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数据表
256M位的SDRAM
WTR (宽温度范围)
EDS2532EEBH - 9ATT ( 8M字
×
32位)
特定网络阳离子
密度: 256M位
组织
2M的话
×
32位
×
4银行
包装: 90球FBGA
无铅(符合RoHS)
电源: VDD , VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
时钟频率: 111MHz (最大值)
2KB页大小
行地址: A0到A11
列地址: A0到A8
四大银行内部的并发操作
接口: LVCMOS
脉冲串长度(BL) : 1,2, 4,8,整页
突发类型(BT) :
顺序( 1,2, 4,8,全页)
交织(1, 2,4, 8)
/ CAS延迟(CL) :2,3
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力:半/季
刷新:自动刷新,自刷新
刷新周期: 4096次/ 64ms的
平均更新周期:值为15.6μs
工作环境温度范围
TA = -20 ° C至+ 85°C
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
90球FBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
EO
特点
A
DQ26 DQ24 VSS
VDD DQ23 DQ21
VDDQ VSSQ DQ19
DQ22 DQ20 VDDQ
DQ17 DQ18 VDDQ
NC
A2
A10
NC
BA0
/ CAS
VDD
DQ6
DQ1
B
DQ28 VDDQ VSSQ
C
VSSQ DQ27 DQ25
D
VSSQ DQ29 DQ30
E
VDDQ DQ31
NC
A3
A6
NC
A9
NC
DQ16 VSSQ
DQM2 VDD
A0
BA1
/ CS
A1
A11
/ RAS
F
VSS DQM3
×32
组织
单脉冲/ RAS
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
通过DQM字节控制
工作温度范围宽
TA = -20 ° C至+ 85°C
一号文件E0821E20 (版本2.0 )
发布日期2006年2月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
L
G
A4
A5
A8
CKE
NC
H
A7
J
CLK
本产品成为了EOL于2007年9月。
Elpida
内存方面,公司2005-2006年
od
Pr
K
L
DQM1
VDDQ DQ8
VSS
/ WE DQM0
DQ7 VSSQ
DQ5 VDDQ
DQ3 VDDQ
M
N
P
VSSQ DQ10 DQ9
VSSQ DQ12 DQ14
DQ11 VDDQ VSSQ
VDDQ VSSQ DQ4
VDD
DQ0
DQ2
R
DQ13 DQ15 VSS
( TOP VIEW )
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
DQ面膜启用
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
A0到A11
BA0 , BA1
DQ0到DQ31
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DQM0到DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
uc
t
EDS2532EEBH-9ATT
订购信息
产品型号
EDS2532EEBH-9ATT-E
供应
电压
1.8V
组织
(字
×
位)内部银行
8M
×
32
4
时钟频率
兆赫( MAX 。 )
111
/ CAS延时
2, 3
90球FBGA
产品型号
E D第25 32 E E BH - 9A TT - é
尔必达内存
TYPE
D:单片器件
环境法规
E:无铅
EO
产品系列
S: SDRAM
规格。细节
TT : WTR ( -20 + 85℃ )
密度/银行
25 : 256M / 4 -银行, 4K行
组织
32: x32
速度
9A: 111MHz / CL2,CL3
电源,接口
E: 1.8V , LVCMOS
牧师死亡
BH : FBGA (板型)
数据表E0821E20 (版本2.0 )
L
od
Pr
uc
t
2
EDS2532EEBH-9ATT
目录
Specifications.................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
引脚配置.........................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
电动Specifications.................................................................................................................................4
框图...............................................................................................................................................9
针Function.................................................................................................................................................10
命令操作...................................................................................................................................12
简化的状态图.............................................................................................................................21
模式寄存器和扩展模式寄存器配置........................................... ............................ 22
上电sequence.....................................................................................................................................24
操作SDRAM.............................................................................................................................25
定时Waveforms.......................................................................................................................................41
包装图........................................................................................................................................47
推荐焊接Conditions..........................................................................................................48
EO
数据表E0821E20 (版本2.0 )
L
od
Pr
uc
t
3
EDS2532EEBH-9ATT
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后,执行上电顺序和初始化顺序正确的设备运行达到之前
(参考上电顺序)。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5至VDD 0.3 ( ≤ 2.4最大)
-0.5到+2.4
50
1.0
-20至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
EO
储存温度
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件( TA = -20 ° C至+ 85°C )
符号
VDD , VDDQ
VSS , VSSQ
分钟。
1.7
0
0.8
×
VDD
–0.3
马克斯。
1.9
0
VDD + 0.3
0.3
单位
V
V
V
V
笔记
1
2
3
4
L
VIH
VIL
注:1 。
2.
3.
4.
与所有VDD和VDDQ的管脚的电源电压必须在相同的水平。
与所有VSS和VSSQ引脚的电源电压必须在相同的水平。
VIH = VDD + 0.5V (在VIH (最大脉冲宽度的高峰期。 )
3ns).
VIL的底部= VSS - 1.0V (在VIL (分脉冲宽度) 。
3ns).
od
Pr
uc
t
4
数据表E0821E20 (版本2.0 )
EDS2532EEBH-9ATT
直流特性1 ( TA = -20 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.8V ± 0.1V , VSS , VSSQ = 0V)
参数
/ CAS延时
工作电流
符号
IDD1
GRADE
马克斯。
75
单位
mA
测试条件
突发长度= 1
的tRC =的tRC (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
0.3V,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
0.3V , TCK =
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE = VIH , TCK =
∞,
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
VIL ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
VIL , TCK =
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE = VIH , TCK =
∞,
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
TCK TCK = (分钟) ,
BL = 4
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
的tRC =的tRC (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
笔记
1, 2, 3
在断电的待机电流
在断电的待机电流
(输入信号稳定)
待机电流在非掉电
IDD2P
IDD2PS
IDD2N
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
3
2
20
9
4
3
20
15
80
160
3
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
6
7
4
8
1, 2, 6
2, 7
1, 2, 4
2, 8
1, 2, 5
3
EO
突发工作电流
刷新当前
自刷新电流
数据表E0821E20 (版本2.0 )
待机电流在非掉电
(输入信号稳定)
在掉电主动待机电流
在掉电主动待机电流
(输入信号稳定)
在非掉电IDD3N主动待机电流
在非掉电主动待机电流
IDD3NS
(输入信号稳定)
注:1.国际直拨依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。国际直拨(最大)是在输出指定
开放的条件。
2.一家银行的操作。
3.输入信号的每一个时钟更换一次。
4.输入信号每两个时钟更换一次。
5.输入信号每四个时钟更换一次。
6.在掉电模式下, CLK工作电流。
7.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
8.输入信号VIH或VIL固定。
L
IDD4
IDD5
IDD6
od
Pr
5
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
uc
t
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