【数据表256M位的SDRAMEDS2532CABJ （ 8M字×32位）特定网络阳离子密度： 256】,IC型号EDS2532CABJ-75L-E,EDS2532CABJ-75L-E PDF资料,EDS2532CABJ-75L-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

256M位的SDRAM

EDS2532CABJ （ 8M字

32位）

特定网络阳离子

密度： 256M位

组织

2M的话

32位

4银行

包装： 90球FBGA

无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

2.5V

0.2V

时钟频率： 133MHz的/ 100MHz的（最大）

2KB页大小

行地址： A0到A11

列地址： A0到A8

四大银行内部的并发操作

接口： LVTTL

脉冲串长度（BL）： 1，2， 4，8，整页

突发类型（BT）：

顺序（ 1，2， 4，8，全页）

交织（1， 2，4， 8）

/ CAS延迟（CL）：2,3

预充电：对于每个突发自动预充电操作

ACCESS

刷新：自动刷新，自刷新

刷新周期： 4096次/ 64ms的

平均更新周期：值为15.6μs

工作环境温度范围

TA = 0°C至+ 70°C

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

90球FBGA

DQ26 DQ24 VSS

VDD DQ23 DQ21

VDDQ VSSQ DQ19

DQ22 DQ20 VDDQ

DQ17 DQ18 VDDQ

A10

BA0

/ CAS

VDD

DQ6

DQ1

DQ16 VSSQ

DQM2 VDD

BA1

/ CS

A11

/ RAS

特点

DQ28 VDDQ VSSQ

VSSQ DQ27 DQ25

VSSQ DQ29 DQ30

VDDQ DQ31

VSS DQM3

×32

组织

单脉冲/ RAS

突发读/写操作和突发读/写单

操作能力

通过DQM字节控制

一号文件E0460E40 （版本4.0 ）

发布日期2005年12月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

CKE

CLK

DQM1

/ WE DQM0

DQ7 VSSQ

DQ5 VDDQ

DQ3 VDDQ

VDDQ DQ8

VSS

VSSQ DQ10 DQ9

VSSQ DQ12 DQ14

DQ11 VDDQ VSSQ

DQ13 DQ15 VSS

VDDQ VSSQ DQ4

VDD

DQ0

DQ2

（ TOP VIEW ）

地址输入

银行选择地址

数据输入/输出

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

DQ面膜启用

时钟使能

时钟输入

电源内部电路

地上的内部电路

电源电路DQ

地面DQ电路

无连接

A0到A11

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

DQM0到DQM3

CKE

CLK

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

本产品成为了EOL 2007年3月。

Elpida

内存方面，公司2004-2005年

EDS2532CABJ

订购信息

产品型号

EDS2532CABJ-75-E

EDS2532CABJ-1A-E

EDS2532CABJ-75L-E

EDS2532CABJ-1AL-E

供应

电压

2.5V

组织

（字

位）内部银行

时钟频率

兆赫（ MAX 。）

133

100

133

100

/ CAS延时

2, 3

包

90球FBGA

产品型号

E D第25条32 C A BJ - 75 L - ê

环境法规

E：无铅

耗电量

空白：正常

L：低功耗

速度

75 ：为133MHz / CL3

100MHz/CL2

1A：为100MHz / CL2，CL3

包

BJ ： FBGA （板型）

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品编号

S： SDRAM

密度/银行

25 ： 256M / 4 -银行， 4K行

位组织

32: x32

电压，接口

C： 2.5V ， LVTTL

牧师死亡

数据表E0460E40 （版本4.0 ）

EDS2532CABJ

产品规格................................................................................................................................................ 1

产品特点........................................................................................................................................................ 1

针Configurations......................................................................................................................................... 1

订购信息..................................................................................................................................... 2

部分Number.................................................................................................................................................. 2

电气规格................................................................................................................................ 4

块Diagram............................................................................................................................................... 9

引脚功能................................................................................................................................................ 10

命令Operation................................................................................................................................... 11

简化的状态图............................................................................................................................ 19

模式寄存器配置...................................................................................................................... 20

电序列.................................................................................................................................... 22

在SDRAM中运行............................................................................................................................ 23

时序波形...................................................................................................................................... 39

包Drawing........................................................................................................................................ 45

推荐焊接条件......................................................................................................... 46

数据表E0460E40 （版本4.0 ）

EDS2532CABJ

电气规格

所有电压参考VSS （ GND）。

上电后，执行上电顺序和初始化顺序正确的设备运行达到之前

（参考上电顺序）。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作温度

符号

VDD

IOS

TSTG

等级

-0.5到+3.6

1.0

0至+70

-55到+125

单位

°C

记

储存温度

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = 0 + 70 ° C）

符号

VDD ， VDDQ

分钟。

2.3

1.7

–0.3

马克斯。

2.7

VDD + 0.3

0.7

单位

笔记

VSS ， VSSQ

VIH

VIL

注：1 。

与所有VDD和VDDQ的管脚的电源电压必须在相同的水平。

与所有VSS和VSSQ引脚的电源电压必须在相同的水平。

VIH （最大） = VDD + 1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

VIL （分钟） = VSS - 1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

数据表E0460E40 （版本4.0 ）

EDS2532CABJ

直流特性1 （ TA = 0 + 70 ° C， VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V ， VSS ， VSSQ = 0V）

参数

/ CAS延时

工作电流

在断电的待机电流

（输入信号稳定）

在无电源的待机电流

下

在无电源的待机电流

向下（输入信号稳定）

在电力有源待机电流

下

在电力有源待机电流

向下（输入信号稳定）

在非主动待机电流

掉电

在非主动待机电流

断电（输入信号稳定）

突发工作电流

刷新当前

符号

IDD1

IDD2P

IDD2PS

IDD2N

IDD2NS

IDD3P

IDD3PS

IDD3N

IDD3NS

IDD4

IDD5

-75

-1A

-75

-1A

GRADE

马克斯。

125

155

125

265

255

-xxL

单位

测试条件

突发长度= 1

的tRC =的tRC （分钟）

CKE = VIL ，

TCK TCK = （分钟）

CKE = VIL ， TCK =

∞

CKE ， / CS = VIH ，

TCK TCK = （分钟）

CKE = VIH ， TCK =

∞,

/ CS = VIH

CKE = VIL ，

TCK TCK = （分钟）

CKE = VIL ， TCK =

∞

CKE ， / CS = VIH ，

TCK TCK = （分钟）

CKE = VIH ， TCK =

∞,

/ CS = VIH

TCK TCK = （分钟），

BL = 4

的tRC =的tRC （分钟）

VIH

≥

VDD = 0.2V

VIL

≤

0.2V

VIH

≥

VDD = 0.2V

VIL

≤

0.2V

笔记

1, 2, 3

1, 2, 6

2, 7

1, 2, 4

2, 8

1, 2, 5

自刷新电流

（L-版本）

数据表E0460E40 （版本4.0 ）

注：1.国际直拨依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。国际直拨（最大）是在输出指定

开放的条件。

2.一家银行的操作。

3.输入信号的每一个时钟更换一次。

4.输入信号每两个时钟更换一次。

5.输入信号每四个时钟更换一次。

6.在掉电模式下， CLK工作电流。

7.在掉电模式下，没有CLK工作电流。

8.输入信号VIH或VIL固定。

IDD6