EE-SX1107/1108/1109/1131
EE-SX1107/1108/1109/1131
特定网络阳离子
s
绝对最大额定值(T
A
=25
°
C)
项
辐射源
正向电流
脉冲正向电流
反向电压
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
集电极耗散
环境温度
操作
存储
焊接(手动)
焊接(回流)
符号
I
F
I
FP
V
R
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
TOPR
TSTG
TSOL
TSOL
额定值
25毫安(见注)
百毫安(占空比: 1/100 ,脉冲宽度: 0.1毫秒)
5V
20 V
5V
20毫安
75毫瓦(见注)
-30 °至85°C
-40 °至90℃
300 ℃(3秒最低)。
240 ℃(10秒最低)
注:请参考工程数据,如果环境温度不正常的室温范围内。
s
特性(T
A
=25
°
C)
项
辐射源
正向电压
反向电流
峰值发射波长
探测器
暗电流
峰的光谱灵敏度
波长
组合
光电流(集电极电流)
集电极 - 发射极
饱和电压
上升时间
下降时间
符号
V
F
I
R
λ
P
(L)
I
D
λ
P
(P)
I
L
V
CE
(SAT)
tr
tf
价值
1.1 V (典型值) , 1.3 V最大。
10
A
马克斯。
940纳米(典型值) 。
100 nA的MAX 。
900 nm的典型。
50
A
分, 150
A
典型值,
500
A
马克斯。
0.1 V (典型值) , 0.4 V最大。
10
s
(典型值) 。 (见注)
10
s
(典型值) 。 (见注)
条件
I
F
= 5毫安
V
R
= 5 V
I
F
= 20毫安
V
CE
= 10 V, 0
lx
—
I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V
I
F
= 20 mA时,我
L
= 50
A
V
CC
= 5 V ,R
L
= 1K
I
L
= 100
A
注:下图显示的上升时间( Tr)和下降时间( TF ) 。
输入
t
90%
输入
I
L
V
CC
产量
产量
10%
tr
tf
t
R
L
2
EE-SX1107/1108/1109/1131
EE-SX1107/1108/1109/1131
工程数据
注意:该微型光电的操作条件必须是绝对最大额定值的范围之内。
s
温度特性
140
50
s
输入特性
(典型值)
50
集电极耗散P
C
( mW)的
正向电流I
F
(MA )
正向电流I
F
(MA )
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
40
30
20
10
0
-40
40
Ta=25°C
30
20
10
0
1.0
-20
0
20
40
60
80
100
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
正向电压V
F
(V)
s
输入/输出特性(典型值)
EE-SX1107
910
EE-SX1108/1131
910
EE-SX1109
910
光电流I
L
(A)
光电流I
L
(A)
710
610
510
410
310
210
110
10
0
10
20
30
Ta=25°C
V
CE
=5 V
40
50
光电流I
L
(A)
810
810
710
610
510
410
310
210
110
10
0
10
20
30
V
CE
=5 V
40
50
Ta=25°C
810
710
610
510
410
310
210
110
10
0
10
20
30
Ta=25°C
V
CE
=5 V
40
50
正向电流I
F
(MA )
正向电流I
F
(MA )
正向电流I
F
(MA )
s
输出特性(典型)
EE-SX1107
700
600
Ta=25°C
EE-SX1108/1131
700
600
Ta=25°C
EE-SX1109
700
600
Ta=25°C
光电流I
L
(A)
光电流I
L
(A)
500
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
5毫安
10毫安
500
400
300
光电流I
L
(A)
10毫安
500
400
10毫安
300
200
100
5毫安
5毫安
200
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
2
4
6
8
10
12
14
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
s
光电流
温度
DEPENDENCY (典型值)
160
140
s
暗电流
温度
DEPENDENCY (典型值)
1000
V
CE
=10 V
s
响应时间
特征
(典型值)
1000
Llight电流I
L
(%)
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
0
20
40
I
F
± 5毫安
V
CE
=5 V
60
80
100
100
响应时间TR , TF (微秒)
暗电流I
D
( nA的)
100
输入
0
产量
0
tr
输入
90%
10%
I
L
R
L
tf
V
CC
产量
t
t
10
10
1
V
CE
=2 V
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
1
1
10
负载阻抗R
L
(K)
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
3
EE-SX1107/1108/1109/1131
EE-SX1107/1108/1109/1131
特定网络阳离子
s
绝对最大额定值(T
A
=25
°
C)
项
辐射源
正向电流
脉冲正向电流
反向电压
探测器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
集电极耗散
环境温度
操作
存储
焊接(手动)
焊接(回流)
符号
I
F
I
FP
V
R
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
TOPR
TSTG
TSOL
TSOL
额定值
25毫安(见注)
百毫安(占空比: 1/100 ,脉冲宽度: 0.1毫秒)
5V
20 V
5V
20毫安
75毫瓦(见注)
-30 °至85°C
-40 °至90℃
300 ℃(3秒最低)。
240 ℃(10秒最低)
注:请参考工程数据,如果环境温度不正常的室温范围内。
s
特性(T
A
=25
°
C)
项
辐射源
正向电压
反向电流
峰值发射波长
探测器
暗电流
峰的光谱灵敏度
波长
组合
光电流(集电极电流)
集电极 - 发射极
饱和电压
上升时间
下降时间
符号
V
F
I
R
λ
P
(L)
I
D
λ
P
(P)
I
L
V
CE
(SAT)
tr
tf
价值
1.1 V (典型值) , 1.3 V最大。
10
A
马克斯。
940纳米(典型值) 。
100 nA的MAX 。
900 nm的典型。
50
A
分, 150
A
典型值,
500
A
马克斯。
0.1 V (典型值) , 0.4 V最大。
10
s
(典型值) 。 (见注)
10
s
(典型值) 。 (见注)
条件
I
F
= 5毫安
V
R
= 5 V
I
F
= 20毫安
V
CE
= 10 V, 0
lx
—
I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V
I
F
= 20 mA时,我
L
= 50
A
V
CC
= 5 V ,R
L
= 1K
I
L
= 100
A
注:下图显示的上升时间( Tr)和下降时间( TF ) 。
输入
t
90%
输入
I
L
V
CC
产量
产量
10%
tr
tf
t
R
L
2
EE-SX1107/1108/1109/1131
EE-SX1107/1108/1109/1131
工程数据
注意:该微型光电的操作条件必须是绝对最大额定值的范围之内。
s
温度特性
140
50
s
输入特性
(典型值)
50
集电极耗散P
C
( mW)的
正向电流I
F
(MA )
正向电流I
F
(MA )
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
40
30
20
10
0
-40
40
Ta=25°C
30
20
10
0
1.0
-20
0
20
40
60
80
100
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
正向电压V
F
(V)
s
输入/输出特性(典型值)
EE-SX1107
910
EE-SX1108/1131
910
EE-SX1109
910
光电流I
L
(A)
光电流I
L
(A)
710
610
510
410
310
210
110
10
0
10
20
30
Ta=25°C
V
CE
=5 V
40
50
光电流I
L
(A)
810
810
710
610
510
410
310
210
110
10
0
10
20
30
V
CE
=5 V
40
50
Ta=25°C
810
710
610
510
410
310
210
110
10
0
10
20
30
Ta=25°C
V
CE
=5 V
40
50
正向电流I
F
(MA )
正向电流I
F
(MA )
正向电流I
F
(MA )
s
输出特性(典型)
EE-SX1107
700
600
Ta=25°C
EE-SX1108/1131
700
600
Ta=25°C
EE-SX1109
700
600
Ta=25°C
光电流I
L
(A)
光电流I
L
(A)
500
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
5毫安
10毫安
500
400
300
光电流I
L
(A)
10毫安
500
400
10毫安
300
200
100
5毫安
5毫安
200
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
2
4
6
8
10
12
14
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
s
光电流
温度
DEPENDENCY (典型值)
160
140
s
暗电流
温度
DEPENDENCY (典型值)
1000
V
CE
=10 V
s
响应时间
特征
(典型值)
1000
Llight电流I
L
(%)
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
0
20
40
I
F
± 5毫安
V
CE
=5 V
60
80
100
100
响应时间TR , TF (微秒)
暗电流I
D
( nA的)
100
输入
0
产量
0
tr
输入
90%
10%
I
L
R
L
tf
V
CC
产量
t
t
10
10
1
V
CE
=2 V
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
1
1
10
负载阻抗R
L
(K)
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
3