【特种聚合物铝电解电容器表面贴装型系列：的FD ，CD， UD ， UE原产地n特点低ESR卓越的噪声】,IC型号EEFUE0G181R,EEFUE0G181R PDF资料,EEFUE0G181R经销商,ic,电子元器件-51电子网

特种聚合物

铝电解电容器

表面贴装型

系列：

的FD ，CD， UD ， UE

原产地

n

特点

低ESR

卓越的噪声吸收特性

日本

新加坡

n

规范

系列&尺寸代码

分类Temp.Range

额定W.V.Range

标称Cap.Range

电容容差

直流漏电流

CD

UD

-40至105℃

2 12.5V.DC

2 16V.DC

2 8V.DC

15 68μF

2.2 150μF

68 330μF

±20 %

I

＆ LT ;

0.06 CV 2分钟（ 2 4V.DC ）

I

＆ LT ;

0.04CV或3μA 2分钟（ 6.3 16V.DC ）（取较大值）

FD

UE

2 8V.DC

100 470μF

浪涌电压

额定工作电压

×

1.25（ 1535 ℃）下

黄褐色

δ

＆ LT ;

0.06 （ 120Hz的/ + 20 ℃）的

＆ LT ;

0.10 （ 120Hz的/ + 20 ℃）的

1000小时后，在105 ±2℃下施加额定工作电压后，然后稳定在+ 20℃下，

耐力

电容器应满足以下限制。

(105

°

C1000hours W.V. ）

静电容量变化

黄褐色

δ

直流漏电流

静电容量变化

初始measurd值

初始测量值的± 10％的

＆ LT ;

初始规定值

＆ LT ;

初始规定值

2 ， 2.5V.DC

+70, -20%

4 V.DC

+60, -20%

6.3V.DC

+50, -20%

8 16V.DC

+40, -20%

后存放500小时，在60℃ ，90％ R.H 。

耐湿性

黄褐色

δ

直流漏电流

＆ LT ;

初始规定值的200％

＆ LT ;

初始规定值

n

记号

n

尺寸

以毫米（不按比例）

P

L

W1

W2

(mm)

系列&

尺寸代码

FD

CD

UD

UE

L±0.2

7.3

W1±0.2 W2±0.1

4.3

2.4

4.3

2.4

4.3

2.4

4.3

2.4

H

1.1±0.1

1.8±0.1

2.8±0.2

4.2±0.1

P±0.3

1.3

设计，规格时如有变更，恕不另行通知。问厂家购买之前，在当前的技术规格

和/或使用。如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2005年3月

EE14

W2

W.V.代码

H

帽。

极棒（正）

特种聚合物

铝电解电容器

n

标准产品

评级

W.V

.

（ V.DC ）

2

2.5

FD

4

6.3

8

12.5

表壳尺寸

规范

电容

纹波电流

(±20%)

L

W H

ESR

（A均方根/ 100kHz的

(F)

(mm) (mm) (mm)

20到105

°

C )

68

56

39

47

33

22

15

100

120

150

82

100

120

56

68

82

100

10

22

33

47

68

8.2

15

22

33

47

4.7

10

15

22

2.2

4.7

6.8

8.2

180

220

270

330

7.3

4.3

1.1

1.8

2.8

2.0

1.4

2.5

2.7

2.5

2.7

2.5

2.7

2.5

2.7

2.5

2.7

2.5

2.7

2.5

2.7

1.8

1.4

1.6

2.0

2.5

2.7

2.5

2.7

1.4

1.6

2.0

2.5

1.8

1.0

1.3

1.6

1.0

1.3

3.0

3.3

3.0

3.3

3.0

3.3

3.0

产品型号

Min.Packaging Qíty

系列&

尺寸代码

（ PCS）的

(100kHz/+20°C)

2

2.5

4

CD

6.3

8

12.5

16

UD

2

0.028

0.040

0.018

0.015

0.018

0.015

0.018

0.015

0.018

0.015

0.018

0.015

0.018

0.015

0.018

0.015

0.025

0.055

0.040

0.028

0.018

0.015

0.018

0.015

0.055

0.040

0.028

0.018

0.025

0.080

0.060

0.050

0.030

0.110

0.080

0.070

0.045

0.015

0.012

0.015

0.012

0.015

0.012

0.015

EEFFD0D680R

EEFFD0E560R

EEFFD0G390R

EEFFD0G470R

EEFFD0J330R

EEFFD0K220R

EEFFD1B150R

EEFCD0D101R

EEFCD0D101XR

EEFCD0D121R

EEFCD0D121XR

EEFCD0D151R

EEFCD0E820R

EEFCD0E820XR

EEFCD0E101R

EEFCD0E101XR

EEFCD0E121R

EEFCD0G560R

EEFCD0G560XR

EEFCD0G680R

EEFCD0G680XR

EEFCD0G820R

EEFCD0G820XR

EEFCD0G101R

EEFCD0J100R

EEFCD0J220R

EEFCD0J330R

EEFCD0J470R

EEFCD0J470XR

EEFCD0J680R

EEFCD0J680XR

EEFCD0K8R2R

EEFCD0K150R

EEFCD0K220R

EEFCD0K330R

EEFCD0K470R

EEFCD1B4R7R

EEFCD1B100R

EEFCD1B150R

EEFCD1B220R

EEFCD1C2R2R

EEFCD1C4R7R

EEFCD1C6R8R

EEFCD1C8R2R

EEFUD0D181R

EEFUD0D181XR

EEFUD0D221R

EEFUD0D221XR

EEFUD0D271R

EEFUD0D271XR

EEFUD0D331R

3500

2000

设计，规格时如有变更，恕不另行通知。问厂家购买之前，在当前的技术规格

和/或使用。如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2005年3月

EE15

特种聚合物

铝电解电容器

n

标准产品

评级

W.V

.

（ V.DC ）

2

表壳尺寸

规范

电容

纹波电流

(±20%)

L

W H

ESR

（A均方根/ 100kHz的

(F)

(mm) (mm) (mm)

20到105

°

C )

330

150

180

220

270

120

150

180

100

120

150

68

100

270

330

390

470

220

270

330

390

180

220

270

150

180

220

100

150

7.3

4.3

2.8

4.2

3.3

3.0

3.3

3.0

3.3

3.0

3.3

3.0

3.3

3.0

3.3

2.5

3.0

3.3

3.0

3.3

2.5

3.0

2.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.3

3.5

3.0

3.3

3.5

3.3

3.5

3.0

3.3

3.0

产品型号

Min.Packaging齐TY

系列&

尺寸代码

（ PCS）的

(100kHz/+20°C)

2.5

UD

4

6.3

8

2

UE

2.5

4

6.3

8

0.012

0.015

0.012

0.015

0.012

0.015

0.012

0.015

0.012

0.015

0.012

0.018

0.015

0.012

0.015

0.012

0.018

0.015

0.018

0.012

0.010

0.012

0.010

0.012

0.010

0.012

0.010

0.012

0.010

0.012

0.010

0.012

0.010

0.012

0.010

0.012

0.010

0.015

0.012

0.010

0.012

0.010

0.015

0.012

0.015

EEFUD0D331XR

EEFUD0E151R

EEFUD0E151XR

EEFUD0E181R

EEFUD0E181XR

EEFUD0E221R

EEFUD0E221XR

EEFUD0E271R

EEFUD0G121R

EEFUD0G121XR

EEFUD0G151R

EEFUD0G151XR

EEFUD0G181R

EEFUD0J101R

EEFUD0J101XR

EEFUD0J121R

EEFUD0J121XR

EEFUD0J151R

EEFUD0K680R

EEFUD0K101R

EEFUE0D271R

EEFUE0D271XR

EEFUE0D331R

EEFUE0D331XR

EEFUE0D391R

EEFUE0D391XR

EEFUE0D471R

EEFUE0D471XR

EEFUE0E221R

EEFUE0E221XR

EEFUE0E271R

EEFUE0E271XR

EEFUE0E331R

EEFUE0E331XR

EEFUE0E391R

EEFUE0G181R

EEFUE0G181XR

EEFUE0G221R

EEFUE0G221XR

EEFUE0G271R

EEFUE0J151R

EEFUE0J151XR

EEFUE0J181R

EEFUE0J181XR

EEFUE0J221R

EEFUE0K101R

EEFUE0K151R

2000

设计，规格时如有变更，恕不另行通知。问厂家购买之前，在当前的技术规格

和/或使用。如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2005年3月

EE16

FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器

2010年11月

FAN5236

双移动友好DDR /双输出PWM控制器

特点

高度灵活的双同步开关PWM

控制器包括模式为：

描述

该FAN5236 PWM控制器提供高效率

和调节两个输出电压可调的

0.9V至5.5V的范围内所需的电源I / O芯片组，

在高性能的笔记本内存银行

电脑，

掌上电脑，

和

因特网

电器。

同步整流和迟滞的操作

轻负载在宽有助于高效率

负载范围内。迟滞模式可以禁用

分别在每个PWM变换器如果PWM模式

所需的所有负载水平。效率是通过增强

采用MOSFET

DS （ ON）

作为电流检测元件

.

前馈斜坡调制，平均电流模式

控制方案，以及内部反馈补偿

提供快速的负载瞬态响应。外的相位

操作与180度相移降低了对输入

电流纹波。该控制器可以被转化成

通过完整的DDR内存电源解决方案

激活指定的引脚。在DDR模式中的一个

通道跟踪另一个通道的输出电压

并提供输出电流接收器和源能力

- 为DDR芯片的正确供电至关重要。该

通过这种类型的所需缓冲基准电压

存储器也被提供。该FAN5236这些监控

输出，并产生不同的PGX （电源良好）

当软启动完成信号，并输出

是在设定点的±10％。内置的过电压

保护可防止输出电压从上面去

120％的设定点。正常运行是自动

恢复时的过电压条件下停止。

欠压保护锁存芯片关断时

该软后输出下降到低于设定值的75％

启动顺序，该输出完成。一

可调式过电流功能监视输出

通过检测较低的电压降的电流

MOSFET。如果精确的电流检测是必需的，一个

外部电流检测电阻可以使用。

-

DDR模式在相操作

减少信道干扰

90°的相移，对于两阶段的DDR模式

降低输入纹波

双独立调节， 180 °相位

移

V

TT

跟踪V

DDQ/2

V

DDQ/2

缓冲基准输出

完整的DDR存储器电源解决方案

-

无损电流检测的低边MOSFET或

精密过电流检测用电阻

V

CC

欠压锁定

转换器可从+ 5V或3.3V或操作

电池电源输入（ 5V至24V ）

出色的动态响应与电压

前馈和平均电流模式控制

电源良好信号

支持DDR -II和HSTL

轻载迟滞模式效率最大化

TSSOP28封装

应用

DDR V

DDQ

和V

TT

电压产生

移动PC的双通道稳压器

服务器DDR电源

手持式PC电源

相关资源

应用笔记 - AN- 6002组件

计算和仿真工具为FAN5234或

FAN5236

应用笔记 - AN -1029最大功率

为SO- 8电源增强技术

MOSFET

2002仙童半导体公司

FAN5236 版本1.3.2

www.fairchildsemi.com

FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器

订购信息

产品型号

FAN5236MTCX

操作

温度

范围

-10至+ 85°C

包

28引脚薄小外形封装（ TSSOP ）

包装方法

磁带和卷轴

方框图

+5

VCC

FAN5236

V

IN

（ BATTERY ）

= 5 24V

Q1

ILIM1

L

OUT1

V

UT1

= 2.5V

C

OUT1

PWM 1

Q2

DDR

Q3

ILIM2/

REF2

L

OUT2

V

UT 2

= 1.8V

C

OUT2

PWM 2

Q4

图1.双输出稳压器

+5

VCC

FAN5236

V

IN

（ BATTERY ）

= 5 24V

Q1

ILIM1

L

OUT1

V

DDQ

= 2.5V

C

OUT1

R

PWM 1

Q2

+5

DDR

Q3

R

V

TT

=

V

DDQ / 2

C

OUT2

PG2/REF

1.25V

L

OUT2

PWM 2

Q4

IL IM2 / REF2

图2.完整的DDR存储器电源

2002仙童半导体公司

FAN5236 版本1.3.2

www.fairchildsemi.com

2

FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器

引脚配置

AGND

LDRV1

PGND1

SW1

HDRV1

BOOT1

ISNS1

EN1

FPWM1

VSEN1

ILIM1

SS1

DDR

VIN

1

2

3

4

5

6

28

27

26

25

24

23

VCC

LDRV2

PGND2

SW2

HDRV2

BOOT2

ISNS2

EN2

FPWM2

VSEN2

ILIM2/REF2

SS2

PG2/REF2OUT

PG1

7

22

FAN5236

8

21

9

10

11

12

13

14

20

19

18

17

16

15

图3.引脚配置

引脚德网络nitions

针＃

1

2

27

3

26

4

25

5

24

6

23

7

22

8

21

9

20

10

19

11

12

17

名字

AGND

LDRV1

LDRV2

PGND1

PGND2

SW1

SW2

HDRV1

HDRV2

BOOT1

BOOT2

ISNS1

ISNS2

EN1

EN2

FPWM1

FPWM2

VSEN1

VSEN2

ILIM1

SS1

SS2

描述

模拟地。

这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平是

对于此引脚测量。

低侧驱动器。

低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到低侧的门

MOSFET。

电源地。

在回报低边MOSFET驱动器。连接至低压侧的源

MOSFET。

交换节点。

回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。

连接到高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。

高边驱动器。

高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门

MOSFET。

开机。

正电源上MOSFET驱动器。连接，如图4 。

电流检测输入。

监控跨下MOSFET或外部的电压降

检测电阻的电流反馈。

启用。

使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN复位稳压器

经过锁存故障条件。这是CMOS输入，其状态是不确定的，如果不

开。

强制PWM模式。

当逻辑LOW ，禁止进入迟滞模式的调节;

否则扎到V

OUT

。该稳压器采用V

OUT

该引脚上以确保平稳过渡

迟滞模式为PWM模式。当V

OUT

预计将超过V

CC

，扎到V

CC

.

输出电压检测。

从输出的反馈。用于调节以及PG ，

欠电压和过电压保护和监测。

电流限制1 。

此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。

软启动。

电容器从这个引脚GND节目转换时的转换率

初始化。在初始化时，此引脚被控5毫安电流源。

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FAN5236 版本1.3.2

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3

FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器

引脚说明

（续）

针＃

13

名字

DDR

描述

DDR模式控制。

HIGH = DDR模式。 LOW =两个独立的监管机构运行180 °出

的相位。

输入电压。

通常连接到电池，提供电压前馈设置

幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC从5V的两步转换

输入，连接至100KΩ电阻接地，设定适当的斜坡增益和

同步信道90 °的相位差。

电源良好标记。

漏极开路输出拉低当V

SEN

为±10％以外

范围内的0.9V参考。

电源良好2 。

如果不是在DDR模式，开漏输出，拉低了V时

OUT

is

出调控或故障状态。

参考输出2 。

当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常情况下使用

作为V

DDQ/2

参考。

14

VIN

15

PG1

16

PG2 /

REF2OUT

18

限流2 。

如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置电流

ILIM2 / REF2限制。

参考

在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设定为V

OUT1 / 2

.

VCC

VCC 。

该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC启动时，操作

电压此引脚超过4.6V （ UVLO上升），并关闭时，它低于4.3V

（ UVLO下降）。

28

2002仙童半导体公司

FAN5236 版本1.3.2

www.fairchildsemi.com

4

FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器

绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件

可靠性。绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

V

CC

V

IN

参数

V

CC

电源电压

V

IN

电源电压

BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV

BootX的到SWX

所有其他引脚

分钟。

马克斯。

6.5

27

33

6.5

单位

V

C

-0.3

-40

-65

V

CC

+0.3

+150

+300

T

J

T

英镑

T

L

结温

储存温度

引线温度（焊接， 10秒）

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

V

CC

V

IN

T

A

Θ

JA

参数

V

CC

电源电压

V

IN

电源电压

环境温度

热阻，结到环境

分钟。

4.75

-10

典型值。

5.00

马克斯。

5.25

24

+85

90

单位

V

°C

° C / W

2002仙童半导体公司

FAN5236 版本1.3.2

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5

FAN5026 - 双通道DDR /双输出PWM控制器

2011年3月

FAN5026

双通道DDR /双输出PWM控制器

特点

高度灵活的双同步开关PWM

控制器包括模式为：

描述

该FAN5026 PWM控制器提供高效率

和调节两个输出电压可调的

0.9V至5.5V的范围内所需的电源I / O芯片组，

并在高性能计算机存储器区块，

机顶盒和VGA卡。同步

整顿和迟滞的操作在轻负载

向高效率在宽范围的负载。

效率是通过使用MOSFET 增强

DS （ ON）

作为

电流检测元件。

前馈斜坡调制，平均电流模式

控制和内部反馈补偿提供

快速负载瞬态响应。乱相运行

180度相移降低输入电流

纹波。该控制器可以被转化成

通过完整的DDR内存电源解决方案

激活指定的引脚。在DDR模式中的一个

通道跟踪另一个通道的输出电压

并提供输出电流接收器和源能力

- 为DDR芯片的正确供电至关重要。该

通过这种类型的所需缓冲基准电压

存储器也被提供。该FAN5026这些监控

输出，并产生不同的PGX （电源良好）

当软启动完成信号，并输出

是在设定点的±10％。

过电压保护器可防止输出电压

从超过设定点的120％。正常工作

自动恢复时的过电压条件

停止。欠压保护锁存芯片关闭

当输出后下降到低于设定值的75％的

该输出软启动序列完成。一

可调式过电流功能监视输出

通过检测较低的电压降的电流

MOSFET。如果精确的电流检测是必需的，一个

外部电流检测电阻可以使用。

-

DDR模式在相操作

减少信道干扰

90°的相移，两阶段的DDR模式

为降低输入纹波

双独立调节， 180 °相位

移

V

TT

跟踪V

DDQ/2

V

DDQ/2

缓冲基准输出

完整的DDR存储器电源解决方案

无损电流检测的低边MOSFET或

精密过电流检测用电阻

V

CC

欠压锁定

宽输入范围： 3V至16V

出色的动态响应与电压

前馈和平均电流模式控制

电源良好信号

支持DDR -II和HSTL

28引脚薄小外形封装

应用

DDR V

DDQ

和V

TT

电压产生

PC双电源

服务器DDR电源

桌上型电脑

显卡

相关资源

应用笔记 - AN- 6002组件

计算和仿真工具

订购信息

产品型号

FAN5026MTCX

操作

温度

范围

-40至+ 85°C

包

28引脚薄小外形封装（ TSSOP ）

包装方法

磁带和卷轴

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FAN5026 - 双通道DDR /双输出PWM控制器

方框图

图1.双输出稳压器

图2.典型应用

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2

FAN5026 - 双通道DDR /双输出PWM控制器

引脚配置

图3. TSSOP -28

引脚德网络nitions

针＃

1

2

27

3

26

4

25

5

24

6

23

7

22

8

21

9

20

10

19

名字

AGND

LDRV1

LDRV2

PGND1

PGND2

SW1

SW2

HDRV1

HDRV2

BOOT1

BOOT2

ISNS1

ISNS2

EN1

EN2

GND

VSEN1

VSEN2

描述

模拟地。

这是用于IC的信号的接地参考。所有电压电平被测量

对于这个引脚

低侧驱动器。

低压侧（低级） MOSFET驱动器输出。连接到低侧的门

MOSFET。

电源地。

在回报低边MOSFET驱动器。连接至低压侧的源

MOSFET。

交换节点。

回报高边MOSFET驱动器和电流检测输入。连

到的高侧MOSFET和低侧MOSFET的漏极 - 源极。

高边驱动器。

高边（上） MOSFET驱动器输出。连接到高侧的门

MOSFET。

开机。

正电源上MOSFET驱动器。连接，如图4 。

电流检测输入。

监控跨下MOSFET或外部感应的电压降

电阻器的电流反馈。

启用。

使操作时被拉至逻辑高电平。切换EN后复位调节

锁存故障条件。这是CMOS输入，其状态是不确定的，如果不开放。

地

输出电压检测。

从输出的反馈;用于调节以及PG ，

欠电压和过电压保护和监测。

续下页...

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3

FAN5026 - 双通道DDR /双输出PWM控制器

引脚德网络nitions

针＃

11

12

17

13

名字

ILIM1

SS1

SS2

DDR

描述

电流限制1 。

此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。

软启动。

电容器从这个引脚GND节目转换时的转换率

初始化。在初始化时，此引脚被控5毫安电流源。

DDR模式控制。

HIGH = DDR模式。经营180 LOW =两个独立的稳压器

度异相。

输入电压。

通常连接到电池，提供电压前馈设置

幅度的内部振荡器斜坡。当使用IC从5V的两步转换

输入，连接至100KΩ电阻接地，设定适当的斜坡增益和

同步信道90 °的相位差。

电源良好标记。

漏极开路输出拉低当V

SEN

是的±10％范围以外

在0.9V的参考。

电源好2 。

如果不是在DDR模式，开漏输出，拉低了V时

OUT

is

出调控或故障状态。

14

VIN

15

PG1

16

PG2 /

REF2OUT

参考输出2 。

当在DDR模式，提供REF2的缓冲输出。通常用作

在V

DDQ/2

参考。

ILIM2 /

REF2

VCC

限流2 。

如果不是在DDR模式下，此引脚与GND之间的电阻设置电流限制。

参考

在DDR模式寄存器＃ 2时。通常设定为V

OUT1/2

.

VCC 。

该引脚为芯片以及LDRV缓冲区。在IC启动时，操作

电压此引脚超过4.6V （ UVLO上升），并关闭时，它低于4.3V

（ UVLO下降）。

18

28

框图

图4. IC框图

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FAN5026 - 双通道DDR /双输出PWM控制器

绝对最大额定值

应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或

操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。

此外，过度暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件

可靠性。绝对最大额定值仅为应力额定值。

符号

V

CC

V

IN

参数

V

CC

电源电压

V

IN

电源电压

BOOT ， SW ， ISNS ， HDRV

BootX的到SWX

所有其他引脚

分钟。

马克斯。

6.5

18

24

6.5

单位

V

C

-0.3

-40

-65

V

CC

+0.3

+150

+300

T

J

T

英镑

T

L

结温

储存温度

引线温度（焊接， 10秒）

推荐工作条件

推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐

工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不

建议超过或设计，以绝对最大额定值。

符号

V

CC

V

IN

T

A

Θ

JA

参数

V

CC

电源电压

V

IN

电源电压

环境温度

热阻，结到环境

分钟。

4.75

-40

典型值。

5.00

马克斯。

5.25

16

+85

90

单位

V

°C

° C / W

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