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数据表
1G比特XDR
DRAM
EDX1032BBBG ( 32M字
×
32位)
概观
该EDX1032BBBG是1G比特XDR
DRAM组织成
32M的话
×
32位。它们是通用的高性
适用于广泛的用途曼斯存储器装置
应用程序。
利用差分RAMBUS信号级( DRSL )的技
术允许3200 Mb / s的传输速率EDX1032BBBG ,
而使用传统的系统和电路板设计技
吉斯。
该EDX1032BBBG设备能够持续数据传输的
12800 MB / s的FERS 。
XDR DRAM装置结构允许的最高持续
带宽多,随机交错处理的MEM
ORY交易。超过95%的高效率的协议收益率
利用率,同时使细颗粒度的访问。该设备的
八家银行支持最多四个交错的交易。
该EDX1032BBBG包装在150球FBGA , compati-
竹叶提取与Rambus公司的XDR DRAM引脚配置。
特点
最高引脚可用带宽
八通道数据速率( ODR )信号, 3200 Mb / s的
双向差分RSL ( DRSL )
- 灵活的读/写带宽分配
- 最少引脚数
可编程片上端接
-Adaptive阻抗匹配
- 减少了系统成本和复杂性路由
低功耗PLL / DLL的设计
每个DRAM器件的最高持续带宽
EDX1032BBBG : 12800 MB / s的持续数据传输率
八家银行:全行交错交易
带宽
动态请求调度
早期阅读后写支持,以实现最高效率
零刷新占用
动态宽度控制
EDX1032BBBG支持× 32 ,× 16 , × 8 × 4
模式
低延迟
2.50 ns的请求报文
点至点的最快的数据互连
飞行时间
支持低等待时间,快速循环芯
低功耗
1.5V VDD
可编程的小摆幅I / O信号( DRSL )
低功耗PLL / DLL的设计
掉电自刷新支持
每个引脚的I / O断电的窄幅运行
文档。第E1819E20 (版本2.0 )
发布日期2012年3月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
尔必达内存公司
2011-2012
EDX1032BBBG
订购信息
产品型号
EDX1032BBBG-3C-F
组织
4M
×
32
×
8银行
带宽( 1 /太比特) *
1
潜伏期( TRAC ) *
2
3.2G
35
箱子
C
150球FBGA
注: 1 。以Mbit / s的DQ差分对测得的数据速率。需要注意的是太比特= T
周期
/8
2.读取访问时间t
RAC
(= t
RCD -R
+
t
CAC
)测量纳秒。
产品型号
E D ×10 32 B B BG - 3C - F
尔必达内存
TYPE
D:包装设备
产品系列
X: XDR DRAM
密度
10 :1GB / 8银行
组织
32: x32
BG : FBGA
牧师死亡
环境法规
F:无铅(符合RoHS)
和无卤
速度
3C : 3.2G ( TRAC = 35 ,C斌)
电源,接口
B: 1.5V , DRSL
数据表E1819E20 (版本2.0 )
2
EDX1032BBBG
引脚配置
X32位配置
R
1
P
N
M
L
GND
GND
GND
VDD
GND
VTERM
K
GND
J
VDD
H
G
GND
F
VDD
E
VDD
MB
D
C
B
A
DQN31 DQN19 DQN21 DQN25
DQN24 DQN20 DQN18 DQN30
DQ24
DQN8
DQ8
GND
DQ20
DQN4
DQ4
VDD
VTERM
DQ18
DQN2
DQ2
GND
VDD
DQ30
DQN14
DQ14
GND
VDD
2
DQ31
DQ19
DQN3
DQ3
GND
VDD
DQ21
DQN5
DQ5
VDD
VTERM
DQ25
DQN9
DQ9
GND
3
DQN15
RQ10
RQ11
CFM
CFMN
VDD
GND
GND
GND
VDD
GND
RQ4
RQ3
RQ0
SDI
VDD
GND
VTERM
4
DQ15
5
GND
6
VDD
7
8
9
10
VDD
VTERM
GND
VDD
GND
VTERM
GND
DQN1
DQ1
GND
VDD
CMD
SCK
MB
GND
VDD
VDD
GND
VDD
RQ9
RQ8
RQ7
RQ6
RQ5
VDD
GND
VDD
GND
GND
VREF
RQ1
RQ2
GND
GND
VDD
RST
SDO
MB
VDD
VTERM
GND
DQN0
DQ0
VDD
GND
VTERM
GND
VDD
GND
DQN6
DQ6
11
GND
12
DQN7
DQN11 DQN13
DQ11
DQ13
DQN12 DQN10
DQ12
DQ10
13
DQ7
14
DQN23 DQN27 DQN29 DQN17
DQN16 DQN28 DQN26 DQN22
DQ16
DQ28
DQ26
DQ22
15
DQ23
DQ27
DQ29
DQ17
包顶视图
MB :机械球(可选) 。
其他厂商可能在E2 , L14 , E14可选的球。尔必达的1Gb XDR没有的MB 。
电路板布局必须包括焊料焊盘在这些位置。
数据表E1819E20 (版本2.0 )
3
EDX1032BBBG
概述
在图1中的时序图说明的XDR DRAM设备
写入和读取数据。有三组引脚的使用
正常的内存访问数据: CFM / CFMN时钟
销, RQ11..0请求引脚和DQ31..0 / DQN31..0数据引脚。
第“N ”追加到一个信号名称表示的互为
差分对的tary信号。
A
交易
被包的集合,需要完成一个
存储器存取。一
是对信号的一组比特窗
的公交车。有两辆公交车携带的包:在RQ公交车
和DQ总线。该RQ总线上的每个数据包使用一组2比特
窗口上的每个信号,而DQ总线使用一组16比特的
窗户上的每个信号。
在图1中,一个请求分组(在所示的写事务处理
该RQ总线) ,在时钟边沿牛逼
0
包含激活( ACT )的COM
图1
XDR DRAM器件的写入和读取交易
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
ACT WR
a0
a1
WR
a2
命令。这导致银行的Ba行镭在存储器康波
新界东北加载到读出放大器阵列,用于银行。一
在时钟边沿T秒请求包
1
包含一个写( WR )
命令。这会导致数据分组D( a1)的在边缘
4
写入读出放大器阵列银行巴列Ca1的。一
在时钟边沿牛逼第三个请求包
3
包含另一个写
(WR)命令。这会导致数据分组D( a2)中,在边缘
6
也被写入到列钙。在最后一个请求数据包
时钟边沿牛逼
13
包含一个预充电(PRE)命令。
请求数据包之间的间隔被约束
图中下面的时序参数:t
RCD -W
, t
CC
,
和T
WRP
。此外,该请求数据包之间的间隔
和数据包通过T约束
CWD
参数。该
该CFM / CFMN时钟的间隔边缘被约束
t
周期
.
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
t
DQ31..0
RCD -W
DQN31..0
t
CC
t
CWD
D(a1)
D(a2)
t
WRP
PRE
a3
t
周期
交易中:
WR
A0 = {钡,镭}
A1 = { BA, Ca1的}
A2 = {钡,钙}
A3 = { }霸
写事务
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ31..0
DQN31..0
法案
a0
RD
a1
RD
a2
PRE
a3
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
t
周期
Q(a1)
Q(a2)
t
RCD -R
t
CC
t
RDP
t
CAC
交易中:
RD
A0 = {钡,镭}
A1 = { BA, Ca1的}
A2 = {钡,钙}
A3 = { }霸
读事务
读出的交易显示了在时钟边沿T A请求数据包
0
包含ACT命令。这将导致银行的Ba行RA
存储器组件的加载到读出放大器阵列,用于
该银行。在时钟边沿T A第二个请求包
5
包含
读( RD )命令。这导致在边缘数据包Q( a1)的
T
11
可以从读出放大器阵列的列Ca1的用于读
银行巴。在时钟边沿T A第三个请求包
7
包含
另外RD命令。这使得在数据包Q( a2)的
边牛逼
13
也可以从塔的Ca2读取。最后的请求
在时钟边沿牛逼包
10
包含PRE命令。
请求数据包之间的间隔被约束
图中下面的时序参数:t
RCD -R
, t
CC
,
和T
RDP
。此外,该请求之间的间隔,并
数据包通过T受限
CAC
参数。
数据表E1819E20 (版本2.0 )
4
EDX1032BBBG
目录
概述................................................. ...................... 1
功能................................................. ....................... 1
订购信息................................................ 2 ....
型号................................................ ................. 2
引脚配置................................................ ......... 3
X32位配置............................................... ........ 3
概述................................................ ...... 4
目录............................................... .......... 5
表人物的............................................... ............. 6
一桌桌的............................................... .............. 6
引脚说明................................................ ............. 7
框图................................................ .............. 8
请求包................................................ ......... 10
REQUEST报文格式............................................... .. 10
请求字段编码............................................... ... 12
Request报文交互........................................... 14
更多互动案例.............................................. 15
动态请求调度........................................ 20
内存操作................................................ .... 22
写事务................................................ .......... 22
读事务................................................ ........... 24
交错的交易................................................ 26
读/写交互.............................................. .... 28
传播延迟................................................ ........... 28
寄存器操作................................................ .... 32
串行事务................................................ ........... 32
串行写入事务............................................... .. 32
串行读事务............................................... ... 32
注册摘要................................................ ............ 34
维护操作............................................ 40
刷新交易................................................ ....... 40
交错刷新交易.................................. 40
校准交易................................................ 。 42
...............................................电源状态管理44
初始化................................................. ..................... 46
XDR DRAM初始化概述.......................... 47
XDR DRAM装载模式与WDSL注册.............. 48
特殊功能说明....................................... 54
动态宽度控制............................................... .. 54
写屏蔽................................................ .................. 56
多行集和ERAW功能................ 58
同时激活................................................ 。 60
同时预充电................................................ .. 61
列地址重映射......................................... 62
工作条件................................................ 。 64
电气条件................................................ ....... 64
时序条件................................................ ........... 65
工作特性........................................... 66
电气特性................................................ 。 66
电源电流简介............................................... ..... 67
时序特性................................................ .... 68
时序参数................................................ ........... 69
接收/发送时序.......................................... 71
时钟................................................. ........................... 71
RSL RQ接收时序.............................................. .. 72
DRSL DQ接收时序............................................ 73
DRSL DQ发送定时......................................... 75
串行接口接收时序..................................... 77
串行接口发送时序.................................. 78
包装说明................................................ .. 79
封装寄生摘要............................................ 79
封装图................................................ ............. 81
封装引脚编号............................................... .. 82
推荐焊接条件......................... 83
数据表E1819E20 (版本2.0 )
5
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    EDX1032BBBG-3C-F
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    -
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    终端采购配单精选

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21+
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BGA
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全新原装正品/质量有保证
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