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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第790页 > EDS5108ABTA
初步数据表
512M位的SDRAM
EDS5104ABTA ( 128M词
×
4比特)
EDS5108ABTA ( 64M字
×
8比特)
EDS5116ABTA ( 32M字
×
16比特)
描述
该EDS5104AB是512M位的SDRAM作为举办
33554432词
×
4位
×
4银行。该EDS5108AB
是512M位的SDRAM组织为16777216字
×
8位
×
4银行。该EDS5116AB是512M位
SDRAM组织为8,388,608字
×
16位
×
4
银行。所有输入和输出都提到了瑞星
在时钟输入的边缘。它被封装在标准的54-
引脚塑料TSOP ( II ) 。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
54引脚TSOP
VDD VDD
NC DQ0
NC
NC
DQ0 DQ1
NC
NC
NC DQ2
NC
NC
DQ1 DQ3
NC
VDD
NC
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VDD
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS VSS VSS
DQ15 DQ7 NC
VSSQ VSSQ VSSQ
VDDQ VDDQ VDDQ
DQ14 NC数控
DQ13 DQ6 DQ3
VDDQ VDDQ VDDQ
VSSQ VSSQ VSSQ
特点
3.3V电源
时钟频率: 166MHz的/ 133MHz的(最大)
LVTTL接口
单脉冲/ RAS
4银行可以同时运行,
独立地
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
可编程的脉冲串长度(BL) : 1,2, 4,8,整页
爆序列的2个版本
顺序(BL = 1,2, 4,8,全页)
交错(BL = 1, 2,4, 8)的
可编程/ CAS延迟(CL) :2,3
通过DQM字节控制
: DQM ( EDS5104AB , EDS5108AB )
: UDQM , LDQM ( EDS5116AB )
刷新周期: 8192刷新周期/ 64ms的
刷新2变化
自动刷新
自刷新
DQ12 NC数控
DQ11 DQ5 NC
VSSQ VSSQ VSSQ
VDDQ VDDQ VDDQ
DQ10 NC数控
DQ9 DQ4 DQ2
VDDQ VDDQ VDDQ
VSSQ VSSQ VSSQ
NC DQ7
VDD VDD
NC LDQM
/ WE / WE
/ CAS / CAS
/ RAS / RAS
/ CS
/ CS
BA0 BA0
BA1 BA1
A10 A10
A0
A0
A1
A1
A2
A2
A3
A3
VDD VDD
DQ8 NC
VSS VSS
NC
NC
UDQM DQM
CLK CLK
CKE CKE
A12 A12
A11 A11
A9
A9
A8
A8
A7
A7
A6
A6
A5
A5
A4
A4
VSS VSS
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
X 16
X8
X4
( TOP VIEW )
A0到A12 ,
BA0 , BA1
地址输入
银行选择地址
DQ0到DQ15
数据输入/输出
/ CS
芯片选择
/ RAS
行地址选通
列地址选通
/ CAS
写使能
/ WE
DQM
CKE
CLK
VDD
VSS
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
VDDQ
电源电路DQ
VSSQ
地面DQ电路
NC
无连接
一号文件E0250E10 (版本1.0 )
发布日期2002年3月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2002年公司
EDS5104ABTA , EDS5108ABTA , EDS5116ABTA
订购信息
产品型号
EDS5104ABTA-6B
EDS5104ABTA-7A
EDS5104ABTA-75*
EDS5108ABTA-6B
EDS5108ABTA-7A
EDS5108ABTA-75*
EDS5116ABTA-6B
EDS5116ABTA-7A
EDS5116ABTA-75*
面膜
VERSION
B
组织
(字
×
位)
128M
×
4
内部银行
4
时钟频率
兆赫( MAX 。 )
166
133
133
166
133
133
166
133
133
/ CAS延时
3
2, 3
3
3
2, 3
3
3
2, 3
3
54引脚塑料
TSOP (II)的
64M
×
8
32M
×
16
注:在/ CAS延时= 2 100MHz的运行。
产品型号
E D第51 04 A B TA - 6B
尔必达内存
材料类型
D:单声道
功能
S: SDRAM
密度&银行
51 : 512M / 4银行
位组织
04: x4
08: x8
16: x16
接口
答: 3.3V , LVTTL
面膜修订
TA : TSOP ( II )
速度
6B :为166MHz / CL3
7A :为133MHz / CL2 , 3
75 :为133MHz / CL3
100MHz/CL2
初步数据表E0250E10 (版本1.0 )
2
EDS5104ABTA , EDS5108ABTA , EDS5116ABTA
目录
描述.................................................................................................................................................... 1
产品特点........................................................................................................................................................ 1
引脚配置......................................................................................................................................... 1
订购信息..................................................................................................................................... 2
产品型号.................................................................................................................................................. 2
电动Specifications................................................................................................................................. 4
框图............................................................................................................................................... 8
引脚功能................................................................................................................................................ 13
命令操作................................................................................................................................... 15
简化的状态Diagram............................................................................................................................. 23
模式寄存器配置...................................................................................................................... 24
上电Sequence.................................................................................................................................... 25
在SDRAM中运行............................................................................................................................ 27
时序波形...................................................................................................................................... 43
包装图........................................................................................................................................ 49
推荐焊接Conditions.......................................................................................................... 50
修订历史.......................................................................................................................................... 53
初步数据表E0250E10 (版本1.0 )
3
EDS5104ABTA , EDS5108ABTA , EDS5116ABTA
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后(指上电顺序) 。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5至VDD + 0.5 ( ≤
4.6 (最大) )
-0.5到+4.6
50
1.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件( TA = 0 70 ° C)
°
参数
电源电压
符号
VDD , VDDQ
VSS , VSSQ
输入高电压
输入低电压
VIH
VIL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
马克斯。
3.6
0
VDD + 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
1
2
3
4
注:1 。
2.
3.
4.
与所有VDD和VDDQ的管脚的电源电压必须在相同的水平。
与所有VSS和VSSQ引脚的电源电压必须在相同的水平。
VIH (最大) = VDD + 2.0V的脉冲宽度
3ns
在VDD 。
VIL (分钟) = VSS - 2.0 V的脉冲宽度
为3ns的VSS 。
初步数据表E0250E10 (版本1.0 )
4
EDS5104ABTA , EDS5108ABTA , EDS5116ABTA
直流特性1 ( TA = 0 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
°
参数
/ CAS延时
工作电流
在电源的待机电流
在电源的待机电流
向下(输入信号稳定)
在非待机电流
掉电
在非待机电流
断电(输入信号
稳定)
在活动待机电流
掉电
在活动待机电流
断电(输入信号
稳定)
在活动待机电流
非掉电
在活动待机电流
非掉电(输入
信号稳定)
突发工作电流
刷新当前
自刷新电流
符号
ICC1
ICC2P
ICC2PS
ICC2N
ICC2NS
ICC3P
ICC3PS
ICC3N
ICC3NS
ICC4
ICC5
ICC6
-6B
-7A, -75
-6B,-7A
-75
GRADE
-6B,-7A
-75
马克斯。
×
4
160
140
3
2
-6B
30
-7A, -75 25
9
4
3
-6B
45
-7A, -75 40
20
160
130
320
280
4
×
8
165
145
3
2
30
25
9
4
3
45
40
20
170
140
320
280
4
×
16
175
155
3
2
30
25
9
4
3
45
40
20
190
160
320
280
4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
突发长度= 1
的tRC =的tRC (分钟)
CKE = VIL ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIL , TCK =
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIH , TCK =
∞,
/ CS = VIH
CKE = VIL ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIL , TCK =
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIH , TCK =
∞,
/ CS = VIH
笔记
1, 2, 3
6
7
4
8
1, 2, 6
2, 7
1, 2, 4
2, 8
TCK = TCK (分钟) ,BL = 4 1,2, 5
的tRC =的tRC (分钟)
VIH
VDD
– 0.2V
VIL
0.2V
3
注:1. ICC取决于输出负载条件时选择该设备。 IC卡(最大)是在输出指定
开放的条件。
2.一家银行的操作。
3.输入信号的每一个时钟更换一次。
4.输入信号每两个时钟更换一次。
5.输入信号每四个时钟更换一次。
6.在掉电模式下, CLK工作电流。
7.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
8.输入信号VIH或VIL固定。
直流特性2 ( TA = 0 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
°
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–1
–1.5
2.4
马克斯。
1
1.5
0.4
单位
A
A
V
V
测试条件
0
VIN
VDD
0
VOUT
VDD , DQ =取消
IOH = -4毫安
IOL = 4毫安
笔记
初步数据表E0250E10 (版本1.0 )
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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