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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第797页 > EDX5116ADSE-3C-E
数据表
512M比特XDR
DRAM
EDX5116ADSE （ 32M字
×
16比特）
概观
该EDX5116ADSE是512M比特XDR
DRAM举办
为32M的话
×
16位。它是一个通用的高性
适用于广泛的用途曼斯存储装置
应用程序。
利用差分RAMBUS信号级（ DRSL ）的技
术允许在使用三千二分之四千Mb / s的传输速率
传统的系统和电路板设计技术。 XDR
DRAM设备能够持续的数据传输
6400分之8000 MB /秒。
XDR DRAM装置结构允许的最高持续
带宽多，随机交错处理的MEM
ORY交易。超过95％的高效率的协议收益率
利用率，同时使细颗粒度的访问。该设备的
八家银行支持最多四个交错的交易。
它被包装在与Rambus的104球FBGA兼容
XDR DRAM引脚配置。
低功耗
1.8V的Vdd
可编程的小摆幅I / O信号（ DRSL ）
低功耗PLL / DLL的设计
掉电自刷新支持
每个引脚的I / O断电的窄幅运行
引脚配置
L
1
DQN3
DQN9
VDD
GND
VDD
K
J
H
G
F
ROW
E
GND
D
VDD
C
SDI
B
A
2
DQ3
1
DQ9
VDD
DQN15
DQ15
2
3
CFM
4
5
6
GND
7
DQN8 DQN2
DQ8
DQ2
3
4
5
6
7
8
P
DQ5
DQN5
DQN5 VDD RQ10
RSRV
RSRV
VDD
DQN7 RQ0 DQN4
DQ7
RQ4
DQN14
VTERM GND
GND DQ4
RQ3
DQN3 VTERM VDD
DQ3
DQ14
VDD
GND
N
GND GND RQ11
VDD
DQ5
CFMN
DQ1
DQN1
VDD VTERM
GND
GND
VDD
VDD
VREF
GND
VDD
VTERM
RQ10GND
RQ8
RQ6
RQ4
RQ2
RQ0 GND
VDD
GND
VDD
RQ7
RQ6
GND
GND
M
VDD
L
K
J
GND
VDD
RQ11
VDD
RQ9
RQ7
CFMN
RQ5
GND GND
VDD
GND
CFM
GND
COLUMN
9
10
H
G
F
E
D
C
B
A
特点
最高引脚可用带宽
三千二分之四千Mb / s的八通道数据速率（ ODR ）信令
双向差分RSL （ DRSL ）
- 灵活的读/写带宽分配
- 最少引脚数
片上端接
-Adaptive阻抗匹配
- 减少了系统成本和复杂性路由
每个DRAM器件的最高持续带宽
6400分之8000 MB / s的持续数据传输率
八家银行：全行交错交易
带宽
动态请求调度
早期阅读后写支持，以实现最高效率
零刷新占用
动态宽度控制
EDX5116ADSE支持
×
16,
×
8
×
4模式
低延迟
2.0 / 2.5 ns的请求数据包
点至点的最快的数据互连
飞行时间
支持低等待时间，快速循环芯
11
12
13
14
15
16
GND
VDD
GND
RQ3
VDD
RQ1
VDD
VTERM GND
GND
GND
GND
VDD
GND
RST
GND GND
SD0
CMD
RQ9
DQN13 VDD
DQ0
DQN0
DQ13 CMD
RQ8
DQN7
DQ7
VREF
RQ5
SCK
RQ1
SD1
VDD DQN12 DQN6
DQ6
DQN2
DG2
RQ2
GND DQ12
VTERM
GND
VDD
DQN11 DQN1 SCK
DQ11
DQ4
DQN4
GND
DQ1
VDD
VDD
GND
GND
RST DQN0 DQN10
DQ10
DQN6
DQ6
VDD
SDO
DQ0
A16
A8
包顶视图
文档。第E1033E40 （版本4.0 ）
发布日期
九月
2009年（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
尔必达内存公司
2007-2009
EDX5116ADSE
订购信息
产品型号
EDX5116ADSE-4D-E
EDX5116ADSE-3C-E
EDX5116ADSE-3B-E
EDX5116ADSE-3A-E
组织
4M
×
16
×
8银行
带宽（ 1 /太比特） *
1
潜伏期（ TRAC ） *
2
4.0G
3.2G
3.2G
3.2G
34
35
35
27
箱子
D
C
B
A
包
104球FBGA
注： 1 。以Mbit / s的DQ差分对测得的数据速率。需要注意的是太比特= T
周期
/8
2.读取访问时间t
RAC
(= t
RCD -R
+
t
CAC
）测量纳秒。
产品型号
E D X 51 16 A D SE - 4D - é
尔必达内存
TYPE
D：单片器件
产品系列
X： XDR DRAM
密度
51 ： 512M （X 16位）
组织
16 ： x16bit
电源，接口
答： 1.8V ， DRSL
环境法规
E：无铅
（符合RoHS ）
速度
4D ： 4.0G （ TRAC = 34 ，D斌）
3C ： 3.2G （ TRAC = 35 ，C斌）
3B ： 3.2G （ TRAC = 35 ，B斌）
3A ： 3.2G （ TRAC = 27 ，A斌）
包
SE ： FBGA
牧师死亡
数据表E1033E40 （版本4.0 ）
2
EDX5116ADSE
概述
在图1中的时序图说明的XDR DRAM设备
写入和读取数据。有三组引脚的使用
正常的内存访问数据： CFM / CFMN时钟
销， RQ11..0请求引脚和DQ15..0 / DQN15..0数据引脚。
第“N ”追加到一个信号名称表示的互为
差分对的tary信号。
A
交易
被包的集合，需要完成一个
存储器存取。一
包
是对信号的一组比特窗
的公交车。有两辆公交车携带的包：在RQ公交车
和DQ总线。该RQ总线上的每个数据包使用一组2比特
窗口上的每个信号，而DQ总线使用一组16比特的
窗户上的每个信号。
在图1中，一个请求分组（在所示的写事务处理
该RQ总线） ，在时钟边沿牛逼
0
包含激活（ ACT ）的COM
图1
XDR DRAM器件的写入和读取交易
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
ACT WR
a0
a1
WR
a2
命令。这导致银行的Ba行镭在存储器康波
新界东北加载到读出放大器阵列，用于银行。一
在时钟边沿T秒请求包
1
包含一个写（ WR ）
命令。这会导致数据分组D（ a1）的在边缘
4
要
写入读出放大器阵列银行巴列Ca1的。一
在时钟边沿牛逼第三个请求包
3
包含另一个写
（WR）命令。这会导致数据分组D（ a2）中，在边缘
6
可也被写入列钙。在最后一个请求数据包
时钟边沿牛逼
14
包含一个预充电（PRE）命令。
请求数据包之间的间隔被约束
图中下面的时序参数：t
RCD -W
, t
CC
,
和T
WRP
。此外，该请求数据包之间的间隔
和数据包通过T约束
CWD
参数。该
该CFM / CFMN时钟的间隔边缘被约束
t
周期
.
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
t
DQ15..0
RCD -W
DQN15..0
t
CC
t
CWD
D(a1)
D(a2)
t
WRP
PRE
a3
t
周期
交易中：
WR
A0 = {钡，镭}
A1 = { BA， Ca1的}
A2 = {钡，钙}
A3 = { }霸
写事务
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
法案
a0
RD
a1
RD
a2
PRE
a3
Q(a1)
Q(a2)
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
t
周期
t
RCD -R
t
CC
t
RDP
t
CAC
交易中：
RD
A0 = {钡，镭}
A1 = { BA， Ca1的}
A2 = {钡，钙}
A3 = { }霸
读事务
读出的交易显示了在时钟边沿T A请求数据包
0
包含ACT命令。这将导致银行的Ba行RA
存储器组件的加载到读出放大器阵列，用于
该银行。在时钟边沿T A第二个请求包
5
包含
读（ RD ）命令。这导致在边缘数据包Q（ a1）的
T
11
可以从读出放大器阵列的列Ca1的用于读
银行巴。在时钟边沿T A第三个请求包
7
包含
另外RD命令。这使得在数据包Q（ a2）的
边牛逼
13
也可以从塔的Ca2读取。最后的请求
在时钟边沿牛逼包
10
包含PRE命令。该spac-
请求数据包之间的英格斯是由后续的约束
荷兰国际集团图中的时序参数：t
RCD -R
, t
CC
和叔
RDP
.
此外，该请求包和数据包之间的间隔
通过将n被约束
CAC
参数。
数据表E1033E40 （版本4.0 ）
3
EDX5116ADSE
目录
概述................................................. ...................... 1
功能................................................. ....................... 1
引脚配置................................................ ......... 1
订购信息................................................ ... 2
型号................................................ ................. 2
概述................................................ ...... 3
目录............................................... .......... 4
引脚说明................................................ ............. 7
框图................................................ .............. 8
请求包................................................ ......... 10
REQUEST报文格式............................................... .. 10
请求字段编码............................................... ... 12
Request报文交互........................................... 14
更多互动案例.............................................. 15
动态请求调度........................................ 20
内存操作................................................ .... 22
写事务................................................ .......... 22
读事务................................................ ........... 24
交错的交易................................................ 26
读/写交互.............................................. .... 28
传播延迟................................................ ........... 28
寄存器操作................................................ .... 32
串行事务................................................ ........... 32
串行写入事务............................................... .. 32
串行读事务............................................... ... 32
注册摘要................................................ ............ 34
维护操作............................................ 40
刷新交易................................................ ....... 40
交错刷新交易.................................. 40
校准交易................................................ 。 42
...............................................电源状态管理44
初始化................................................. ..................... 46
XDR DRAM初始化概述.......................... 47
XDR DRAM装载模式与WDSL注册............. 48
特殊功能说明....................................... 50
动态宽度控制............................................... 50 ..
写屏蔽................................................ .................. 52
多行集和ERAW功能................ 54
同时激活................................................ 。 56
同时预充电................................................ 57
工作条件................................................ 58
电气条件................................................ ....... 58
时序条件................................................ .......... 59
工作特性.......................................... 60
电气特性................................................ 60
电源电流简介............................................... ..... 61
时序特性................................................ .... 62
时序参数................................................ .......... 62
接收/发送时序......................................... 64
时钟................................................. ........................... 64
RSL RQ接收时序.............................................. 65 ..
DRSL DQ接收时序............................................ 66
DRSL DQ发送定时......................................... 68
串行接口接收时序..................................... 70
串行接口发送时序.................................. 71
包装说明................................................ .. 72
封装寄生摘要............................................ 72
封装图................................................ ............ 74
封装引脚编号............................................... 75 ..
推荐焊接条件....................... 76
数据表E1033E40 （版本4.0 ）
4
EDX5116ADSE
表格清单
引脚说明................................................ ............. 7
请求字段说明.......................................... 10
OP字段编码摘要.................................... 12
ROP域编码摘要.................................. 12
POP域编码摘要.................................. 13
XOP域编码摘要.................................. 13
报文交互摘要...................................... 14
SCMD域编码摘要............................... 32
初始化时序参数.............................. 47
XDR DRAM WDSL到核心/ DQ / SC地图............... 48
核心数据字到WDSL格式............................ 49
电气条件................................................ .. 58
时序条件................................................ ..... 59
电气特性........................................... 60
电源电流简介............................................... ..61
时序特性............................................... 62
时序参数................................................ .... 62
封装寄生摘要........................................ 72
数据表E1033E40 （版本4.0 ）
5
数据表
512M比特XDR
DRAM
EDX5116ADSE （ 32M字
×
16比特）
概观
该EDX5116ADSE是512M比特XDR
DRAM举办
为32M的话
×
16位。它是一个通用的高性
适用于广泛的用途曼斯存储装置
应用程序。
利用差分RAMBUS信号级（ DRSL ）的技
术允许在使用三千二分之四千Mb / s的传输速率
传统的系统和电路板设计技术。 XDR
DRAM设备能够持续的数据传输
6400分之8000 MB /秒。
XDR DRAM装置结构允许的最高持续
带宽多，随机交错处理的MEM
ORY交易。超过95％的高效率的协议收益率
利用率，同时使细颗粒度的访问。该设备的
八家银行支持最多四个交错的交易。
它被包装在与Rambus的104球FBGA兼容
XDR DRAM引脚配置。
低功耗
1.8V的Vdd
可编程的小摆幅I / O信号（ DRSL ）
低功耗PLL / DLL的设计
掉电自刷新支持
每个引脚的I / O断电的窄幅运行
引脚配置
L
1
DQN3
DQN9
K
J
VDD
VDD
H
GND
G
VDD
F
ROW
E
GND
D
VDD
C
SDI
GND
B
A
2
DQ3
1
2
3
4
5
6
7
DQN8 DQN2
DQ8
DQ2
DQ9
3
4
5
6
7
8
DQN15
DQ15
P
DQ5
DQN5
DQN5 VDD RQ10
CFM
RSRV
RSRV
VDD
DQN7 RQ0 DQN4
DQ7
RQ4
DQN14
VTERM GND
GND DQ4
RQ3
DQN3 VTERM VDD
DQ3
DQ14
VDD
GND
N
GND
VDD
DQ5 GND RQ11 CFMN
DQ1
DQN1
VDD VTERM
GND
GND
VDD
VDD
VREF
GND
VDD
VTERM
RQ10GND
RQ8
RQ6
RQ4
RQ2
RQ0 GND
VDD
GND
VDD
RQ7
RQ6
GND
GND
M
VDD
L
K
J
GND
VDD
RQ11
VDD
RQ9
RQ7
CFMN
RQ5
GND GND
VDD
GND
CFM
GND
COLUMN
9
10
H
G
F
E
D
C
B
A
特点
最高引脚可用带宽
三千二分之四千Mb / s的八通道数据速率（ ODR ）信令
双向差分RSL （ DRSL ）
- 灵活的读/写带宽分配
- 最少引脚数
片上端接
-Adaptive阻抗匹配
- 减少了系统成本和复杂性路由
每个DRAM器件的最高持续带宽
6400分之8000 MB / s的持续数据传输率
八家银行：全行交错交易
带宽
动态请求调度
早期阅读后写支持，以实现最高效率
零刷新占用
动态宽度控制
EDX5116ADSE支持
×
16,
×
8
×
4模式
低延迟
2.0 / 2.5 ns的请求数据包
点至点的最快的数据互连
飞行时间
支持低等待时间，快速循环芯
11
12
13
14
15
16
GND
VDD
GND
RQ3
VDD
RQ1
VDD
VTERM GND
GND
GND GND
VDD
GND
RST
GND GND
SD0
CMD
RQ9
DQN13 VDD
DQ0
DQN0
DQ13 CMD
RQ8
DQN7
DQ7
VREF
RQ5
SCK
RQ1
SD1
VDD DQN12 DQN6
DQ6
DQN2
DG2
RQ2
GND DQ12
VTERM
GND
VDD
DQN11 DQN1 SCK
DQ11
DQ4
DQN4
GND
DQ1
VDD
VDD
GND
GND
RST DQN0 DQN10
DQ10
DQN6
DQ6
VDD
SDO
DQ0
A16
A8
包顶视图
文档。第E1033E30 （版本3.0 ）
发布日期2007年9月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
尔必达内存公司
2007
EDX5116ADSE
订购信息
产品型号
EDX5116ADSE-4D-E
EDX5116ADSE-3C-E
EDX5116ADSE-3B-E
EDX5116ADSE-3A-E
组织
4M
×
16
×
8银行
带宽（ 1 /太比特） *
1
潜伏期（ TRAC ） *
2
4.0G
3.2G
3.2G
3.2G
34
35
35
27
箱子
D
C
B
A
包
104球FBGA
注： 1 。以Mbit / s的DQ差分对测得的数据速率。需要注意的是太比特= T
周期
/8
2.读取访问时间t
RAC
(= t
RCD -R
+
t
CAC
）测量纳秒。
产品型号
E D X 51 16 A D SE - 4D - é
尔必达内存
TYPE
D：单片器件
产品系列
X： XDR DRAM
密度
51 ： 512M （X 16位）
组织
16 ： x16bit
电源，接口
答： 1.8V ， DRSL
环境法规
E：无铅
（符合RoHS ）
速度
4D ： 4.0G （ TRAC = 34 ，D斌）
3C ： 3.2G （ TRAC = 35 ，C斌）
3B ： 3.2G （ TRAC = 35 ，B斌）
3A ： 3.2G （ TRAC = 27 ，A斌）
包
SE ： FBGA
牧师死亡
数据表E1033E30 （版本3.0 ）
2
EDX5116ADSE
概述
在图1中的时序图说明的XDR DRAM设备
写入和读取数据。有三组引脚的使用
正常的内存访问数据： CFM / CFMN时钟
销， RQ11..0请求引脚和DQ15..0 / DQN15..0数据引脚。
第“N ”追加到一个信号名称表示的互为
差分对的tary信号。
A
交易
被包的集合，需要完成一个
存储器存取。一
包
是对信号的一组比特窗
的公交车。有两辆公交车携带的包：在RQ公交车
和DQ总线。该RQ总线上的每个数据包使用一组2比特
窗口上的每个信号，而DQ总线使用一组16比特的
窗户上的每个信号。
在图1中，一个请求分组（在所示的写事务处理
该RQ总线） ，在时钟边沿牛逼
0
包含激活（ ACT ）的COM
图1
XDR DRAM器件的写入和读取交易
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
ACT WR
a0
a1
WR
a2
命令。这导致银行的Ba行镭在存储器康波
新界东北加载到读出放大器阵列，用于银行。一
在时钟边沿T秒请求包
1
包含一个写（ WR ）
命令。这会导致数据分组D（ a1）的在边缘
4
要
写入读出放大器阵列银行巴列Ca1的。一
在时钟边沿牛逼第三个请求包
3
包含另一个写
（WR）命令。这会导致数据分组D（ a2）中，在边缘
6
可也被写入列钙。在最后一个请求数据包
时钟边沿牛逼
14
包含一个预充电（PRE）命令。
请求数据包之间的间隔被约束
图中下面的时序参数：t
RCD -W
, t
CC
,
和T
WRP
。此外，该请求数据包之间的间隔
和数据包通过T约束
CWD
参数。该
该CFM / CFMN时钟的间隔边缘被约束
t
周期
.
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
t
DQ15..0
RCD -W
DQN15..0
t
CC
t
CWD
D(a1)
D(a2)
t
WRP
PRE
a3
t
周期
交易中：
WR
A0 = {钡，镭}
A1 = { BA， Ca1的}
A2 = {钡，钙}
A3 = { }霸
写事务
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
法案
a0
RD
a1
RD
a2
PRE
a3
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
t
周期
Q(a1)
Q(a2)
t
RCD -R
t
CC
t
RDP
t
CAC
交易中：
RD
A0 = {钡，镭}
A1 = { BA， Ca1的}
A2 = {钡，钙}
A3 = { }霸
读事务
读出的交易显示了在时钟边沿T A请求数据包
0
包含ACT命令。这将导致银行的Ba行RA
存储器组件的加载到读出放大器阵列，用于
该银行。在时钟边沿T A第二个请求包
5
包含
读（ RD ）命令。这导致在边缘数据包Q（ a1）的
T
11
可以从读出放大器阵列的列Ca1的用于读
银行巴。在时钟边沿T A第三个请求包
7
包含
另外RD命令。这使得在数据包Q（ a2）的
边牛逼
13
也可以从塔的Ca2读取。最后的请求
在时钟边沿牛逼包
10
包含PRE命令。该spac-
请求数据包之间的英格斯是由后续的约束
荷兰国际集团图中的时序参数：t
RCD -R
, t
CC
和叔
RDP
.
此外，该请求包和数据包之间的间隔
通过将n被约束
CAC
参数。
数据表E1033E30 （版本3.0 ）
3
EDX5116ADSE
目录
概述................................................. ...................... 1
功能................................................. ....................... 1
引脚配置................................................ ......... 1
订购信息................................................ ... 2
型号................................................ ................. 2
概述................................................ ...... 3
目录............................................... .......... 4
引脚说明................................................ ............. 7
框图................................................ .............. 8
请求包................................................ ......... 10
REQUEST报文格式............................................... .. 10
请求字段编码............................................... ... 12
Request报文交互........................................... 14
更多互动案例.............................................. 15
动态请求调度........................................ 20
内存操作................................................ .... 22
写事务................................................ .......... 22
读事务................................................ ........... 24
交错的交易................................................ 26
读/写交互.............................................. .... 28
传播延迟................................................ ........... 28
寄存器操作................................................ .... 32
串行事务................................................ ........... 32
串行写入事务............................................... .. 32
串行读事务............................................... ... 32
注册摘要................................................ ............ 34
维护操作............................................ 40
刷新交易................................................ ....... 40
交错刷新交易.................................. 40
校准交易................................................ 。 42
...............................................电源状态管理44
初始化................................................. ..................... 46
XDR DRAM初始化概述.......................... 47
XDR DRAM装载模式与WDSL注册............. 48
特殊功能说明....................................... 50
动态宽度控制............................................... 50 ..
写屏蔽................................................ .................. 52
多行集和ERAW功能................ 54
同时激活................................................ 。 56
同时预充电................................................ 57
工作条件................................................ 58
电气条件................................................ ....... 58
时序条件................................................ .......... 59
工作特性.......................................... 60
电气特性................................................ 60
电源电流简介............................................... ..... 61
时序特性................................................ .... 62
时序参数................................................ .......... 62
接收/发送时序......................................... 64
时钟................................................. ........................... 64
RSL RQ接收时序.............................................. 65 ..
DRSL DQ接收时序............................................ 66
DRSL DQ发送定时......................................... 68
串行接口接收时序..................................... 70
串行接口发送时序.................................. 71
包装说明................................................ .. 72
封装寄生摘要............................................ 72
封装图................................................ ............ 74
封装引脚编号............................................... 75 ..
推荐焊接条件....................... 76
数据表E1033E30 （版本3.0 ）
4
EDX5116ADSE
表格清单
引脚说明................................................ ............. 7
请求字段说明.......................................... 10
OP字段编码摘要.................................... 12
ROP域编码摘要.................................. 12
POP域编码摘要.................................. 13
XOP域编码摘要.................................. 13
报文交互摘要...................................... 14
SCMD域编码摘要............................... 32
初始化时序参数.............................. 47
XDR DRAM WDSL到核心/ DQ / SC地图............... 48
核心数据字到WDSL格式............................ 49
电气条件................................................ .. 58
时序条件................................................ ..... 59
电气特性........................................... 60
电源电流简介............................................... ..61
时序特性............................................... 62
时序参数................................................ .... 62
封装寄生摘要........................................ 72
数据表E1033E30 （版本3.0 ）
5
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