高磁导率磁芯，绕芯， EE8核心， EE11磁芯， EE10磁芯， EE12 ， EE13 ， EE5 ， EE6 ， EE16A ，
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EE核心
引进高磁导率磁芯 - EE核心
宇翔开发很宽的温度范围内，高磁导率芯，如EE8芯， EE11磁芯， EE10磁芯，
EE12 ， EE13 ， EE5 ， EE6 ， EE16A ， EE16B ， EE16C ， EE16D ， EEL19A ， EEL25 ， EE19B ， EE19C ， EE20A ， EE22 ， EE25A ，
EE25.4 ， EE25F和EE35A核心，通过利用我们的铁氧体材料的充分利用，如高磁导率磁芯
和绕组磁芯，经验和精确的生产过程控制技术。该涂料具有
所用的室外装置用于脉冲变压器的设计等最佳特性
通信设备需要维护的特点降至低温。
高磁导率磁芯的优势 - EE核心：
高磁导率EE核心得到了具有高磁导率材料的良好的低PC的热度高
频域，高电阻率，经营范围广frequencies--合适的频率范围
铁氧体磁芯运行在1kHz至1GHz 。 ，低损耗结合高渗透性，时间和温度
稳定，大型材料的选择，磁芯形状，成本低，重量轻的多功能性。
高磁导率磁芯--EE内核中的应用
高磁导率磁芯， EE核心一样EE8核心， EE11磁芯， EE10磁芯， EE12 ， EE13 ， EE5 ， EE6 ， EE16A可以使用
用于电信，脉冲变压器，宽带变压器，滤波器，和诱导米。
TYPE
EE5
EE6
EE8
EE8A
EE10
EE10A
EE11
EE12
EE13
EE13A
EE13B
EE16A
EE16B
EE16C
EE16D
EEL19
EEL25.4
EE19A
EE19B
EE19C
EE20A
EE22
EE25A
EE25.4
EE25F
EE35A
A
5.25±0.05
6.10±0.2
8.3±0.3
8.30±0.2
10.2±0.3
10.00±0.3
11.0±0.3
12.2±0.3
13.0±0.3
13.0±0.4
12.9±0.3
16.4±0.4
16.0±0.4
16.0±0.3
16.1±0.6
19.0±0.3
25.4±0.4
19.0±0.4
19.0±0.4
19.1±0.3
20.5±0.7
22.0±0.4
25.6±0.5
25.4±0.75
25.0±0.4
35.0±0.6
B
2.65±0.05
2.85±0.05
4.0±0.2
4.00±0.10
5.5±0.2
5.4±0.2
5.5±0.25
5.2
+0.3
-0.1
外形尺寸（mm ）
C
D
1.95±0.05
1.35±0.05
7.95±0.05
1.35±0.05
3.9±0.2
3.60±0.2
4.8±0.2
4.65±0.25
5.0±0.25
4.0
+0.1
-0.3
E
3.85Ref
3.70±0.1
6.0
6.0
7.5
7.0min
8.0min
8.8min
9.8min
10.2±0.3
8.5min
11.7min
11.7min
10.0±0.3
12.0±0.3
14.0±0.3
18.6±0.3
13.7
13.5
14.0min
14.0min
17.0米在
18.8min
18.7min
18.6±0.3
24.8
F
2.0Ref
1.90±0.05
3.0
+0.2
-0.1
2.0
+0
-0.3
1.85±0.15
2.5±0.2
2.4±0.2
2.4±0.2
3.2
+0.1
-0.2
+0
-0.4
3.0±0.1
4.3±0.2
4.2±0.2
4.2±0.2
3.6±0.2
4.6
6.0±0.2
6.0±0.15
5.0±0.3
7.3±0.3
12.4±0.3
7.2±0.1
8.05±0.15
13.65±0.25
10.00±0.4
8.0±0.3
13.6±0.3
8.0±0.3
10.7±0.3
10.0
+0.6
-0
5.9±0.3
5.9±0.2
6.0±0.3
5.0
+0
5.1
-0.5
+0
-0.4
2.8
+0.3
-0.1
2.6±0.2
2.85±0.15
4.0±0.2
4.0±0.2
3.8±0.2
4.55±0.15
4.85±0.25
6.35±0.3
5.0
5.1
+0
-0.5
+0
-0.5
4.6±0.1
3.65±0.15
5.2
+0.3
-0.1
10.4±0.3
5.2±0.25
5.9±0.2
11 .4±0.25
12.7±0.3
5.6
+0.4
-0.1
4.8±0.2
4.5±0.2
4.85±0.25
6.35±0.3
5.0
+0.1
-0.5
+0
-0.5
5.1
11.3±0.3
5.7±0.2
7.0±0.3
7.5
+0.4
-0
4.8±0.3
7.0±0.4
5.5±0.3
4.8±0.3
5.0±0.4
4.0±0.2
10.0±0.3
15.85±0.3
10.0±0.2
14.6±0.3
6.35±0.3
6.30±0.3
6.55±0.3
9.2±0.3
6.35±0.3
6.50±0.2
6.55±0.3
9.4±0.3
6.8±0.25
6.60±0.40
6.8±0.15
9.8±0.3
2007年6月12日下午4点52分53秒
高磁导率磁芯，绕芯， EE8核心， EE11磁芯， EE10磁芯， EE12 ， EE13 ， EE5 ， EE6 ， EE16A ，
EE25F
25.0±0.4
10.0±0.2
6.55±0.3
6.55±0.3
EE35A
35.0±0.6
14.6±0.3
9.2±0.3
9.4±0.3
核心参数
Ae
C1
Ie
-1
2
(mm)
(mm ) (mm )
4.78
2.63
12.6
3.70
3.31
12.2
2.4
8.0
19.2
2.75
7.0
19.2
2.2
12.1
26.1
2.46
10.6
26.1
2.21
12.3
27.2
3.0
7.92
23.2
1.7
17.0
30.3
1.88
16.0
30.3
2.18
13.8
30.1
1.82
19.2
35.0
2.84
19.4
55.0
1.92
18.4
35.5
1.93
19.5
37.7
2.65
23.4
62.1
1.82
40.4
73.4
1.68
23.3
39.2
2.64
23.4
61.7
1.74
22.8
39.6
1.2
38.7
47.1
1.23
40.3
49.7
1.21
39.0
47.1
1.08
44.5
47.9
1.17
42.2
49.4
0.85
90.34
69.5
EE25.4
25.4±0.75
15.85±0.3
6.30±0.3
6.50±0.2
18.7min
18.6±0.3
24.8
A
L
（NH / N ）
6.60±0.40
6.8±0.15
9.8±0.3
第2页
TYPE
EE5
EE6
EE8
EE8A
EE10
EE10A
EE11
EE12
EE13
EE13A
EE13B
EE16A
EE16B
EE16C
EE16D
EEL19
EEL25.4
EE19A
EE19B
EE19C
EE22
EE25A
EE20A
EE25.4
EE25F
EE35A
Ve
(mm )
33.1
40.4
153.2
134
315
276
334
182.9
517.0
487
416
672.0
1067
655
737
1450
2963
914.2
1443
903
1825
2003
1840
2130
2080
6276.3
3
重（g / PR ）。
0.16
0.24
1.0
0.7
1.8
1.6
1.7
3.8
3.6
2.4
2.7
4.0
6.2
3.2
3.7
7.2
15.0
4.8
7.1
4.6
9.0
10
9.9
10.9
10
31
F5(±25%)
450
600
900
F7(±25%)
530
760
850min
1100
1125min
870分钟
970min
1400分钟
1600分钟
2200
1000
2000分
1800分钟
2300
2600
2050
2500
2400分钟
1750分钟
1730min
2400min
4000min
2340min
2630min
4450
5600min
F10(±25%)
950min
1275min
1275分钟
1520分钟
1688min
2100min
3100min
1750
3500分钟
2600分钟
1900
2000
1550
3600分钟
2450分钟
3800分钟
5600分钟
3550
7500min
A
L
： 1kHz时， 0.5毫安， 100TS
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2007年6月12日下午4点52分53秒
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