初步数据表

128M位的SDRAM

EDS1232CABB ， EDS1232CATA （ 4M字

×

32位）

描述

该EDS1232CA是128M位的SDRAM作为举办

1,048,576字

×

32位

×

4银行。所有的输入和

输出与的上升沿同步

时钟。

它们被包装在90球FBGA封装， 86引脚塑料

TSOP （II）中。

特点

2.5V电源

时钟频率： 133MHz的（最大）

单脉冲/ RAS

×32

组织

4银行可以同时运行，

独立地

突发读/写操作和突发读/写单

操作能力

可编程的脉冲串长度（BL ）：1， 2 ，4，8和满

页面

爆序列的2个版本

顺序（BL = 1， 2，4， 8）的

交错（BL = 1， 2，4， 8）的

可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3

通过DQM字节控制

刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的

刷新2变化

自动刷新

自刷新

FBGA封装是无铅焊料（锡银铜）

一号文件E0247E40 （版本4.0 ）

发布日期2002年7月（K ）日本

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面， 2002年公司

EDS1232CABB ， EDS1232CATA

订购信息

产品型号

EDS1232CABB-75-E

EDS1232CABB-1A-E

EDS1232CABB-75L-E

EDS1232CABB-1AL-E

EDS1232CATA-75

EDS1232CATA-1A

EDS1232CATA-75L

EDS1232CATA-1AL

2.5V

4M

×

32

4

供应

电压

2.5V

组织

（字

×

位）内部银行

4M

×

32

4

时钟频率

兆赫（ MAX 。 ）

133

100

133

100

133

100

133

100

/ CAS延时

3

2, 3

3

2, 3

3

2, 3

3

2, 3

86引脚塑料

TSOP （II）的

包

90球FBGA

产品型号

E D S12中32 C A BB - 75 L - ê

尔必达内存

无铅

TYPE

D：单片器件

产品编号

S： SDRAM

密度/银行

12 ： 128M / 4银行

位组织

32: x32

电压，接口

C： 2.5V ， LVTTL

裸片修订

耗电量

空白：正常

L：低功耗

速度

75 ：为133MHz / CL3

100MHz/CL2

1A ：为100MHz / CL2,3

包

TA ： TSOP （ II ）

BB ： FBGA

初步数据表E0247E40 （版本4.0 ）

2

EDS1232CABB ， EDS1232CATA

销刀豆网络gurations

/ XXX表示低电平有效的信号。

90球FBGA

1

2

3

4

5

6

7

8

9

86针TSOP

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

NC

VDD

DQM0

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

A11

BA0

BA1

A10(AP)

A0

A1

A2

DQM2

VDD

NC

DQ16

VSSQ

DQ17

DQ18

VDDQ

DQ19

DQ20

VSSQ

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

（ TOP VIEW ）

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

NC

VSS

DQM1

NC

NC

CLK

CKE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

DQM3

VSS

NC

DQ31

VDDQ

DQ30

DQ29

VSSQ

DQ28

DQ27

VDDQ

DQ26

DQ25

VSSQ

DQ24

VSS

A

DQ26 DQ24 VSS

VDD DQ23 DQ21

VDDQ VSSQ DQ19

DQ22 DQ20 VDDQ

DQ17 DQ18 VDDQ

NC

A2

A10

NC

BA0

/ CAS

VDD

DQ6

DQ1

DQ16 VSSQ

DQM2 VDD

A0

BA1

/ CS

A1

A11

/ RAS

B

DQ28 VDDQ VSSQ

C

VSSQ DQ27 DQ25

D

VSSQ DQ29 DQ30

E

VDDQ DQ31

NC

A3

A6

NC

A9

NC

VSS

F

VSS DQM3

G

A4

A5

A8

CKE

NC

H

A7

J

CLK

K

DQM1

/ WE DQM0

DQ7 VSSQ

DQ5 VDDQ

DQ3 VDDQ

L

VDDQ DQ8

M

VSSQ DQ10 DQ9

N

VSSQ DQ12 DQ14

P

DQ11 VDDQ VSSQ

VDDQ VSSQ DQ4

VDD

DQ0

DQ2

R

DQ13 DQ15 VSS

（ TOP VIEW ）

引脚名称

A0到A11

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

DQM0到DQM3

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

NC

功能

地址输入

BANK SELECT

数据输入/输出

时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

DQ面膜启用

电源电压

地

电源电压DQ

地面DQ

无连接

初步数据表E0247E40 （版本4.0 ）

3

EDS1232CABB ， EDS1232CATA

目录

描述.................................................................................................................................................... 1

产品特点........................................................................................................................................................ 1

订购信息..................................................................................................................................... 2

部分Number.................................................................................................................................................. 2

针Configurations......................................................................................................................................... 3

电气规格................................................................................................................................五

块Diagram............................................................................................................................................. 10

引脚功能................................................................................................................................................ 11

命令Operation................................................................................................................................... 12

真相Table.................................................................................................................................................. 16

简化的状态图............................................................................................................................ 22

编程模式寄存器.................................................................................................................... 23

模式Register............................................................................................................................................. 24

电序列.................................................................................................................................... 27

在SDRAM中运行............................................................................................................................ 28

时序波形...................................................................................................................................... 44

包Drawing........................................................................................................................................ 51

推荐焊接条件......................................................................................................... 53

修订历史.......................................................................................................................................... 56

初步数据表E0247E40 （版本4.0 ）

4

EDS1232CABB ， EDS1232CATA

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

加电后（参见上电顺序）。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD ， VDDQ

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-0.5到+3.6

-0.5到+3.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

推荐工作条件（ TA = 0 + 70 ° C）

°

参数

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

笔记

电源电压

输入高电压

输入低电压

VDD ， VDDQ

VSS

VIH

VIL

2.3

0

1.7

–0.3

2.5

0

2.7

0

VDD + 0.3 *

1

0.7

V

V

V

V

注：1. VIH （最大）= VDDQ + 1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

2. VIL （分钟） = -1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

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