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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第422页 > EEVFK2A221M
铝电解电容器/ FK
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标准
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规范
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在录音方面都对我们的产品目录的第187页解释。
请把它作为一个参考指南。
回流焊温度曲线(图1至图- 5)列在最后一页。
耐力: 2000 5000H在105℃
设计,规格时如有变更,恕不另行通知。问厂家购买之前,在当前的技术规格
和/或使用。如果一个安全consern出现本产品,请务必立即与我们联系。
铝电解电容器/ FK
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标准产品
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表壳尺寸
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规范
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代码(在100kHz ) ( 100kHz时) ( 120Hz)工作
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在录音方面都对我们的产品目录的第187页解释。
请把它作为一个参考指南。
回流焊温度曲线(图1至图- 5)列在最后一页。
耐力: 2000 5000H在105℃
设计,规格时如有变更,恕不另行通知。问厂家购买之前,在当前的技术规格
和/或使用。如果一个安全consern出现本产品,请务必立即与我们联系。
铝电解电容器/ FK
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标准
制品
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代码( 100kHz时)
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500
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200
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125
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12.5
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16
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10
12.5
12.5
16
16
18
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6.2
10.2
10.2
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16.5
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16.5
16.5
10.2
10.2
13.5
13.5
16.5
16.5
16.5
16.5
C
D
D8
E
F
F
F
G
H13
H13
J16
K16
C
D
D8
E
F
F
G
H13
H13
H13
J16
K16
F
G
H13
H13
J16
J16
K16
K16
50
80
120
120
250
250
250
400
800
800
1410
1690
25
40
60
60
130
130
200
500
500
500
793
917
130
200
500
500
793
793
917
917
3.0
1.5
1.2
1.2
0.65
0.65
0.65
0.35
0.16
0.16
0.082
0.08
5.0
3.0
2.4
2.4
1.3
1.3
0.7
0.32
0.32
0.32
0.17
0.153
1.3
0.7
0.32
0.32
0.17
0.17
0.153
0.153
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.08
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
EEVFK1J4R7R
EEVFK1J100P
EEVFK1J220XP
EEVFK1J220P
EEVFK1J330P
EEVFK1J470P
EEVFK1J680UP
EEVFK1J101P
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
EEEFK1J4R7R
EEEFK1J100P
EEEFK1J220P
EEEFK1J330P
EEEFK1J470P
EEEFK1J101P
EEVFK1J151Q
EEVFK1J221Q
EEVFK1J471M
EEVFK1J681M
(4)
(4)
(5)
(5)
(5)
(5)
(2)
(2)
(2)
(2)
(4)
(4)
(5)
(5)
(5)
(5)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(5)
(5)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
EEEFK1J220XP
(4)
63
47
68
100
150
220
470
680
3.3
4.7
10
22
EEEFK1J680UP
(5)
EEVFK1K3R3R
EEVFK1K4R7P
EEVFK1K100XP
EEVFK1K100P
EEVFK1K220P
EEVFK1K330P
EEVFK1K470P
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
EEEFK1K3R3R
EEEFK1K4R7P
EEEFK1K100P
EEEFK1K220P
EEEFK1K330P
EEEFK1K470P
EEVFK1K680Q
EEVFK1K101Q
EEVFK1K151Q
EEVFK1K331M
EEVFK1K471M
EEEFK1K100XP
(4)
80
33
47
68
100
150
330
470
22
33
47
68
100
150
220
330
EEVFK2A220P
EEVFK2A330P
(2)
(2)
EEEFK2A220P
EEEFK2A330P
EEVFK2A470Q
EEVFK2A680Q
EEVFK2A101M
EEVFK2A151M
EEVFK2A221M
EEVFK2A331M
100
在录音方面都对我们的产品目录的第187页解释。
请把它作为一个参考指南。
回流焊温度曲线(图1至图- 5)列在最后一页。
耐力: 2000 5000H在105℃
设计,规格时如有变更,恕不另行通知。问厂家购买之前,在当前的技术规格
和/或使用。如果一个安全consern出现本产品,请务必立即与我们联系。
铝电解电容器/ FK
表面贴装型
系列:
FK
类型:
V
耐力:2000小时,在105 ℃的5000
低的阻抗(低于FC系列少40%至60 %)
小型化(比FC系列少30%至50 %)
防震产品可根据要求提供。 ( φ8毫米及以上)
RoHS指令标准
特点
特定网络阳离子
分类温度。范围
额定W.V.Range
标称Cap.Range
电容容差
直流漏电流
黄褐色
δ
特征
低温
-55°C至+105°C
6.3 V.DC 100 V.DC
3.3 μF至6800 μF
±20% (120赫兹/ + 20 ℃)的
I
& LT ;
0.01 CV或3 ( μA ) 2分钟后(取较大值)
请参阅随附的标准产品列表
W.V. (V )
6.3
10
16
25
35
50
63
80 100
Z( -25 ℃) / Z ( 20 ° C) 2
2
2
2
2
2
2
2
2
(阻抗比为120Hz )
Z( -40 ℃) / Z ( 20 ° C) 3
3
3
3
3
3
3
3
3
Z( -55℃) / Z ( 20 ° C) 4
4
4
3
3
3
3
3
3
将额定工作电压2000小时,在+ 105 ℃±2 ℃,然后稳定在20 ℃后,
电容器应满足以下限制。 (
& GT ;
φ12.5
和后缀科幻X“ G”的
φ8
10.2,
φ10
10.2顷5000小时)
静电容量变化
初始测量值的± 30 % ( SUF网络X“ G”为35 % )
黄褐色
δ
& LT ;
最初的特定连接的ED值的200% ( SUF网络X“ G”为300 % )
直流漏电流
& LT ;
最初的特定连接的ED值
存储1000小时,在105之后℃±2 ℃,不施加电压时,然后被稳定
在20 ° C,电容器应满足耐力的极限特定网络版(带压处理)
之后再溢流焊接,然后稳定在20 ° C,电容器应满足以下限制。
静电容量变化
初始测量值的± 10%的
黄褐色
δ
& LT ;
最初的特定连接的ED值
直流漏电流
& LT ;
最初的特定连接的ED值
耐力
保质期
焊接热
频率校正因子纹波电流
50, 60
0.70
120
0.75
频率(Hz)
1k
0.90
10 k
0.95
100 K至
1.00
(单位:毫米)
(I)
(I)
( )参考尺寸
W
0.65±0.1
0.65±0.1
0.65±0.1
0.65±0.1
0.65±0.1
0.90±0.2
0.90±0.2
0.90±0.3
1.20±0.3
1.20±0.3
P
1.0
1.5
1.8
1.8
2.2
3.1
4.6
4.4
6.7
6.7
(P)
W
I
1.8
2.2
2.6
2.6
3.4
3.4
3.5
4.7
5.5
6.7
K
A±0.2
修正系数
记号
例如: 6.3 V 22 μF , 6.3 V 3300 μF
标记颜色:黑色
& LT ;
φ10
负极性
标记( - )
尺寸以毫米(不按比例)
0.3最大
φD±0.5
马克无铅
产品黑点
(方形)
额定电压标记
H
系列identi科幻阳离子
B±0.2
电容( μF )
22
FK
L
泄压( φ10及以上)
+
批号
& GT ;
φ12.5
负极性
标记( - )
电容( μF )
3300
FK
系列identi科幻阳离子
SIZE
CODE
B
C
D
D8
E
D
4.0
5.0
6.3
6.3
8.0
8.0
10.0
12.5
16.0
18.0
L
5.8±0.3
5.8±0.3
5.8±0.3
7.7±0.3
6.2±0.3
10.2±0.3
10.2±0.3
13.5±0.5
16.5±0.5
16.5±0.5
A,B
4.3
5.3
6.6
6.6
8.3
8.3
10.3
13.5
17.0
19.0
H
5.5最大。
6.5最大。
7.8最大。
7.8最大。
9.5最大。
10.0 MAX 。
12.0最大。
15.0最大。
19.0最大。
21.0最大。
K
0.35
+- 1.5
0.2
0.35
+- 1.5
0.2
0.35
+- 1.5
0.2
0.35
+- 1.5
0.2
0.35
+- 1.5
0.2
0.70±0.2
0.70±0.2
0.70±0.3
0.70±0.3
0.70±0.3
批号
额定电压标记
额定电压标记
j
6.3 V
A
10 V
C
16 V
E
25 V
V
35 V
H
J
K
2A
50 V
63 V
80 V
100 V
F
G
H13
J16
K16
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
00 2012年11月
– EEE-41 –
铝电解电容器/ FK
标准产品
表壳尺寸
W.V.
帽。
(±20 %)
½Size
CODE
特定网络阳离子
纹波阻抗晒黑
δ
产品型号
当前
( RoHS:符合)
(100千赫)(100千赫兹)( 120赫兹)
(+105 °C) (+20 °C) (+20 °C)
(毫安均方根)
( )
EEEFK0J220R
90
1.35
0.26
EEEFK0J470UR
90
1.35
0.26
EEEFK0J470R
160
0.70
0.26
EEEFK0J101UR
160
0.70
0.26
EEEFK0J101P
240
0.36
0.26
EEEFK0J221P
240
0.36
0.26
EEEFK0J331XP
280
0.34
0.26
EEEFK0J331P
300
0.26
0.26
EEEFK0J471P
600
0.16
0.26
EEEFK0J102P
600
0.16
0.26
EEEFK0J152P
850
0.08
0.26
EEVFK0J332Q
1100
0.06
0.30
EEVFK0J682M
1800
0.035
0.36
EEEFK1A220R
90
1.35
0.19
EEEFK1A330UR
90
1.35
0.19
EEEFK1A330R
160
0.70
0.19
EEEFK1A151P
240
0.36
0.19
EEEFK1A221XP
280
0.34
0.19
EEEFK1A221P
300
0.26
0.19
EEEFK1A331P
600
0.16
0.19
EEEFK1A471P
600
0.16
0.19
EEEFK1A681P
600
0.16
0.19
EEEFK1A102P
850
0.08
0.19
EEVFK1A222Q
1100
0.06
0.21
EEVFK1A472M
1800
0.035
0.25
EEVFK1A682M
2060
0.033
0.29
EEEFK1C100R
90
1.35
0.16
EEEFK1C220UR
90
1.35
0.16
EEEFK1C220R
160
0.70
0.16
EEEFK1C470UR
160
0.70
0.16
EEEFK1C470P
240
0.36
0.16
EEEFK1C680P
240
0.36
0.16
EEEFK1C101P
240
0.36
0.16
EEEFK1C151XP
280
0.34
0.16
EEEFK1C221XP
280
0.34
0.16
EEEFK1C221P
300
0.26
0.16
EEEFK1C331P
600
0.16
0.16
EEEFK1C471P
600
0.16
0.16
EEEFK1C681P
850
0.08
0.16
EEVFK1C152Q
1100
0.06
0.16
EEVFK1C332M
1800
0.035
0.20
EEVFK1C472M
2060
0.033
0.22
EEEFK1E100R
90
1.35
0.14
EEEFK1E220R
160
0.70
0.14
EEEFK1E330UR
160
0.70
0.14
EEEFK1E330P
240
0.36
0.14
EEEFK1E470P
240
0.36
0.14
EEEFK1E680P
240
0.36
0.14
EEEFK1E101XP
280
0.34
0.14
EEEFK1E101P
300
0.26
0.14
EEEFK1E151P
600
0.16
0.14
EEEFK1E221P
600
0.16
0.14
EEEFK1E331P
600
0.16
0.14
EEEFK1E471P
850
0.08
0.14
EEVFK1E102Q
1100
0.06
0.14
EEVFK1E152M
1800
0.035
0.14
EEVFK1E222M
1800
0.035
0.16
EEVFK1E332M
2060
0.033
0.18
再溢流
续航能力: 105℃ 2000小时(
& GT ;
φ12.5
: 5000 h)
分钟。
包装台数
TAPING
( PCS)的
2000
2000
1000
1000
1000
1000
900
1000
500
500
500
200
125
2000
2000
1000
1000
900
1000
500
500
500
500
200
125
125
2000
2000
1000
1000
1000
1000
1000
900
900
1000
500
500
500
200
125
125
2000
1000
1000
1000
1000
1000
900
1000
500
500
500
500
200
125
125
125
DIA 。
(mm)
4
4
5
5
6.3
6.3
6.3
8
8
8
10
12.5
16
4
4
5
6.3
6.3
8
8
8
8
10
12.5
16
18
4
4
5
5
6.3
6.3
6.3
6.3
6.3
8
8
8
10
12.5
16
18
4
5
5
6.3
6.3
6.3
6.3
8
8
8
8
10
12.5
16
16
18
(mm)
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
7.7
6.2
10.2
10.2
10.2
13.5
16.5
5.8
5.8
5.8
5.8
7.7
6.2
10.2
10.2
10.2
10.2
13.5
16.5
16.5
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
7.7
7.7
6.2
10.2
10.2
10.2
13.5
16.5
16.5
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
7.7
6.2
10.2
10.2
10.2
10.2
13.5
16.5
16.5
16.5
(V)
(F)
22
47
100
220
6.3
330
470
1000
1500
3300
6800
22
33
150
220
10
330
470
680
1000
2200
4700
6800
10
22
47
68
100
150
220
330
470
680
1500
3300
4700
10
22
33
47
68
100
16
25
150
220
330
470
1000
1500
2200
3300
B
(B)
C
(C)
D
D
D8
E
F
F
G
H13
J16
B
(B)
C
D
D8
E
F
F
F
G
H13
J16
K16
B
(B)
C
(C)
D
D
D
D8
D8
E
F
F
G
H13
J16
K16
B
C
(C)
D
D
D
D8
E
F
F
F
G
H13
J16
J16
K16
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(3)
½
尺寸代码( ) :小型化产品
·请参照“再溢流廓”和“带装尺寸”的页面。
·当请求防震产品,请把最后一个“ V”替代为“ P”
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
00 2012年11月
– EEE-42 –
铝电解电容器/ FK
标准产品
表壳尺寸
W.V.
帽。
(±20 %)
½Size
CODE
特定网络阳离子
纹波阻抗晒黑
δ
产品型号
当前
( RoHS:符合)
(100千赫)(100千赫兹)( 120赫兹)
(+105 °C) (+20 °C) (+20 °C)
(毫安均方根)
( )
EEEFK1V4R7R
90
1.35
0.12
EEEFK1V100UR
90
1.35
0.12
EEEFK1V100R
160
0.70
0.12
EEEFK1V220R
160
0.70
0.12
EEEFK1V330P
240
0.36
0.12
EEEFK1V470P
240
0.36
0.12
EEEFK1V680XP
280
0.34
0.12
EEEFK1V101XP
280
0.34
0.12
EEEFK1V101P
600
0.16
0.12
EEEFK1V151P
600
0.16
0.12
EEEFK1V221P
600
0.16
0.12
EEEFK1V331P
850
0.08
0.12
EEVFK1V471Q
1100
0.06
0.12
EEVFK1V681Q
1100
0.06
0.12
EEVFK1V102M
1800
0.035
0.12
EEVFK1V152M
1800
0.035
0.12
EEEFK1H4R7R
60
2.90
0.10
EEEFK1H100UR
85
1.52
0.10
EEEFK1H100P
165
0.88
0.10
EEEFK1H220P
165
0.88
0.10
EEEFK1H330XP
195
0.68
0.10
EEEFK1H330P
195
0.68
0.10
EEEFK1H470XP
195
0.68
0.10
EEEFK1H470P
195
0.68
0.10
EEEFK1H101P
350
0.34
0.10
EEEFK1H151P
670
0.18
0.10
EEEFK1H221P
670
0.18
0.10
EEVFK1H331Q
900
0.12
0.10
EEVFK1H391Q
900
0.12
0.10
EEVFK1H471M
1610
0.073
0.10
EEVFK1H561M
1610
0.073
0.10
EEVFK1H681M
1610
0.073
0.10
EEVFK1H102M
1610
0.073
0.10
EEEFK1J4R7R
50
3.00
0.08
EEEFK1J100P
80
1.50
0.08
EEEFK1J220XP
120
1.20
0.08
EEEFK1J220P
120
1.20
0.08
EEEFK1J330P
250
0.65
0.08
EEEFK1J470P
250
0.65
0.08
EEEFK1J680UP
250
0.65
0.08
EEEFK1J101P
400
0.35
0.08
EEVFK1J151Q
800
0.16
0.08
EEVFK1J221Q
800
0.16
0.08
EEVFK1J471M
1410
0.082
0.08
EEVFK1J681M
1690
0.08
0.08
EEEFK1K3R3R
25
5.00
0.08
EEEFK1K4R7P
40
3.00
0.08
EEEFK1K100XP
60
2.40
0.08
EEEFK1K100P
60
2.40
0.08
EEEFK1K220P
130
1.30
0.08
EEEFK1K330P
130
1.30
0.08
EEEFK1K470P
200
0.70
0.08
EEVFK1K680Q
500
0.32
0.08
EEVFK1K101Q
500
0.32
0.08
EEVFK1K151Q
500
0.32
0.08
EEVFK1K331M
793
0.17
0.08
EEVFK1K471M
917
0.153
0.08
再溢流
续航能力: 105℃ 2000小时(
& GT ;
φ12.5
: 5000 h)
分钟。
包装台数
TAPING
( PCS)的
2000
2000
1000
1000
1000
1000
900
900
500
500
500
500
200
200
125
125
2000
1000
1000
1000
900
1000
900
1000
500
500
500
200
200
125
125
125
125
1000
1000
900
1000
500
500
500
500
200
200
125
125
1000
1000
900
1000
500
500
500
200
200
200
125
125
DIA 。
(mm)
4
4
5
5
6.3
6.3
6.3
6.3
8
8
8
10
12.5
12.5
16
16
4
5
6.3
6.3
6.3
8
6.3
8
8
10
10
12.5
12.5
16
16
16
16
5
6.3
6.3
8
8
8
8
10
12.5
12.5
16
18
5
6.3
6.3
8
8
8
10
12.5
12.5
12.5
16
18
(mm)
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
5.8
7.7
7.7
10.2
10.2
10.2
10.2
13.5
13.5
16.5
16.5
5.8
5.8
5.8
5.8
7.7
6.2
7.7
6.2
10.2
10.2
10.2
13.5
13.5
16.5
16.5
16.5
16.5
5.8
5.8
7.7
6.2
10.2
10.2
10.2
10.2
13.5
13.5
16.5
16.5
5.8
5.8
7.7
6.2
10.2
10.2
10.2
13.5
13.5
13.5
16.5
16.5
(V)
(F)
4.7
10
22
33
47
68
35
100
150
220
330
470
680
1000
1500
4.7
10
22
33
47
50
100
150
220
330
390
470
560
680
1000
4.7
10
22
33
47
68
100
150
220
470
680
3.3
4.7
10
22
33
47
68
100
150
330
470
63
80
B
(B)
C
C
D
D
D8
D8
F
F
F
G
H13
H13
J16
J16
B
(C)
D
D
D8
E
D8
E
F
G
G
H13
H13
J16
J16
J16
J16
C
D
D8
E
F
F
(F)
G
H13
H13
J16
K16
C
D
D8
E
F
F
G
H13
H13
H13
J16
K16
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(3)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(2)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(3)
(1)
(1)
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
½
尺寸代码( ) :小型化产品
·请参照“再溢流廓”和“带装尺寸”的页面。
·当请求防震产品,请把最后一个“ V”替代为“ P”
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
00 2012年11月
– EEE-43 –
铝电解电容器/ FK
标准产品
表壳尺寸
W.V.
帽。
(±20 %)
½Size
CODE
特定网络阳离子
纹波阻抗晒黑
δ
产品型号
当前
( RoHS:符合)
(100千赫)(100千赫兹)( 120赫兹)
(+105 °C) (+20 °C) (+20 °C)
(毫安均方根)
( )
EEEFK2A220P
130
1.30
0.07
EEEFK2A330P
200
0.70
0.07
EEVFK2A470Q
500
0.32
0.07
EEVFK2A680Q
500
0.32
0.07
EEVFK2A101M
793
0.17
0.07
EEVFK2A151M
793
0.17
0.07
EEVFK2A221M
917
0.153
0.07
EEVFK2A331M
917
0.153
0.07
再溢流
续航能力: 105℃ 2000小时(
& GT ;
φ12.5
: 5000 h)
分钟。
包装台数
TAPING
( PCS)的
500
500
200
200
125
125
125
125
DIA 。
(mm)
8
10
12.5
12.5
16
16
18
18
(mm)
10.2
10.2
13.5
13.5
16.5
16.5
16.5
16.5
(V)
100
(F)
22
33
47
68
100
150
220
330
F
G
H13
H13
J16
J16
K16
K16
(2)
(2)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
½
尺寸代码( ) :小型化产品
·请参照“再溢流廓”和“带装尺寸”的页面。
Endurace 5000 H级
表壳尺寸
W.V.
帽。
(±20 %)
SIZE
CODE
特定网络阳离子
纹波阻抗晒黑
δ
产品型号
当前
( RoHS:符合)
(100千赫)(100千赫兹)( 120赫兹)
(+105 °C) (+20 °C) (+20 °C)
(毫安均方根)
( )
EEEFK0J471GP
600
0.16
0.26
EEEFK0J102GP
600
0.16
0.26
EEEFK0J152GP
850
0.08
0.26
EEEFK1A331GP
600
0.16
0.19
EEEFK1A471GP
600
0.16
0.19
EEEFK1A681GP
600
0.16
0.19
EEEFK1A102GP
850
0.08
0.19
EEEFK1C331GP
600
0.16
0.16
EEEFK1C471GP
600
0.16
0.16
EEEFK1C681GP
850
0.08
0.16
EEEFK1E151GP
600
0.16
0.14
EEEFK1E221GP
600
0.16
0.14
EEEFK1E331GP
600
0.16
0.14
EEEFK1E471GP
850
0.08
0.14
EEEFK1V101GP
600
0.16
0.12
EEEFK1V151GP
600
0.16
0.12
EEEFK1V221GP
600
0.16
0.12
EEEFK1V331GP
850
0.08
0.12
EEEFK1H101GP
350
0.34
0.10
EEEFK1H151GP
670
0.18
0.10
EEEFK1H221GP
670
0.18
0.10
耐久性: 105 ℃, 5000
分钟。
包装台数
再溢流
TAPING
( PCS)的
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
500
DIA 。
(mm)
8
8
10
8
8
8
10
8
8
10
8
8
8
10
8
8
8
10
8
10
10
(mm)
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
10.2
(V)
6.3
10
16
25
35
50
(F)
470
1000
1500
330
470
680
1000
330
470
680
150
220
330
470
100
150
220
330
100
150
220
F
F
G
F
F
F
G
F
F
G
F
F
F
G
F
F
F
G
F
G
G
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
·请参照“再溢流廓”和“带装尺寸”的页面。
·当请求防震产品,请把最后一个“ V”替代为“ P”
设计和特异性阳离子每个如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前,目前的技术特定网络阳离子。
如果一个安全问题出现的有关本产品,请务必立即与我们联系。
00 2012年11月
– EEE-44 –
铝电解电容器/ FK系列
表面贴装型
系列:
FK
类型:
V
n
特点
耐力: 2000至5000小时at105 ℃,
低阻抗(40 %至60%小于FCseries )
小型化( 30至50%小于FC系列)
防震产品可应要求提供。 ( F8
& LT ;
)
=
原产地
日本
n
特定网络阳离子
分类温度。范围
额定W.V.范围
标称帽。范围
电容容差
直流漏电流
黄褐色
d
特征
低温
-55 + 105°C
6.3 100V .DC
3.3 6800 μ F
±20% ( 120Hz的/ + 20 ℃)的
I
& LT ;
0.01 CV或3 ( μA )
后额定工作电压2分钟+ 20 ° C应用程序。 (取较大值)

=
请参阅随附的标准产品列表
W.V. (V )
Z( -25 ℃) / Z ( +20
°C)
Z(-40
°C)/
Z(+20
°C)
Z( -55℃) / Z ( +20
°C)
6.3
2
3
4
10
2
3
4
16
2
3
4
25
2
3
3
35
2
3
3
50
2
3
3
63
2
3
3
80
2
3
3
100
2
3
3
(阻抗比
在120赫兹)
耐力
& GT ;
与直流额定工作电压的生命在+ 105 ±2℃ 2000小时(后
=
dia.12.5和后缀
“G”
在dia.8至10mm的5000小时)的电容器应符合以下规定的限值。
后的测试要求在+ 20℃。
保质期
焊接热
静电容量变化±初始测量值的30 % (后缀
“G”
是35%)
& LT ;
200 %初始规定值(后缀
“G”
为300 %)
黄褐色
d
=
& LT ;
初始规定值
直流漏电流

=
存储千小时在+ 105 ± 2后
°C
与不施加电压时,然后被稳定
在+ 20 ° C,电容器应满足耐力规定的限值。 (随着电压处理)
回流焊后(参见
"Application
Guide"的推荐温度曲线。 )
然后稳定在+ 20 ° C,电容器应满足以下限制。
静电容量变化
初始测量值的± 10%的
& LT ;
初始规定值
D.F.黄褐色
d

=
& LT ;
初始规定值
直流漏电流

=
n
尺寸
n
记号
以毫米(不按比例)
A±0.2
W.V.代码
fD±0.5
批号
SIZE
CODE
B
电容
(F)
D
L
A, B H
马克斯。
4.3
5.3
6.6
6.6
8.3
8.3
5.5
6.5
7.8
7.8
9.5
10.0
I
W
P
(I)
负极性
记号
10
FK
电容
(F)
系列
鉴定
B±0.2
B G = L± 0.3
H~K=L±0.5
w
(P)
(I)
Example.16V10F
标记颜色:黑色
0.3 MAX
( )参考尺寸
K
& GT ;
(=
f12.5)
W.V.代码
4.0 5.8
5.0 5.8
6.3 5.8
6.3 7.7
8.0 6.2
8.0 10.2
1.8 0.65±0.1 1.0 0.35
-0.20至+0.15
2.2 0.65±0.1 1.5 0.35
-0.20至+0.15
2.6 0.65±0.1 1.8 0.35
-0.20至+0.15
2.6 0.65±0.1 1.8 0.35
-0.20至+0.15
3.4 0.65±0.1 2.2 0.35
-0.20至+0.15
3.4 0.90±0.2 3.1 0.70
±0.20
3.5 0.90±0.2 4.6 0.70
±0.20
4.7 0.90±0.3 4.4 0.70
±0.30
5.5 1.20±0.3 6.7 0.70
±0.30
6.7 1.20±0.3 6.7 0.70
±0.30
C
D
D8
E
F
G
H13
J16
K16
负极性
记号
FK
系列
鉴定
W.V.代码
V
CODE
6.3
j
批号
10
A
16
C
25
E
35
V
10.0 10.2 10.3 12.0
12.5 13.5 13.5 15.0
16.0 16.5 17.0 19.0
18.0 16.5 19.0 21.0
V
CODE
50
H
63
J
80
K
100
2A
设计和特异性阳离子如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前的技术特定网络阳离子。
每当一个关于安全的疑问源于此产品,请即刻与我们联系进行技术咨询。
铝电解电容器/ FK系列
n
表壳尺寸VS电容,阻抗和纹波电流
W.V.
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J16
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0.080
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1690
K16
680
();小型化型
C
D
D8
E
F
F
F
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H13
H13
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1.2
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0.65
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800
J16
K16
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793
917
B
C( B)
D( C)
D
D8
E
F
F
G
H13
J16
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10
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2060
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纹波
当前
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793
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917
F
1.3
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J16
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600
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纹波
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当前
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SIZE
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纹波
当前
?生活
时间5000H可根据要求(后缀为: G)
设计和特异性阳离子如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前的技术特定网络阳离子。
每当一个关于安全的疑问源于此产品,请即刻与我们联系进行技术咨询。
铝电解电容器/ FK系列
W.V.
[ V.DC ]
帽。
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22
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220
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产品型号
黄褐色
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10.2
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10.2
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EEVFK1H330P
EEVFK1H470XP
EEVFK1H470P
EEVFK1H101P
EEVFK1H151P
EEVFK1H221P
EEVFK1H331Q
EEVFK1H681M
EEVFK1H102M
EEVFK1J4R7R
EEVFK1J100P
EEVFK1J220XP
EEVFK1J220P
EEVFK1J330P
EEVFK1J470P
EEVFK1J680P
EEVFK1J101P
EEVFK1J151Q
EEVFK1J221Q
EEVFK1J471M
EEVFK1J681M
EEVFK1K3R3R
EEVFK1K4R7P
EEVFK1K100XP
EEVFK1K100P
EEVFK1K220P
EEVFK1K330P
EEVFK1K470P
EEVFK1K680Q
EEVFK1K101Q
EEVFK1K151Q
EEVFK1K331M
EEVFK1K471M
EEVFK2A220P
EEVFK2A330P
EEVFK2A470Q
EEVFK2A680Q
EEVFK2A101M
EEVFK2A151M
EEVFK2A221M
EEVFK2A331M
黄褐色
a
=在120Hz / + 20℃
纹波电流=在100kHz / + 105°C
阻抗/ ESR =在100kHz / + 20℃
设计和特异性阳离子如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前的技术特定网络阳离子。
每当一个关于安全的疑问源于此产品,请即刻与我们联系进行技术咨询。
铝电解电容器/ FK系列
频率特性(阻抗)
16WV
EEVFK1C100R ( 16V10μF ,
4x5.8)
EEVFK1C220R ( 16V22μF , 5x5.8 )
EEVFK1C470P ( 16V47μF , 6.3x5.8 )
EEVFK1C221P ( 16V220μF , 8x6.2 )
EEVFK1C471P ( 16V470μF , 8x10.2 )
EEVFK1C681P ( 16V680μF , 10x10.2 )
EEVFK1C152Q ( 16V1500μF , 12.5x13.5 )
35WV
EEVFK1V4R7R ( 35V4.7μF , 4x5.8 )
EEVFK1V470P ( 35V47μF , 6.3x5.8 )
EEVFK1V221P ( 35V220μF , 8x10.2 )
EEVFK1V331P ( 35V330μF , 10x10.2 )
在20
1000
1000
在20
100
100
阻抗( Ω )
阻抗( Ω )
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
频率(kHz )
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
频率(kHz )
63WV
EEVFK1J4R7R ( 63V4.7μF ,
5x5.8)
EEVFK1J100P ( 63V10μF ,
6.3x5.8)
EEVFK1J330P ( 63V47μF ,
8x10.2)
EEVFK1J101P ( 63V100μF ,
10x10.2)
EEVFK1J471M ( 63V470μF ,
16x16.5)
EEVFK1J681M ( 63V680μF , 18x16.5 )
1000
80WV
EEVFK1K3R3R ( 80V3.3μF ,
5x5.8)
EEVFK1K4R7P ( 80V4.7μF ,
6.3x5.8)
EEVFK1K330P ( 80V33μF ,
8x10.2)
EEVFK1K470P ( 80V47μF ,
10x10.2)
EEVFK1K331M ( 80V330μF ,
16x16.5)
EEVFK1K471M ( 80V470μF , 18x16.5 )
1000
在20
在20
100
100
阻抗( Ω )
阻抗( Ω )
10
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
频率(kHz )
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
频率(kHz )
设计和特异性阳离子如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前的技术特定网络阳离子。
每当一个关于安全的疑问源于此产品,请即刻与我们联系进行技术咨询。
铝电解电容器/ FK系列
频率特性( ESR )
16WV
EEVFK1C100R ( 16V10μF , 4x5.8 )
EEVFK1C220R ( 16V22μF , 5x5.8 )
EEVFK1C470P ( 16V47μF , 6.3x5.8 )
EEVFK1C221P ( 16V220μF , 8x6.2 )
EEVFK1C471P ( 16V470μF , 8x10.2 )
EEVFK1C681P ( 16V680μF , 10x10.2 )
EEVFK1C152Q ( 16V1500μF , 12.5x13.5 )
35WV
EEVFK1V4R7R ( 35V4.7μF , 4x5.8 )
EEVFK1V470P ( 35V47μF ,
6.3x5.8)
EEVFK1V221P ( 35V220μF , 8x10.2 )
EEVFK1V331P ( 35V330μF , 10x10.2 )
在20
在20
1000
1000
100
100
10
E.S.R. ( Ω )
E.S.R. ( Ω )
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
频率(kHz )
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
频率(kHz )
63WV
EEVFK1J4R7R ( 63V4.7μF , 5x5.8 )
EEVFK1J100P ( 63V10μF , 6.3x5.8 )
EEVFK1J330P ( 63V47μF , 8x10.2 )
EEVFK1J101P ( 63V100μF , 10x10.2 )
EEVFK1J471M ( 63V470μF , 16x16.5 )
EEVFK1J681M ( 63V680μF , 18x16.5 )
80WV
EEVFK1K3R3R ( 80V3.3μF , 5x5.8 )
EEVFK1K4R7P ( 80V4.7μF ,
6.3x5.8)
EEVFK1K330P ( 80V33μF , 8x10.2 )
EEVFK1K470P ( 80V47μF , 10x10.2 )
EEVFK1K331M ( 80V330μF , 16x16.5 )
EEVFK1K471M ( 80V470μF , 18x16.5 )
1000
在20
1000
在20
100
100
10
E.S.R. ( Ω )
E.S.R. ( Ω )
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
频率(kHz )
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
频率(kHz )
设计和特异性阳离子如有更改,恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前的技术特定网络阳离子。
每当一个关于安全的疑问源于此产品,请即刻与我们联系进行技术咨询。
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MRF6V3090N
第1版, 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
典型性能(窄带测试电路) : V
DD
= 50伏,我
DQ
=
350毫安, 64 QAM ,输入信号PAR = 9.5 dB的CCDF上0.01 %的概率。
信号类型
DVB - T( 8K OFDM )
P
OUT
(W)
18魅力。
f
(兆赫)
860
G
ps
( dB)的
22.0
η
D
(%)
28.5
ACPR
( DBC)
--62.0
MRF6V3090NR1
MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1
MRF6V3090NBR5
470-
-860兆赫, 90 W, 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
典型性能(宽带参考电路) : V
DD
= 50伏,
I
DQ
= 450毫安, 64 QAM ,输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 %的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
(兆赫)
470
650
860
G
ps
( dB)的
21.6
22.9
21.9
η
D
(%)
26.8
28.0
28.3
产量
信号PAR
( dB)的
8.6
8.7
7.9
IMD
( DBC)
--31.8
--34.4
--29.2
信号类型
DVB - T( 8K OFDM )
CASE 1486-
-03 ,风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V3090NR1(NR5)
特点
能够处理10 : 1 VSWR ,所有相位角, @ 50伏直流电, 860兆赫,
90瓦的连续输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
优良的热稳定性
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位,44个毫米磁带宽度, 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位,56个毫米磁带宽度, 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
符号
R
θJC
CASE 1484-
-04 ,风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V3090NBR1(NBR5)
部分单
-ENDED
( TOP VIEW )
注:包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度76 ° C, 18瓦CW , 50伏直流电,我
DQ
= 350毫安, 860兆赫
外壳温度80 ° C, 90瓦CW, 50伏直流电,我
DQ
= 350毫安, 860兆赫
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1,连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司, 2010--2011 。版权所有。
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
2 (2001--4000 V)
B( 201--400 V)
四, ( >1000 V)
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时, V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏,V
GS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 200
μAdc )
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流,我
D
= 350 MADC ,测量功能测试)
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 0.5 ADC)
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输入电容
(1)
(V
DS
= 50伏,V
GS
= 0伏
±
30毫伏( RMS) AC @ 1兆赫)
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
41
65.4
591
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
0.9
2.0
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
DSS
115
0.5
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(在飞思卡尔的DVB - T的窄带测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 18瓦平均,
F = 860 MHz的DVB - T( 8K OFDM)单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
+
C1
R1
C2
C3
Z8
Z10
C8
C9
C10
V
供应
RF
输入
C4 R2
Z1
C5
C6
C7
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z9
Z12
Z13
Z14
Z15 Z16
Z17
C14
Z18
RF
产量
C15
DUT
Z11
C11
C12
C13
+
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.266″
×
0.067 “微带
0.331″
×
0.067 “微带
0.598″
×
0.067 “微带
0.315″
×
0.276 “微带
0.054″
×
0.669 “微带
0.419″
×
0.669 “微带
0.256″
×
0.669 “微带
0.986″
×
0.071 “微带
0.201″
×
0.571 “微带
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
1.292″
×
0.079 “微带
0.680″
×
0.571 “微带
0.132″
×
0.117 “微带
0.705″
×
0.117 “微带
0.159″
×
0.117 “微带
0.140″
×
0.067 “微带
0.077″
×
0.067 “微带
0.163″
×
0.067 “微带
图2. MRF6V3090NR1 ( NBR1 ) 860 MHz的窄带测试电路原理图
表6. MRF6V3090NR1 ( NBR1 ) 860 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C9, C17
C3, C5, C8, C14, C16
C4
C6
C7
C10, C18
C11, C15
C12
C13
R1
R2
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
43 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
220
μF,
100V的电解电容器
7.5 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
为10kΩ , 1/4 W码片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
T491X226K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B430JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B2R2JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
EEVFK2A221M
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B0R7BT500XT
CRCW120610KOJNEA
CRCW120610ROJNEA
RF--35
生产厂家
Kermet
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
松下 - ECG
ATC
ATC
ATC
日前,Vishay
日前,Vishay
Taconic的
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C10
C8
R1
C2
C3
C9
C4
R2
切出区
C15
C11
C5
C6
C7
MRF6V3090N
第0版
C12
C16
C17
C18
--
图3. MRF6V3090NR1 ( NBR1 ) 860 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C14
C13
典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
,功率增益(分贝)
C,电容(pF )
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水 FFI效率( % )
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV( RMS) AC @ 1兆赫,V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
,漏 - 源极电压(伏)
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率(窄带测试电路)
25
24
23
G
ps
,功率增益(分贝)
22
21
20
19
18
17
V
DD
= 40 V
10 20 30 40
50 60
70 80 90 100 110 120 130 140 150
50 V
45 V
56
55
P
OUT
,输出功率(dBm )
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的( 134.3 W)
P2DB = 51.06 dBm的( 127.6 W)
的P1dB = 50.7 dBm的( 117.5 W)
理想
I
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
实际
V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
4
P
in
输入功率(dBm )
16
P
OUT
,输出功率(瓦)
图6.连续输出功率与输入功率
(窄带测试电路)
25
24
G
ps
,功率增益(分贝)
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
(窄带测试电路)
70
60
η
D,
排水 FFI效率( % )
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)
100
图8. CW功率增益和漏极效率与
输出功率(窄带测试电路)
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MRF6VP3091N
第1版, 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
典型性能(宽带参考电路) : V
DD
= 50伏,
I
DQ
= 450毫安, 64 QAM ,输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 %的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
(兆赫)
470
650
860
G
ps
( dB)的
21.8
21.6
21.7
η
D
(%)
31.0
26.4
27.6
产量
信号PAR
( dB)的
7.9
8.4
7.1
IMD
( DBC)
--27.8
--37.6
--30.4
MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5
MRF6VP3091NBR1
MRF6VP3091NBR5
470-
-860兆赫, 90 W, 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
信号类型
DVB - T( 8K OFDM )
特点
能够处理10 : 1 VSWR ,所有相位角, @ 50伏直流电, 860兆赫,
90瓦的连续输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
优良的热稳定性
设备可用于单 - 端或在一个推 - 拉配置
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位,44个毫米磁带宽度, 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位,56个毫米磁带宽度, 13英寸的卷轴。
CASE 1486-
-03 ,风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6VP3091NR1(NR5)
CASE 1484-
-04 ,风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6VP3091NBR1(NBR5)
部分推挽
-PULL
门1
排水1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +115
--6.0, +10
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
门2
排水2
( TOP VIEW )
注:包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度76 ° C, 18瓦CW , 50伏直流电,我
DQ
= 350毫安, 860兆赫
外壳温度80 ° C, 90瓦CW, 50伏直流电,我
DQ
= 350毫安, 860兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1,连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司, 2011。保留所有权利。
MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
2 (2001--4000 V)
B( 201--400 V)
四, ( >1000 V)
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时, V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏,V
GS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 100
μAdc )
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流,我
D
= 350 MADC ,测量功能测试)
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 0.25 ADC)
动态特性
反向传输电容
(2)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输出电容
(2)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输入电容
(2)
(V
DS
= 50伏,V
GS
= 0伏
±
30毫伏( RMS) AC @ 1兆赫)
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
41
65.4
591
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
0.9
2.0
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
DSS
115
0.5
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(飞思卡尔单 - 端窄带测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 18瓦平均,
F = 860 MHz的DVB - T( 8K OFDM)单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C1
R1
C2
C3
Z8
Z10
C4 R2
+
C8
C9
C10
V
供应
RF
输入
Z1
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z9
Z12
Z13
Z14
Z15 Z16
Z17
C14
Z18
RF
产量
C6
C7
Z11
C15
C11
C12
C13
+
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.266″
×
0.067 “微带
0.331″
×
0.067 “微带
0.598″
×
0.067 “微带
0.315″
×
0.276 “微带
0.054″
×
0.669 “微带
0.419″
×
0.669 “微带
0.256″
×
0.669 “微带
0.986″
×
0.071 “微带
0.201″
×
0.571 “微带
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
1.292″
×
0.079 “微带
0.680″
×
0.571 “微带
0.132″
×
0.117 “微带
0.705″
×
0.117 “微带
0.159″
×
0.117 “微带
0.140″
×
0.067 “微带
0.077″
×
0.067 “微带
0.163″
×
0.067 “微带
图2. MRF6VP3091NR1 ( NBR1 ) 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路原理图
表6. MRF6VP3091NR1 ( NBR1 ) 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路组件标识和
部分
C1
C2, C9, C17
C3, C5, C8, C14, C16
C4
C6
C7
C10, C18
C11, C15
C12
C13
R1
R2
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
43 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
220
μF,
100V的电解电容器
7.5 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
为10kΩ , 1/4 W码片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
T491X226K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B430JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B2R2JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
EEVFK2A221M
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B0R7BT500XT
CRCW120610KOJNEA
CRCW120610ROJNEA
RF--35
生产厂家
Kermet
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
松下 - ECG
ATC
ATC
ATC
日前,Vishay
日前,Vishay
Taconic的
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C10
C8
R1
C2
C3
C9
C4
R2
切出区
C15
C11
C5
C6
C7
MRF6V3090N
第0版
C12
C16
C17
C18
--
图3. MRF6VP3091NR1 ( NBR1 ) 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路元件布局
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C14
C13
典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
,功率增益(分贝)
C,电容(pF )
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水 FFI效率( % )
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV( RMS) AC @ 1兆赫,V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
,漏 - 源极电压(伏)
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率(单
-ENDED
窄带测试电路)
25
I
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
56
55
P
OUT
,输出功率(dBm )
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的( 134.3 W)
P2DB = 51.06 dBm的( 127.6 W)
理想
24
23
G
ps
,功率增益(分贝)
22
21
20
19
18
17
16
4
的P1dB = 50.7 dBm的( 117.5 W)
实际
50 V
45 V
V
DD
= 40 V
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
P
OUT
,输出功率(瓦)
V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
P
in
输入功率(dBm )
图6.连续输出功率与输入功率
(单
-Ended窄带测试电路)
25
24
G
ps
,功率增益(分贝)
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
(单
-Ended窄带测试电路)
70
60
η
D,
排水 FFI效率( % )
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 350 mA时, F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)
100
图8. CW功率增益和漏极效率
与输出功率与温度
(单
-Ended窄带测试电路)
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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PAN
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地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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联系人:陈小姐 付先生
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