【SP -CAP /特种聚合物铝电容器（导电性高分子铝电容器）表面贴装型系列：S大帽■特点●超低的ES】,IC型号EEFSX0D331XE,EEFSX0D331XE PDF资料,EEFSX0D331XE经销商,ic,电子元器件-51电子网

SP -CAP /特种聚合物铝电容器（导电性高分子铝电容器）

表面贴装型

系列：

S

大帽

■

特点

●

超低的ESR （4.5米至9米）

●

低ESR和更高的电容，在同

外壳尺寸为常规产品。

●

卓越的噪声吸收特性

●

高纹波电流

●

RoHS指令标准

■

特定网络阳离子

系列&尺寸代码

分类温度。范围

额定W.V.Range

标称Cap.Range

电容容差

SL

-40°C至+105°C

2 V.DC 6.3 V.DC

56 μF至220 μF

±20 %

再溢流240 ° C：我

＆ LT ;

0.06 CV （ μA ） 2分钟（ 2 V.DC至4 V.DC ）

I

＆ LT ;

0.04 CV （ μA ） 2分钟（ 6.3 V.DC ）

再溢流260 ° C：我

＆ LT ;

0.1 CV （ μA ） 2分钟

黄褐色

δ

浪涌电压

＆ LT ;

0.06 （120赫兹/ + 20 ℃）的

额定工作电压为1.25 （ 15 ° C至35 ° C）

1000小时施加额定工作电压为105℃ ±2℃ ，然后稳定在20 ℃后，加入

电容器应满足以下限制。

耐力

静电容量变化

黄褐色

δ

直流漏电流

初始测量值的± 10％的

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

储存500小时，在60℃ ，90％后

2 ， 2.5 V.DC

+70, –20 %

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值的200％

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

4 V.DC

+60, –20 %

6.3 V.DC

+50, –20 %

82 μF至560 μF

SX

直流漏电流

耐湿性

的电容变化

初始measurd值

黄褐色

δ

直流漏电流

■

记号

■

尺寸以毫米（不按比例）

-

帽。

极棒（正）

P

L

P

W1

+

H

W2

LOT号

W.V.代码

(mm)

系列&

尺寸代码

SL

SX

L± 0.2 ± W1 W2 0.2 ±0.1

7.3

4.3

2.4

H

1.8±0.1

1.9±0.2

P±0.3

1.3

½

科幻gure的外部是参考。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2012年2月1日

– EE17 –

SP -CAP /特种聚合物铝电容器（导电性高分子铝电容器）

■

低ESR产品

电容

系列&额定tance

W.V.

L

尺寸代码（ V.DC ）（ ± 20 ％）

(mm)

(F)

100

120

150

180

220

100

120

150

82

56

180

220

270

7.3

表壳尺寸

W

(mm)

4.3

H

(mm)

1.8

1.9

特定网络阳离子

½1

½2

2

SL

2.5

4

6.3

330

2

390

470

560

150

180

SX

220

270

330

2.5

390

470

82

100

4

150

180

220

120

150

6.3

纹波

ESR

当前

（ Ar.m.s. ）（ m以下。）

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.5

6

3.8

4.5

3.0

9

3.5

6

3.8

4.5

3.0

9

3.5

6

3.8

4.5

3.0

9

3.5

6

3.8

4.5

3.8

4.5

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.5

7

3.5

7

3.0

9

3.5

6

3.8

4.5

3.0

9

3.5

6

3.8

4.5

3.0

9

3.5

6

3.8

4.5

3.0

9

3.0

9

3.0

9

3.5

7

3.0

9

3.0

9

3.5

7

3.0

9

分钟。

包装

½3

Q`ty

再溢流条件： 240 ℃，再溢流条件： 260℃

（ PCS）的

[建议]

EEFSL0D101R

EEFSL0D121R

EEFSL0D151R

EEFSL0D181R

EEFSL0D221R

EEFSL0E101R

EEFSL0E121R

EEFSL0E151R

EEFSL0G820R

EEFSL0J560R

EEFSX0D181R

EEFSX0D221R

EEFSX0D271R

EEFSX0D271XR

—

EEFSX0D331R

EEFSX0D331XR

—

EEFSX0D391R

EEFSX0D391XR

—

EEFSX0D471R

EEFSX0D471XR

—

EEFSX0E151R

EEFSX0E181R

EEFSX0E221R

—

EEFSX0E331R

EEFSX0E331XR

—

EEFSX0E391R

EEFSX0E391XR

—

EEFSX0G820R

EEFSX0G101R

—

EEFSL0D101ER

EEFSL0D121ER

EEFSL0D151ER

EEFSL0D181ER

EEFSL0D221ER

EEFSL0E101ER

EEFSL0E121ER

EEFSL0E151ER

EEFSL0G820ER

—

EEFSX0D181ER

EEFSX0D221ER

EEFSX0D271ER

EEFSX0D271XE

EEFSX0D271E4

EEFSX0D331ER

EEFSX0D331XE

EEFSX0D331E4

EEFSX0D391ER

EEFSX0D391XE

EEFSX0D391E4

EEFSX0D471ER

EEFSX0D471XE

EEFSX0D471E4

EEFSX0D561E4

EEFSX0E151ER

EEFSX0E181ER

EEFSX0E221ER

EEFSX0E221E7

EEFSX0E271E7

EEFSX0E331ER

EEFSX0E331XE

EEFSX0E331E4

EEFSX0E391ER

EEFSX0E391XE

EEFSX0E391E4

EEFSX0E471ER

EEFSX0E471XE

EEFSX0E471E4

EEFSX0G820ER

EEFSX0G101ER

EEFSX0G151ER

EEFSX0G151E7

EEFSX0G181ER

EEFSX0G221ER

EEFSX0J121E7

EEFSX0J151ER

3500

产品型号

＆ frac12 ; 1 ：

纹波电流（ 100千赫/ +20至+ 105 ° C），

＆ frac12 ; 2 ：

ESR（ 100千赫/ + 20℃）

＆ frac12 ; 3 ：

请先确认网络连接RM EE25在Mouting特定网络阳离子细节。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

2012年2月2日

– EE18 –

SP -CAP /导电性高分子铝电容器（专用聚合物铝电容器）

表面贴装型

系列：

S

■

特点

●

超低的ESR （4.5米至9米）

●

低ESR和更高的电容，在同

外壳尺寸为常规产品。

●

卓越的噪声吸收特性

●

高纹波电流

●

RoHS指令标准

■

特定网络阳离子

系列&尺寸代码

分类温度。范围

额定W.V.Range

标称Cap.Range

电容容差

SL

-40°C至+105°C

2 V.DC 6.3 V.DC

56 μF至220 μF

±20 %

再溢流240 ° C：我

＆ LT ;

0.06 CV （ μA ） 2分钟（ 2 V.DC至4 V.DC ）

I

＆ LT ;

0.04 CV （ μA ） 2分钟（ 6.3 V.DC ）

再溢流260 ° C：我

＆ LT ;

0.1 CV （ μA ） 2分钟

黄褐色

δ

浪涌电压

＆ LT ;

0.06 （120赫兹/ + 20 ℃）的

额定工作电压为1.25 （ 15 ° C至35 ° C）

1000小时施加额定工作电压为105℃ ±2℃ ，然后稳定在20 ℃后，加入

电容器应满足以下限制。

耐力

静电容量变化

黄褐色

δ

直流漏电流

初始测量值的± 10％的

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

储存500小时，在60℃ ，90％后

2 ， 2.5 V.DC

+70, –20 %

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值的200％

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

4 V.DC

+60, –20 %

6.3 V.DC

+50, –20 %

82 μF至560 μF

SX

直流漏电流

耐湿性

的电容变化

初始measurd值

黄褐色

δ

直流漏电流

■

记号

■

尺寸以毫米（不按比例）

（单位：毫米）

-

+

H

帽。

极棒（正）

P

L

P

W1

W2

LOT号

W.V.代码

系列&

尺寸代码

SL

SX

L± 0.2 ± W1 W2 0.2 ±0.1

7.3

4.3

2.4

W2

H

1.8±0.1

1.9±0.2

P±0.3

1.3

½

科幻gure的外部是参考。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

00 2012年11月

- EEF - 7 -

SP -CAP /导电性高分子铝电容器（专用聚合物铝电容器）

■

低ESR产品

电容

系列&额定tance

W.V.

L

尺寸代码（ V.DC ）（ ± 20 ％）

(mm)

(F)

100

120

150

180

220

100

120

150

82

56

180

220

270

7.3

表壳尺寸

W

(mm)

4.3

特定网络阳离子

½2

½1

H

ESR

纹波

（毫米）电流

（ Ar.m.s. ）（ m以下。）

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

7

1.9

3.5

7

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

7

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

7

1.9

3.0

9

产品型号

：可用，

—

：无法使用

分钟。

包装

240 °C 260 °C

Q`ty

½3

（ PCS）的

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

3500

再溢流条件

2

SL

2.5

4

6.3

330

2

390

470

560

150

180

SX

220

270

330

2.5

390

470

82

100

4

150

180

220

120

150

6.3

EEFSL0D101ER

EEFSL0D121ER

EEFSL0D151ER

EEFSL0D181ER

EEFSL0D221ER

EEFSL0E101ER

EEFSL0E121ER

EEFSL0E151ER

EEFSL0G820ER

EEFSL0J560R

½5

EEFSX0D181ER

EEFSX0D221ER

EEFSX0D271ER

EEFSX0D271XE

EEFSX0D271E4

EEFSX0D331ER

EEFSX0D331XE

EEFSX0D331E4

EEFSX0D391ER

EEFSX0D391XE

EEFSX0D391E4

EEFSX0D471ER

EEFSX0D471XE

EEFSX0D471E4

EEFSX0D561E4

EEFSX0E151ER

EEFSX0E181ER

EEFSX0E221ER

EEFSX0E221E7

EEFSX0E271E7

EEFSX0E331ER

EEFSX0E331XE

EEFSX0E331E4

EEFSX0E391ER

EEFSX0E391XE

EEFSX0E391E4

EEFSX0E471ER

EEFSX0E471XE

EEFSX0E471E4

EEFSX0G820ER

EEFSX0G101ER

EEFSX0G151ER

EEFSX0G151E7

EEFSX0G181ER

EEFSX0G221ER

EEFSX0J121E7

EEFSX0J151ER

＆ frac12 ; 1 ：

纹波电流（ 100千赫/ +20至+ 105 ° C），

＆ frac12 ; 2 ：

ESR（ 100千赫/ + 20℃）

＆ frac12 ; 3 ：

请参照“ Mouting特定网络阳离子”的页面。

＆ frac12 ; 4 ：

请使用高温无铅再溢流（ 260 ° C）的全新设计。

＆ frac12 ; 5 ：

在新设计的情况下，请与我们联系。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

00 2012年11月

- EEF - 8 -

SP -CAP /导电性高分子铝电容器（专用聚合物铝电容器）

表面贴装型

系列：

S

■

特点

●

超低的ESR （4.5米至9米）

●

低ESR和更高的电容，在同

外壳尺寸为常规产品。

●

卓越的噪声吸收特性

●

高纹波电流

●

RoHS指令标准

■

特定网络阳离子

系列&尺寸代码

分类温度。范围

额定W.V.Range

标称Cap.Range

电容容差

SL

-40°C至+105°C

2 V.DC 6.3 V.DC

56 μF至220 μF

±20 %

再溢流240 ° C：我

＆ LT ;

0.06 CV （ μA ） 2分钟（ 2 V.DC至4 V.DC ）

I

＆ LT ;

0.04 CV （ μA ） 2分钟（ 6.3 V.DC ）

再溢流260 ° C：我

＆ LT ;

0.1 CV （ μA ） 2分钟

黄褐色

δ

浪涌电压

＆ LT ;

0.06 （120赫兹/ + 20 ℃）的

额定工作电压为1.25 （ 15 ° C至35 ° C）

1000小时施加额定工作电压为105℃ ±2℃ ，然后稳定在20 ℃后，加入

电容器应满足以下限制。

耐力

静电容量变化

黄褐色

δ

直流漏电流

初始测量值的± 10％的

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

储存500小时，在60℃ ，90％后

2 ， 2.5 V.DC

+70, –20 %

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值的200％

＆ LT ;

最初的特定连接的ED值

4 V.DC

+60, –20 %

6.3 V.DC

+50, –20 %

82 μF至560 μF

SX

直流漏电流

耐湿性

的电容变化

初始measurd值

黄褐色

δ

直流漏电流

■

记号

■

尺寸以毫米（不按比例）

（单位：毫米）

-

+

H

帽。

极棒（正）

P

L

P

W1

W2

LOT号

W.V.代码

系列&

尺寸代码

SL

SX

L± 0.2 ± W1 W2 0.2 ±0.1

7.3

4.3

2.4

W2

H

1.8±0.1

1.9±0.2

P±0.3

1.3

½

科幻gure的外部是参考。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

00 2012年11月

- EEF - 7 -

SP -CAP /导电性高分子铝电容器（专用聚合物铝电容器）

■

低ESR产品

电容

系列&额定tance

W.V.

L

尺寸代码（ V.DC ）（ ± 20 ％）

(mm)

(F)

100

120

150

180

220

100

120

150

82

56

180

220

270

7.3

表壳尺寸

W

(mm)

4.3

特定网络阳离子

½2

½1

H

ESR

纹波

（毫米）电流

（ Ar.m.s. ）（ m以下。）

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.8

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

7

1.9

3.5

7

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

4.0

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.5

6

1.9

3.8

4.5

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

7

1.9

3.0

9

1.9

3.0

9

1.9

3.5

7

1.9

3.0

9

产品型号

：可用，

—

：无法使用

分钟。

包装

240 °C 260 °C

Q`ty

½3

（ PCS）的

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

½4

—

3500

再溢流条件

2

SL

2.5

4

6.3

330

2

390

470

560

150

180

SX

220

270

330

2.5

390

470

82

100

4

150

180

220

120

150

6.3

EEFSL0D101ER

EEFSL0D121ER

EEFSL0D151ER

EEFSL0D181ER

EEFSL0D221ER

EEFSL0E101ER

EEFSL0E121ER

EEFSL0E151ER

EEFSL0G820ER

EEFSL0J560R

½5

EEFSX0D181ER

EEFSX0D221ER

EEFSX0D271ER

EEFSX0D271XE

EEFSX0D271E4

EEFSX0D331ER

EEFSX0D331XE

EEFSX0D331E4

EEFSX0D391ER

EEFSX0D391XE

EEFSX0D391E4

EEFSX0D471ER

EEFSX0D471XE

EEFSX0D471E4

EEFSX0D561E4

EEFSX0E151ER

EEFSX0E181ER

EEFSX0E221ER

EEFSX0E221E7

EEFSX0E271E7

EEFSX0E331ER

EEFSX0E331XE

EEFSX0E331E4

EEFSX0E391ER

EEFSX0E391XE

EEFSX0E391E4

EEFSX0E471ER

EEFSX0E471XE

EEFSX0E471E4

EEFSX0G820ER

EEFSX0G101ER

EEFSX0G151ER

EEFSX0G151E7

EEFSX0G181ER

EEFSX0G221ER

EEFSX0J121E7

EEFSX0J151ER

＆ frac12 ; 1 ：

纹波电流（ 100千赫/ +20至+ 105 ° C），

＆ frac12 ; 2 ：

ESR（ 100千赫/ + 20℃）

＆ frac12 ; 3 ：

请参照“ Mouting特定网络阳离子”的页面。

＆ frac12 ; 4 ：

请使用高温无铅再溢流（ 260 ° C）的全新设计。

＆ frac12 ; 5 ：

在新设计的情况下，请与我们联系。

设计和特异性阳离子每个如有更改，恕不另行通知。要求工厂购买和/或使用前，目前的技术特定网络阳离子。

如果一个安全问题出现的有关本产品，请务必立即与我们联系。

00 2012年11月

- EEF - 8 -

TPS51916

www.ti.com

SLUSAE1D - 2010年12月 - 修订2012年6月

完整的DDR2， DDR3和DDR3L存储器功率解决方案同步降压

控制器， 2 -A LDO ，缓冲基准

1

特点

同步降压控制器（ VDDQ ）

- 转换电压范围： 3 V至28 V

- 输出电压范围： 0.7 V至1.8 V

– 0.8% V

REF

准确性

- 可选择的控制结构

- D- CAP 模式的快速瞬态

响应

- D- CAP2 模式的陶瓷输出

电容器

- 可选择300千赫/ 400千赫/ 500千赫/

670 kHz的开关频率

- 在轻重优化效率

负载时自动跳过功能

- 支持软关机在S4 / S5状态

- OCL / OVP / UVP / UVLO保护功能

- 电源良好输出

2 -A LDO （ VTT ），缓冲基准（ VTTREF ）

- 2 -A （峰值）库和源电流

- 需要陶瓷输出只有10 μF

电容

- 缓冲，低噪声， 10毫安VTTREF

产量

- 0.8 ％ VTTREF ， 20 mV的VTT精度

- 支持高-Z在S3和软关断S4 / S5

热关断

20引脚为3mm × 3mm时， QFN封装

描述

该TPS51916提供一个完整的电源

在DDR2 ， DDR3和DDR3L内存系统

最低的总成本和最小的空间。它集成了一个

同步降压型稳压器（ VDDQ ）与

2 -A汇/源追踪LDO （ VTT ）及缓冲的低

噪声基准（ VTTREF ）。该TPS51916采用

D- CAP 模式，再加上300千赫/ 400千赫

频率易用性和快速瞬态

反应或D- CAP2 模式加上较高

为500 kHz / 670 kHz的频率，支持陶瓷

无需外部补偿的输出电容器

电路。在VTTREF跟踪中出色的VDDQ / 2

0.8 ％的精度。在VTT ，它提供2 -A

汇/源极峰值电流能力，只需要

10 μF的陶瓷电容。此外，一个

专用LDO电源输入可用。

该TPS51916提供了丰富的实用功能以及

作为出色的电源性能。它支持

灵活的电源状态控制，将VTT高-Z在

S3和放电VDDQ ， VTT和VTTREF （软

关）在S4 / S5状态。与低端可编程OCL

MOSFET

DS （ ON）

传感， OVP / UVP / UVLO和

热关断保护功能也可提供。

该TPS51916采用20引脚可为3mm × 3

毫米QFN封装，规定的环境

温度从-40 ° C到85°C 。

VIN

5VIN

保护地

TPS51916

VBST 15

12 V5IN

17 S3

16 S5

DRVH 14

SW 13

DRVL 11

6

VREF

保护地10

PGOOD 20

8

REFIN

VDDQSNS

VLDOIN

7

GND

VTT

VTTSNS

VTTGND

VTTREF

9

2

3

1

4

5

VTTREF

VTT

POWERGOOD

2

VDDQ

S3

应用

DDR2 / DDR3 / DDR3L内存电源

SSTL_18 ， SSTL_15 ， SSTL_135和HSTL

终止

保护地

S5

19 MODE

18 TRIP

UDG-10193

AGND PGND

AGND

保护地

1

2

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

D- CAP ， D- CAP2是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TPS51916

SLUSAE1D - 2010年12月 - 修订2012年6月

www.ti.com

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

(1)

T

A

-40 ° C至85°C

(1)

包

塑料方形扁平封装（ QFN ）

订购设备

数

TPS51916RUKR

TPS51916RUKT

引脚

20

产量

供应

磁带和卷轴

迷你盘

最低

QUANTITY

3000

250

对于最新的封装和订购信息，请参阅

封装选项附录

在这个文件的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

价值

民

VBST

SW

输入电压范围

(2)

VLDOIN ， VDDQSNS ， REFIN

VTTSNS

保护地， VTTGND

V5IN ， S3 ， S5 ， TRIP ， MODE

DRVH

(3)

输出电压范围

(2)

VTTREF ， VREF

VTT

DRVL

PGOOD

结温范围，T

J

存储温度范围，T

英镑

(1)

(2)

(3)

–55

(3)

单位

最大

36

6

30

3.6

0.3

6

36

6

3.6

6

125

150

°C

V

–0.3

–5

–0.3

–5

–0.3

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只有与设备，在这些或超出任何其他条件的功能操作下，推荐工作指示

条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。

电压值是相对于于SW端子。

热信息

热公制

θ

JA

θ

JCtop

θ

JB

ψ

JT

ψ

JB

θ

JCbot

结至环境热阻

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

结至顶部的特征参数

结至电路板的特征参数

结至外壳（底部）热阻

TPS51916

QFN （ 20 ）引脚

94.1

58.1

64.3

31.8

58.0

5.9

° C / W

单位

2

提交文档反馈

TPS51916

www.ti.com

SLUSAE1D - 2010年12月 - 修订2012年6月

推荐工作条件

民

电源电压

V5IN

VBST

(1)

SW

输入电压范围

SW

(2)

VLDOIN ， VDDQSNS ， REFIN

VTTSNS

保护地， VTTGND

S3 ， S5 ， TRIP ， MODE

DRVH

输出电压范围

(1)

典型值

最大

5.5

33.5

5.5

28

3.5

0.1

5.5

33.5

5.5

33.5

3.5

5.5

85

单位

V

4.5

–0.1

-3

–4.5

–0.1

–3

–0.1

–4.5

–0.1

–40

V

DRVH

(2)

VTTREF ， VREF

VTT

DRVL

PGOOD

T

A

(1)

(2)

工作自由空气的温度

电压值是相对于于SW端子。

此电压应适用于重复周期的不到30％。

V

°C

提交文档反馈

3

TPS51916

SLUSAE1D - 2010年12月 - 修订2012年6月

www.ti.com

电气特性

在工作自由空气的温度范围内，V

V5IN

= 5V ， VLDOIN被连接到VDDQ输出V

模式

= 0 V, V

S3

= V

S5

= 5 V

（除非另有说明）

参数

电源电流

I

V5IN(S0)

I

V5IN(S3)

I

V5INSDN

I

VLDOIN(S0)

I

VLDOIN(S3)

I

VLDOINSDN

VREF输出

I

VREF

= 30

μA,

T

A

= 25°C

V

VREF

I

VREFOCL

V

VTTREF

V

VTTREF

I

VTTREFOCLSRC

I

VTTREFOCLSNK

I

VTTREFDIS

VTT输出

V

VTT

输出电压

|I

VTT

|

≤

10毫安， 1.2 V

≤

V

VDDQSNS

≤

1.8 V，I

VTTREF

= 0 A

V

VTTTOL

输出电压容差为VTTREF

|I

VTT

|

≤

1 A, 1.2

≤

V

VDDQSNS

≤

1.8 V，I

VTTREF

= 0 A

|I

VTT

|

≤

2 A， 1.4 V

≤

V

VDDQSNS

≤

1.8 V，I

VTTREF

= 0 A

|I

VTT

|

≤

1.5 A ， 1.2 V

≤

V

VDDQSNS

≤

1.4 V，I

VTTREF

= 0 A

I

VTTOCLSRC

I

VTTOCLSNK

I

VTTLK

I

VTTSNSBIAS

I

VTTSNSLK

I

VTTDIS

VDDQ输出

V

VDDQSNS

V

VDDQSNSTOL

I

VDDQSNS

I

REFIN

I

VDDQDIS

I

VLDOINDIS

VDDQ电压感

VDDQSNS调节电压

耐受REFIN

VDDQSNS输入电流

REFIN输入电流

VDDQ放电电流

VLDOIN放电电流

T

A

= 25°C

V

VDDQSNS

= 1.8 V

V

REFIN

= 1.8 V

V

S3

= V

S5

= 0 V, V

VDDQSNS

= 0.5 V ， MODE引脚拉高

通过47千欧姆降低到GND （不跟踪）

V

S3

= V

S5

= 0 V, V

VDDQSNS

= 0.5 V ， MODE引脚拉高

通过100kΩ的下降到GND （不跟踪）

–0.1

–3

39

0.0

12

1.2

0.1

V

REFIN

3

mV

μA

mA

A

源电流限制

灌电流限制

漏电流

VTTSNS输入偏置电流

VTTSNS漏电流

VTT放电电流

V

VDDQSNS

= 1.8 V, V

VTT

= V

VTTSNS

= 0.7 V，I

VTTREF

= 0 A

V

VDDQSNS

= 1.8V, V

VTT

= V

VTTSNS

= 1.1 V，I

VTTREF

= 0 A

T

A

= 25 ° C，V

S3

= 0 V, V

S5

= 5 V, V

VTT

= V

VTTREF

V

S3

= 5 V, V

S5

= 5 V, V

VTTSNS

= V

VTTREF

V

S3

= 0 V, V

S5

= 5 V, V

VTTSNS

= V

VTTREF

T

A

= 25 ° C，V

S3

= V

S5

= 0 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V,

V

VTT

= 0.5 V，I

VTTREF

= 0 A

–0.5

–1

0.0

0

7.8

–20

–30

–40

2

3

5

0.5

1

mA

μA

V

VTTREF

20

30

40

A

mV

V

输出电压

0

μA ≤

I

VREF

<300

μA,

T

A

= -10 ° C至85°C

0

μA ≤

I

VREF

<300

μA,

T

A

= -40 ° C至85°C

电流限制

V

VREF

= 1.7 V

VTTREF输出

输出电压

输出电压容差为V

VDDQ

源电流限制

灌电流限制

VTTREF放电电流

|I

VTTREF

| <100

μA,

1.2 V

≤

V

VDDQSNS

≤

1.8 V

|I

VTTREF

| <10毫安， 1.2 V

≤

V

VDDQSNS

≤

1.8 V

V

VDDQSNS

= 1.8 V, V

VTTREF

= 0 V

V

VDDQSNS

= 1.8 V, V

VTTREF

= 1.8 V

T

A

= 25 ° C，V

S3

= V

S5

= 0 V, V

VTTREF

= 0.5 V

49.2%

49%

10

0.8

18

17

1.3

V

VDDQSNS

/2

50.8%

51%

mA

V

1.7856

1.7820

0.4

0.8

1.8000

1.8144

1.8180

mA

V

V5IN电源电流，在S0

V5IN电源电流，在S3中

V5IN关断电流

VLDOIN电源电流，在S0

VLDOIN电源电流，在S3中

VLDOIN关断电流

T

A

= 25 ° C，无负载，V

S3

= V

S5

= 5 V

T

A

= 25 ° C，无负载，V

S3

= 0 V, V

S5

= 5 V

T

A

= 25 ° C，无负载，V

S3

= V

S5

= 0 V

T

A

= 25 ° C，无负载，V

S3

= V

S5

= 5 V

T

A

= 25 ° C，无负载，V

S3

= 0 V, V

S5

= 5 V

T

A

= 25 ° C，无负载，V

S3

= V

S5

= 0 V

590

500

1

5

μA

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关模式电源（ SMPS ）频率

V

IN

= 12 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V ，R

模式

= 100 kΩ

f

SW

VDDQ开关频率

V

IN

= 12 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V ，R

模式

= 200 kΩ

V

IN

= 12 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V ，R

模式

= 1 kΩ

V

IN

= 12 V, V

VDDQSNS

= 1.8 V ，R

模式

= 12 kΩ

t

开（分钟）

t

关（ MIN）的

最小导通时间

最小关断时间

DRVH上升到下降

DRVH下降至上升

(1)

300

400

500

670

60

200

320

450

ns

千赫

(1)

由设计保证。未经生产测试。

4

提交文档反馈

TPS51916

www.ti.com

SLUSAE1D - 2010年12月 - 修订2012年6月

电气特性（续）

在工作自由空气的温度范围内，V

V5IN

= 5V ， VLDOIN被连接到VDDQ输出V

模式

= 0 V, V

S3

= V

S5

= 5 V

（除非另有说明）

参数

VDDQ MOSFET驱动器

R

DRVH

R

DRVL

t

DEAD

DRVH性

资料来源，我

DRVH

= -50毫安

水槽，我

DRVH

= 50毫安

资料来源，我

DRVL

= -50毫安

水槽，我

DRVL

= 50毫安

DRVH客来DRVL上

DRVL客来DRVH上

1.6

0.6

0.9

0.5

10

20

3.0

1.5

2.0

1.2

ns

Ω

测试条件

民

典型值

最大

单位

DRVL性

死区时间

内部自举SW

V

FBST

I

VBSTLK

I

模式

正向电压

VBST泄漏电流

V

V5IN-VBST

, T

A

= 25 ° C，I

F

= 10毫安

T

A

= 25 ° C，V

VBST

= 33 V, V

SW

= 28 V

14

MODE 0-1

MODE 1-2

MODE 2-3

V

THMODE

模式阈值电压

模式3-4

MODE 4-5

MODE 5-6

MODE 6-7

V

IL

V

IH

V

IHYST

I

ILK

软启动

t

SS

VDDQ软启动时间

内部软启动时间，C

VREF

= 0.1

μF,

S5上升到V

VDDQSNS

> 0.99 ×V

REFIN

PGOOD从高

V

THPG

VDDQ PGOOD门槛

PGOOD在从下

PGOOD出更高

PGOOD出降低

I

PG

t

PGDLY

t

PGSSDLY

PGOOD灌电流

PGOOD延迟时间

PGOOD启动延时

V

PGOOD

= 0.5 V

延迟的PGOOD

延迟PGOOD出来，与100毫伏以上的驱动器

C

VREF

= 0.1

μF,

S5上升到PGOOD上升

106%

90%

114%

82%

3

0.8

1.1

ms

S3 / S5的低电平电压

S3 / S5的高电平电压

S3 / S5滞后电压

S3 / S5输入漏电流

–1

1.8

0.25

0

1

μA

109

235

392

580

829

1202

1760

0.1

0.01

0.2

1.5

V

μA

逻辑阈值

MODE源电流

15

129

255

412

600

854

1232

1800

16

149

275

432

620

879

1262

1840

0.5

V

mV

μA

PGOOD比较器

108%

92%

116%

84%

5.9

1

330

2.5

1.2

110%

94%

118%

86%

mA

ms

ns

ms

提交文档反馈

5