的
0.3 X 250微米嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介提供高
电源效率，线性度和可靠性
注意！ ESD敏感器件。
民
17.0
8.5
典型值
20.0
20.0
10.0
7.0
35
1.5
10
35
30
-10
-6
65
40
-2.0
-15
-14
370*
-3.5
105
最大
单位
DBM
dB
%
dB
dB
mA
mS
V
V
V
o
C / W
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
GA
I
DSS
G
M
V
P
BV
GD
BV
GS
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率
F = 12GHz的
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
F = 18GHz的
增益1dB压缩
F = 12GHz的
F = 18GHz的
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 6V ，我
DS
≈
50% I
DSS
F = 12GHz的
噪声系数V
DS
= 3V ，我
DS
= 15毫安
F = 12GHz的
副增益V
DS
= 3V ，我
DS
= 15毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
热阻
F = 12GHz的
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 1.0毫安
I
GD
= 1.0毫安
I
GS
= 1.0毫安
注意事项：
*
总体的Rth取决于安装的情况下。
最大额定值在25
O
C
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GSF
P
IN
P
T
T
CH
T
英镑
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
总功耗
通道温度
储存温度
价值
6V
-4 V
52毫安
1毫安
@ 3分贝压缩
310毫瓦
150°C
-65/+150°C
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
第1页3
修订2006年5月
EFA025A-70
已更新2006年4月28日
低失真功率的GaAs FET
S-参数
VDS = 3V ， IDS
≈
15mA
频率
（千兆赫）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
--- S11 ---
MAG
昂
1.020
0.956
0.911
0.867
0.814
0.748
0.689
0.656
0.636
0.584
0.545
0.552
0.589
0.563
0.571
0.607
0.625
0.618
0.643
0.691
0.653
0.634
0.655
0.646
0.563
0.596
-17.0
-37.8
-56.4
-73.0
-89.2
-105.5
-124.2
-144.7
-151.0
-166.5
164.8
142.3
134.6
120.6
96.0
73.2
77.3
58.5
42.1
26.8
22.4
13.4
-8.1
-25.3
-39.9
-47.4
--- S21 ---
MAG
昂
4.385
3.291
3.114
2.944
2.856
2.697
2.523
2.424
2.334
2.283
2.150
2.040
1.982
1.877
1.672
1.625
1.617
1.411
1.361
1.329
1.294
1.160
1.172
1.170
1.074
1.048
159.6
142.6
125.5
109.6
93.8
78.2
64.0
49.6
36.0
21.7
7.2
-5.8
-20.5
-36.0
-50.1
-63.4
-78.1
-92.5
-102.2
-116.0
-135.8
-146.5
-161.2
178.6
160.7
149.8
--- S12 ---
MAG
昂
0.030
0.043
0.060
0.072
0.084
0.089
0.092
0.096
0.098
0.096
0.095
0.095
0.102
0.100
0.096
0.098
0.108
0.105
0.109
0.103
0.105
0.103
0.110
0.119
0.118
0.132
75.6
64.4
52.4
42.4
32.3
22.3
14.6
6.5
-2.9
-4.4
-10.8
-15.2
-21.4
-31.0
-35.6
-41.9
-49.6
-58.9
-68.8
-80.6
-95.7
-105.5
-120.8
-141.1
-159.4
-169.1
--- S22 ---
MAG
昂
0.549
0.611
0.601
0.577
0.535
0.514
0.511
0.489
0.384
0.390
0.432
0.409
0.351
0.371
0.387
0.374
0.392
0.476
0.428
0.411
0.539
0.620
0.479
0.478
0.624
0.562
-22.5
-28.0
-41.2
-52.4
-63.9
-78.5
-85.8
-92.9
-111.2
-131.4
-132.6
-133.6
-168.6
162.5
166.7
168.3
116.3
108.4
110.5
101.9
62.8
64.2
61.0
34.5
17.3
15.8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订2006年5月
EFA025A-70
已更新2006年4月28日
低失真功率的GaAs FET
S-参数
VDS = 3V ， IDS
≈
½ Idss
频率
（千兆赫）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
--- S11 ---
MAG
昂
0.985
0.953
0.913
0.872
0.825
0.779
0.734
0.688
0.642
0.614
0.591
0.572
0.598
0.631
0.631
0.634
0.658
0.694
0.672
0.707
0.761
0.736
0.703
0.723
0.705
0.676
-18.8
-38
-56
-73.2
-89.3
-102.7
-117.1
-130.5
-152.3
-173.2
177.4
163.7
138.2
115.4
102.2
87.3
70.3
59
42
25.5
14.9
3.9
-15.3
-33.5
-44.7
-59.8
--- S21 ---
MAG
昂
3.482
3.329
3.108
2.97
2.867
2.713
2.559
2.448
2.42
2.355
2.312
2.282
2.188
2.036
1.97
1.909
1.685
1.58
1.467
1.399
1.29
1.184
1.103
1.043
1.017
1.017
161.4
142.7
125.5
109.5
94.3
79.7
65.3
52.1
37.6
21.8
8.6
-5.4
-22
-38.8
-54.9
-72.4
-87.7
-99.5
-116.1
-132.9
-148.4
-161.3
-178.5
162.6
146.3
131.8
--- S12 ---
MAG
昂
0.013
0.025
0.031
0.037
0.04
0.04
0.039
0.033
0.037
0.044
0.054
0.071
0.086
0.097
0.112
0.126
0.128
0.15
0.137
0.143
0.143
0.138
0.134
0.134
0.14
0.156
76.6
65.9
54.2
46.2
38.8
34.4
30.9
33.5
44.6
48.1
50.4
50.2
40.5
29.4
18.3
5.6
-2.1
-17.2
-30.5
-43.3
-56.3
-68.7
-84.6
-101.6
-117.8
-131
--- S22 ---
MAG
昂
0.803
0.786
0.768
0.755
0.731
0.703
0.685
0.66
0.661
0.654
0.642
0.641
0.638
0.642
0.667
0.685
0.665
0.731
0.761
0.836
0.826
0.83
0.824
0.841
0.843
0.831
-11.3
-24.1
-36
-45.6
-54.5
-66.2
-76.8
-85.6
-91.4
-102.2
-117.7
-131.9
-144.4
-158.9
179.8
158.4
145.1
132.5
113.1
96.6
84.7
76
58.8
41.2
28.4
16.6
噪声参数
VDS = 3V ， IDS
≈
15mA
频率
（千兆赫）
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
伽玛选项
MAG
昂
0.83
0.75
0.65
0.58
0.45
0.40
0.41
0.47
0.53
0.62
0.57
0.59
0.57
28
59
85
128
147
-170
-111
-69
-44
-14
1
39
66
NFmin
（ dB）的
0.53
0.65
0.85
1.05
1.35
1.55
1.90
2.25
2.60
2.90
3.20
3.50
3.80
Rn/50
0.58
0.48
0.33
0.21
0.11
0.10
0.27
0.58
1.00
1.38
1.68
1.77
1.10
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