数据表

128M位的SDRAM

WTR （宽温度范围）

EDS1232AATA -TI （ 4M字

×

32位）

描述

该EDS1232AA是128M位的SDRAM作为举办

1,048,576字

×

32位

×

4银行。所有的输入和

输出与的上升沿同步

时钟。

它封装在86引脚塑料TSOP （ II ） 。

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

86引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

NC

VDD

DQM0

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

A11

BA0

BA1

A10(AP)

A0

A1

A2

DQM2

VDD

NC

DQ16

VSSQ

DQ17

DQ18

VDDQ

DQ19

DQ20

VSSQ

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

（ TOP VIEW ）

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

NC

VSS

DQM1

NC

NC

CLK

CKE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

DQM3

VSS

NC

DQ31

VDDQ

DQ30

DQ29

VSSQ

DQ28

DQ27

VDDQ

DQ26

DQ25

VSSQ

DQ24

VSS

特点

3.3V电源

时钟频率： 166MHz的（最大）

单脉冲/ RAS

×32

组织

4银行可以同时运行，

独立地

突发读/写操作和突发读/写单

操作能力

可编程的脉冲串长度（BL ）：1， 2 ，4，8和满

页面

爆序列的2个版本

顺序（BL = 1，2， 4，8，全页）

交错（BL = 1， 2，4， 8）的

可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3

通过DQM字节控制

刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的

刷新2变化

自动刷新

自刷新

环境温度范围： -40 + 85°C

A0到A11 ，

BA0 ， BA1

地址输入

BANK SELECT

DQ0到DQ31

数据输入/输出

/ CS

芯片选择

/ RAS

行地址选通

列地址选通

/ CAS

写使能

/ WE

DQM0到DQM3

DQ面膜启用

CKE

CLK

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

时钟使能

时钟输入

电源电压

地

电源电压

对于DQ

NC

地面DQ

无连接

一号文件E0305E30 （版本3.0 ）

发布日期2004年9月（K ）日本

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2002-2004年

EDS1232AATA-TI

订购信息

产品型号

EDS1232AATA-60TI

EDS1232AATA-75TI

供应

电压

3.3V

组织

（字

×

位）内部银行

4M

×

32

4

时钟频率

兆赫（ MAX 。 ）

166

133

133

100

/ CAS延时

3

2

3

2

包

86引脚塑料

TSOP （II）的

产品型号

E D S12中32 A A TA - TI 60

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品编号

S： SDRAM

密度/银行

12 ： 128M / 4银行

位组织

32: x32

电压，接口

答： 3.3V ， LVTTL

牧师死亡

规格。细节

TI ： WTR （ -40至+ 85°C ）

速度

60 ：为166MHz / CL3

133MHz/CL2

75 ：为133MHz / CL3

100MHz/CL2

包

TA ： TSOP （ II ）

数据表E0305E30 （版本3.0 ）

2

EDS1232AATA-TI

目录

Description.....................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

引脚配置.........................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

电动Specifications.................................................................................................................................4

框图...............................................................................................................................................9

针Function.................................................................................................................................................10

命令操作...................................................................................................................................11

真值表..................................................................................................................................................15

简化的状态图.............................................................................................................................21

编程模式Registers.....................................................................................................................22

模式寄存器.............................................................................................................................................23

上电sequence.....................................................................................................................................26

操作SDRAM.............................................................................................................................27

定时Waveforms.......................................................................................................................................43

包装图........................................................................................................................................50

推荐焊接条件..........................................................................................................51

数据表E0305E30 （版本3.0 ）

3

EDS1232AATA-TI

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，执行上电顺序和初始化顺序正确的设备运行达到之前

（参考上电顺序）。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD ， VDDQ

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-0.5到+4.6

-0.5到+4.6

50

1.0

-40至+85

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = -40+ 85°C ）

°

参数

电源电压

符号

VDD ， VDDQ

VSS

输入高电压

输入低电压

VIH

VIL

分钟。

3.0

0

2.0

–0.3*

2

典型值。

3.3

0

马克斯。

3.6

0

VDD + 0.3 *

0.8

1

单位

V

V

V

V

笔记

注：1. VIH （最大）= VDDQ + 1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

2. VIL （分钟） = -1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

数据表E0305E30 （版本3.0 ）

4

EDS1232AATA-TI

直流特性1 （ TA = -40+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）

°

±

参数

/ CAS延时

工作电流

（CL = 2）的

（CL = 3）的

在断电的待机电流

在断电的待机电流

（输入信号稳定）

在无电源的待机电流

下

在无电源的待机电流

下

（输入信号稳定）

在电力有源待机电流

下

在电力有源待机电流

向下（输入信号稳定）

在非主动待机电流

掉电

在非主动待机电流

掉电

（输入信号稳定）

突发工作电流

刷新当前

自刷新电流

符号

IDD1

IDD1

IDD2P

IDD2PS

GRADE

-60

-75

-60

-75

马克斯。

120

105

120

105

1

1

单位

mA

mA

mA

mA

测试条件

突发长度= 1

TRC

≥

的tRC （分钟）

IO = 0毫安

一个活跃的银行

CKE

≤

VIL （最大） TCK = 15ns的

CKE

≤

VIL （最大） TCK =

∞

CKE

≥

VIH（MIN 。 ） TCK = 15ns的

CS

≥

VIH（MIN 。 ）

输入信号被改变1

在30ns的时间

CKE

≥

VIH（MIN 。 ） TCK =

∞

CKE

≤

VIL （最大） TCK = 15ns的

CKE

≤

VIL （最大） ， TCK =

∞

CKE

≥

VIH（MIN ） ， TCK = 15纳秒，

/ CS

≥

VIH（MIN 。 ）

输入信号被改变1

在30ns的时间。

CKE

≥

VIH（MIN ） ， TCK =

∞,

TCK

≥

TCK （分钟） ，

IO = 0毫安，所有银行都主动

TRC

≥

的tRC （分钟）

VIH

≥

VDD

0.2V,

VIL

≤

GND + 0.2V

2

3

笔记

1

IDD2N

20

mA

IDD2NS

IDD3P

IDD3PS

8

5

4

mA

mA

mA

IDD3N

25

mA

IDD3NS

IDD4

IDD5

IDD6

-60

-75

-60

-75

15

200

180

240

210

2.0

mA

mA

mA

mA

注：1。 IDD1取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。在

除此之外， IDD1测量条件，即地址中TCK变为只有1时间（分） 。

2. IDD4取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。

除了这一点， IDD4是测量条件，即地址TCK过程中改变仅一次

（分钟） 。

3. IDD5测定的条件下，地址是在TCK变为只有1时间（分） 。

直流特性2 （ TA = -40+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）

°

±

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

符号

ILI

国际劳工组织

VOH

VOL

分钟。

–1.0

–1.5

2.4

—

马克斯。

1.0

1.5

—

0.4

单位

A

A

V

V

测试条件

0

≤

VIN

≤

VDDQ ， VDDQ = VDD ，所有

其它引脚没有被测= 0V

0

≤

VOUT

≤

VDDQ ， DOUT被禁用

IOH = -2毫安

IOL = 2毫安

记

数据表E0305E30 （版本3.0 ）

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