数据表

128M位的SDRAM

EDS1232AATA （ 4M字

×

32位）

特定网络阳离子

密度： 128M位

组织

100万字

×

32位

×

4银行

封装： 86引脚塑料TSOP （ II ）

的Sn-Pb焊料

锡铋焊料无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

=

3.3V

±

0.3V

时钟频率： 166MHz的/ 133MHz的（最大）

四大银行内部的并发操作

接口： LVTTL

脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页

突发类型（BT） ：

顺序（ 1，2， 4，8，全页）

交织（1， 2，4， 8）

/ CAS延迟（CL） ：2,3

预充电：对于每个突发自动预充电操作

ACCESS

刷新：自动刷新，自刷新

刷新周期： 4096次/ 64ms的

平均更新周期：值为15.6μs

工作环境温度范围

TA = 0°C至+ 70°C

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

86引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

NC

VDD

DQM0

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

A11

BA0

BA1

A10(AP)

A0

A1

A2

DQM2

VDD

NC

DQ16

VSSQ

DQ17

DQ18

VDDQ

DQ19

DQ20

VSSQ

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

NC

VSS

DQM1

NC

NC

CLK

CKE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

DQM3

VSS

NC

DQ31

VDDQ

DQ30

DQ29

VSSQ

DQ28

DQ27

VDDQ

DQ26

DQ25

VSSQ

DQ24

VSS

EO

特点

×32

组织

单脉冲/ RAS

突发读/写操作和突发读/写单

操作能力

通过DQM字节控制

一号文件E0386E60 （版本6.0 ）

发布日期2007年1月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

L

od

Pr

A0到A11 ，

BA0 ， BA1

（ TOP VIEW ）

DQM0到DQM3

DQ面膜启用

地址输入

BANK SELECT

DQ0到DQ31

数据输入/输出

/ CS

芯片选择

/ RAS

行地址选通

列地址选通

/ CAS

写使能

/ WE

CKE

CLK

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

时钟使能

时钟输入

电源电压

地

电源电压

对于DQ

本产品成为了EOL 2007年3月。

Elpida

内存方面，公司2003-2007年

t

uc

NC

地面DQ

无连接

EDS1232AATA

订购信息

产品型号

EDS1232AATA-60

EDS1232AATA-75

EDS1232AATA-60L

EDS1232AATA-75L

EDS1232AATA-60-E

EDS1232AATA-75-E

3.3V

4M

×

32

4

供应

电压

3.3V

组织

（字

×

位）内部银行

4M

×

32

4

时钟频率

兆赫（ MAX 。 ）

166

133

133

100

166

133

133

100

166

133

133

100

166

133

133

100

/ CAS延时

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

包

86引脚塑料

TSOP （II）的

86引脚塑料

TSOP （II）的

（无铅）

EO

EDS1232AATA-60L-E

EDS1232AATA-75L-E

产品型号

E D S12中32 A A TA - 60 L - ê

环保码

空白：的Sn-Pb焊料

E：无铅

规格。细节

空白：正常

L：低功耗

速度

60 ：为166MHz / CL3

133MHz/CL2

75 ：为133MHz / CL3

100MHz/CL2

包

TA ： TSOP （ II ）

L

尔必达内存

TYPE

产品编号

S： SDRAM

D：单片器件

od

Pr

2

密度/银行

12 ： 128M / 4银行

位组织

32: x32

电压，接口

答： 3.3V ， LVTTL

牧师死亡

t

uc

数据表E0386E60 （版本6.0 ）

EDS1232AATA

目录

产品规格................................................................................................................................................ 1

产品特点........................................................................................................................................................ 1

针Configurations......................................................................................................................................... 1

订购信息..................................................................................................................................... 2

部分Number.................................................................................................................................................. 2

电气规格................................................................................................................................ 4

块Diagram............................................................................................................................................... 9

引脚功能................................................................................................................................................ 10

命令Operation................................................................................................................................... 11

真相Table.................................................................................................................................................. 15

简化的状态图............................................................................................................................ 21

编程模式寄存器.................................................................................................................... 22

模式Register............................................................................................................................................. 23

加电顺序................................................................................................................................... 26

在SDRAM中运行............................................................................................................................ 27

时序波形...................................................................................................................................... 43

包Drawing........................................................................................................................................ 50

推荐焊接条件......................................................................................................... 51

EO

数据表E0386E60 （版本6.0 ）

L

od

Pr

t

uc

3

EDS1232AATA

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，执行上电顺序和初始化顺序正确的设备运行达到之前

（参考上电顺序）。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD ， VDDQ

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-0.5到+4.6

-0.5到+4.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

EO

小心

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据表E0386E60 （版本6.0 ）

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = 0 + 70 ° C）

符号

分钟。

3.0

0

2.0

–0.3*

2

典型值。

3.3

0

马克斯。

3.6

0

VDD + 0.3 *

0.8

1

单位

V

V

V

V

笔记

注：1. VIH （最大）= VDDQ + 1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

2. VIL （分钟） = -1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

L

VSS

VIH

VIL

VDD ， VDDQ

od

Pr

t

uc

4

EDS1232AATA

直流特性1 （ TA = 0 + 70 ° C， VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）

参数

/ CAS延时

工作电流

（CL = 2）的

（CL = 3）的

在断电的待机电流

在断电的待机电流

（输入信号稳定）

在无电源的待机电流

下

符号

IDD1

IDD1

IDD2P

IDD2PS

GRADE

-60

-75

-60

-75

马克斯。

120

105

120

105

1

1

单位

mA

mA

mA

mA

测试条件

突发长度= 1

TRC

≥

的tRC （分钟）

IO = 0毫安

一个活跃的银行

CKE

≤

VIL （最大） TCK = 15ns的

CKE

≤

VIL （最大） TCK =

∞

CKE

≥

VIH（MIN 。 ） TCK = 15ns的

CS

≥

VIH（MIN 。 ）

输入信号被改变1

在30ns的时间

CKE

≥

VIH（MIN 。 ） TCK =

∞

CKE

≤

VIL （最大） TCK = 15ns的

CKE

≤

VIL （最大） ， TCK =

∞

CKE

≥

VIH（MIN ） ， TCK = 15纳秒，

/ CS

≥

VIH（MIN 。 ）

输入信号被改变1

在30ns的时间。

CKE

≥

VIH（MIN ） ， TCK =

∞,

TCK

≥

TCK （分钟） ，

IO = 0毫安，所有银行都主动

TRC

≥

的tRC （分钟）

2

3

笔记

1

IDD2N

20

mA

EO

突发工作电流

刷新当前

自刷新电流

自刷新电流

（L-版本）

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

数据表E0386E60 （版本6.0 ）

在无电源的待机电流

下

（输入信号稳定）

在电力有源待机电流

下

在电力有源待机电流

向下（输入信号稳定）

在非主动待机电流

掉电

在非主动待机电流

掉电

（输入信号稳定）

IDD2NS

IDD3P

IDD3PS

8

5

4

mA

mA

mA

IDD3N

25

mA

注：1。 IDD1取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。在

除此之外， IDD1测量条件，即地址中TCK变为只有1时间（分） 。

2. IDD4取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。

除了这一点， IDD4是测量条件，即地址TCK过程中改变仅一次

（分钟） 。

3. IDD5测定的条件下，地址是在TCK变为只有1时间（分） 。

直流特性2 （ TA = 0 + 70 ° C， VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）

符号

分钟。

马克斯。

单位

L

IDD3NS

IDD4

IDD5

-60

-75

-60

-75

IDD6

IDD6

-xxL

ILI

国际劳工组织

VOH

VOL

–1.0

–1.5

2.4

—

15

200

180

240

210

2.0

mA

mA

mA

od

Pr

mA

0.6

mA

测试条件

1.0

1.5

—

0.4

A

A

V

V

IOH = -2毫安

IOL = 2毫安

VIH

≥

VDD

0.2V,

VIL

≤

GND + 0.2V

记

0

≤

VIN

≤

VDDQ ， VDDQ = VDD ，

所有其它引脚不被测= 0V

0

≤

VIN

≤

VDDQ ， DOUT被禁用

t

uc

5

数据表

128M位的SDRAM

EDS1232AATA （ 4M字

×

32位）

描述

该EDS1232AATA是组织了128M位的SDRAM

为1,048,576字

×

32位

×

4银行。所有的输入和

输出与的上升沿同步

时钟。

它封装在86引脚塑料TSOP （ II ） 。

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

86引脚塑料TSOP （ II ）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

NC

VDD

DQM0

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

A11

BA0

BA1

A10(AP)

A0

A1

A2

DQM2

VDD

NC

DQ16

VSSQ

DQ17

DQ18

VDDQ

DQ19

DQ20

VSSQ

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

（ TOP VIEW ）

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

NC

VSS

DQM1

NC

NC

CLK

CKE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

DQM3

VSS

NC

DQ31

VDDQ

DQ30

DQ29

VSSQ

DQ28

DQ27

VDDQ

DQ26

DQ25

VSSQ

DQ24

VSS

特点

3.3V电源

时钟频率： 166MHz的（最大）

单脉冲/ RAS

×32

组织

4银行可以同时运行，

独立地

突发读/写操作和突发读/写单

操作能力

可编程的脉冲串长度（BL ）：1， 2 ，4，8和满

页面

爆序列的2个版本

顺序（BL = 1，2， 4，8，全页）

交错（BL = 1， 2，4， 8）的

可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3

通过DQM字节控制

刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的

刷新2变化

自动刷新

自刷新

2种类型的TSOP （II）的包

的Sn-Pb焊料

无铅焊料（锡铋）

A0到A11 ，

BA0 ， BA1

地址输入

BANK SELECT

DQ0到DQ31

数据输入/输出

/ CS

芯片选择

/ RAS

行地址选通

列地址选通

/ CAS

写使能

/ WE

DQM0到DQM3

DQ面膜启用

CKE

CLK

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

时钟使能

时钟输入

电源电压

地

电源电压

对于DQ

NC

地面DQ

无连接

一号文件E0386E40 （版本4.0 ）

发布日期2004年10月（K ）日本

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2003-2004年

EDS1232AATA

订购信息

产品型号

EDS1232AATA-60

EDS1232AATA-75

EDS1232AATA-60L

EDS1232AATA-75L

EDS1232AATA-60-E

EDS1232AATA-75-E

EDS1232AATA-60L-E

EDS1232AATA-75L-E

3.3V

4M

×

32

4

供应

电压

3.3V

组织

（字

×

位）内部银行

4M

×

32

4

时钟频率

兆赫（ MAX 。 ）

166

133

133

100

166

133

133

100

166

133

133

100

166

133

133

100

/ CAS延时

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

包

86引脚塑料

TSOP （II）的

86引脚塑料

TSOP （II）的

（无铅）

产品型号

E D S12中32 A A TA - 60 L - ê

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品编号

S： SDRAM

密度/银行

12 ： 128M / 4银行

位组织

32: x32

电压，接口

答： 3.3V ， LVTTL

牧师死亡

环保码

空白：的Sn-Pb焊料

E：无铅

规格。细节

空白：正常

L：低功耗

速度

60 ：为166MHz / CL3

133MHz/CL2

75 ：为133MHz / CL3

100MHz/CL2

包

TA ： TSOP （ II ）

数据表E0386E40 （版本4.0 ）

2

EDS1232AATA

目录

Description.....................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

引脚配置.........................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

电动Specifications.................................................................................................................................4

框图...............................................................................................................................................9

针Function.................................................................................................................................................10

命令操作...................................................................................................................................11

真值表..................................................................................................................................................15

简化的状态图.............................................................................................................................21

编程模式Registers.....................................................................................................................22

模式寄存器.............................................................................................................................................23

加电顺序....................................................................................................................................26

操作SDRAM.............................................................................................................................27

定时Waveforms.......................................................................................................................................43

包装图........................................................................................................................................50

推荐焊接条件..........................................................................................................51

数据表E0386E40 （版本4.0 ）

3

EDS1232AATA

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

上电后，执行上电顺序和初始化顺序正确的设备运行达到之前

（参考上电顺序）。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD ， VDDQ

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-0.5到+4.6

-0.5到+4.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件（ TA = 0 + 70 ° C）

°

参数

电源电压

符号

VDD ， VDDQ

VSS

输入高电压

输入低电压

VIH

VIL

分钟。

3.0

0

2.0

–0.3*

2

典型值。

3.3

0

马克斯。

3.6

0

VDD + 0.3 *

0.8

1

单位

V

V

V

V

笔记

注：1. VIH （最大）= VDDQ + 1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

2. VIL （分钟） = -1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

数据表E0386E40 （版本4.0 ）

4

EDS1232AATA

直流特性1 （ TA = 0 + 70 ° C， VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）

°

±

参数

/ CAS延时

工作电流

（CL = 2）的

（CL = 3）的

在断电的待机电流

在断电的待机电流

（输入信号稳定）

在无电源的待机电流

下

在无电源的待机电流

下

（输入信号稳定）

在电力有源待机电流

下

在电力有源待机电流

向下（输入信号稳定）

在非主动待机电流

掉电

在非主动待机电流

掉电

（输入信号稳定）

突发工作电流

刷新当前

自刷新电流

自刷新电流

（L-版本）

符号

IDD1

IDD1

IDD2P

IDD2PS

GRADE

-60

-75

-60

-75

马克斯。

120

105

120

105

1

1

单位

mA

mA

mA

mA

测试条件

突发长度= 1

TRC

≥

的tRC （分钟）

IO = 0毫安

一个活跃的银行

CKE

≤

VIL （最大） TCK = 15ns的

CKE

≤

VIL （最大） TCK =

∞

CKE

≥

VIH（MIN 。 ） TCK = 15ns的

CS

≥

VIH（MIN 。 ）

输入信号被改变1

在30ns的时间

CKE

≥

VIH（MIN 。 ） TCK =

∞

CKE

≤

VIL （最大） TCK = 15ns的

CKE

≤

VIL （最大） ， TCK =

∞

CKE

≥

VIH（MIN ） ， TCK = 15纳秒，

/ CS

≥

VIH（MIN 。 ）

输入信号被改变1

在30ns的时间。

CKE

≥

VIH（MIN ） ， TCK =

∞,

TCK

≥

TCK （分钟） ，

IO = 0毫安，所有银行都主动

TRC

≥

的tRC （分钟）

VIH

≥

VDD

0.2V,

VIL

≤

GND + 0.2V

2

3

笔记

1

IDD2N

20

mA

IDD2NS

IDD3P

IDD3PS

8

5

4

mA

mA

mA

IDD3N

25

mA

IDD3NS

IDD4

IDD5

IDD6

IDD6

-xxL

-60

-75

-60

-75

15

200

180

240

210

2.0

0.6

mA

mA

mA

mA

mA

注：1。 IDD1取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。在

除此之外， IDD1测量条件，即地址中TCK变为只有1时间（分） 。

2. IDD4取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。

除了这一点， IDD4是测量条件，即地址TCK过程中改变仅一次

（分钟） 。

3. IDD5测定的条件下，地址是在TCK变为只有1时间（分） 。

直流特性2 （ TA = 0 + 70 ° C， VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）

°

±

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

符号

ILI

国际劳工组织

VOH

VOL

分钟。

–1.0

–1.5

2.4

—

马克斯。

1.0

1.5

—

0.4

单位

A

A

V

V

测试条件

0

≤

VIN

≤

VDDQ ， VDDQ = VDD ，

所有其它引脚不被测= 0V

0

≤

VIN

≤

VDDQ ， DOUT被禁用

IOH = -2毫安

IOL = 2毫安

记

数据表E0386E40 （版本4.0 ）

5

初步数据表

128M位的SDRAM

EDS1232AABB ， EDS1232AATA （ 4M字

×

32位）

描述

该EDS1232AA是128M位的SDRAM作为举办

1,048,576字

×

32位

×

4银行。所有的输入和

输出与的上升沿同步

时钟。

它们被包装在90球FBGA封装， 86引脚塑料

TSOP （II）中。

特点

3.3V电源

时钟频率： 166MHz的（最大）

单脉冲/ RAS

×32

组织

4银行可以同时运行，

独立地

突发读/写操作和突发读/写单

操作能力

可编程的脉冲串长度（BL ）：1， 2 ，4，8和满

页面

爆序列的2个版本

顺序（BL = 1， 2，4， 8）的

交错（BL = 1， 2，4， 8）的

可编程/ CAS延迟（CL） ：2,3

通过DQM字节控制

刷新周期： 4096刷新周期/ 64ms的

刷新2变化

自动刷新

自刷新

FBGA封装是无铅焊料（锡银铜）

一号文件E0205E50 （版本5.0 ）

发布日期2002年7月（K ）日本

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2001-2002年

EDS1232AABB ， EDS1232AATA

订购信息

产品型号

EDS1232AABB-60-E

EDS1232AABB-75-E

EDS1232AABB-60L-E

EDS1232AABB-75L-E

EDS1232AATA-60

EDS1232AATA-75

EDS1232AATA-60L

EDS1232AATA-75L

3.3V

4M

×

32

4

供应

电压

3.3V

组织

（字

×

位）内部银行

4M

×

32

4

时钟频率

兆赫（ MAX 。 ）

166

133

133

100

166

133

133

100

166

133

133

100

166

133

133

100

/ CAS延时

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

3

2

包

90球FBGA

86引脚塑料

TSOP （II）的

产品型号

E D S12中32 A A BB - 60 L - ê

尔必达内存

无铅

TYPE

D：单片器件

产品编号

S： SDRAM

密度/银行

12 ： 128M / 4银行

位组织

32: x32

电压，接口

答： 3.3V ， LVTTL

牧师死亡

耗电量

空白：正常

L：低功耗

速度

60 ：为166MHz / CL3

133MHz/CL2

75 ：为133MHz / CL3

100MHz/CL2

包

TA ： TSOP （ II ）

BB ： FBGA

初步数据表E0205E50 （版本5.0 ）

2

EDS1232AABB ， EDS1232AATA

销刀豆网络gurations

/ XXX表示低电平有效的信号。

90球FBGA

1

2

3

4

5

6

7

8

9

86针TSOP

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

NC

VDD

DQM0

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

A11

BA0

BA1

A10(AP)

A0

A1

A2

DQM2

VDD

NC

DQ16

VSSQ

DQ17

DQ18

VDDQ

DQ19

DQ20

VSSQ

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

（ TOP VIEW ）

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

NC

VSS

DQM1

NC

NC

CLK

CKE

A9

A8

A7

A6

A5

A4

A3

DQM3

VSS

NC

DQ31

VDDQ

DQ30

DQ29

VSSQ

DQ28

DQ27

VDDQ

DQ26

DQ25

VSSQ

DQ24

VSS

A

DQ26 DQ24 VSS

VDD DQ23 DQ21

VDDQ VSSQ DQ19

DQ22 DQ20 VDDQ

DQ17 DQ18 VDDQ

NC

A2

A10

NC

BA0

/ CAS

VDD

DQ6

DQ1

DQ16 VSSQ

DQM2 VDD

A0

BA1

/ CS

A1

A11

/ RAS

B

DQ28 VDDQ VSSQ

C

VSSQ DQ27 DQ25

D

VSSQ DQ29 DQ30

E

VDDQ DQ31

NC

A3

A6

NC

A9

NC

VSS

F

VSS DQM3

G

A4

A5

A8

CKE

NC

H

A7

J

CLK

K

DQM1

/ WE DQM0

DQ7 VSSQ

DQ5 VDDQ

DQ3 VDDQ

L

VDDQ DQ8

M

VSSQ DQ10 DQ9

N

VSSQ DQ12 DQ14

P

DQ11 VDDQ VSSQ

VDDQ VSSQ DQ4

VDD

DQ0

DQ2

R

DQ13 DQ15 VSS

（ TOP VIEW ）

引脚名称

A0到A11

BA0 ， BA1

DQ0到DQ31

CLK

CKE

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

DQM0到DQM3

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

NC

功能

地址输入

BANK SELECT

数据输入/输出

时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通

列地址选通

写使能

DQ面膜启用

电源电压

地

电源电压DQ

地面DQ

无连接

初步数据表E0205E50 （版本5.0 ）

3

EDS1232AABB ， EDS1232AATA

目录

描述.................................................................................................................................................... 1

产品特点........................................................................................................................................................ 1

订购信息..................................................................................................................................... 2

部分Number.................................................................................................................................................. 2

针Configurations......................................................................................................................................... 3

电气规格................................................................................................................................五

块Diagram............................................................................................................................................. 10

引脚功能................................................................................................................................................ 11

命令Operation................................................................................................................................... 12

真相Table.................................................................................................................................................. 16

简化的状态图............................................................................................................................ 22

编程模式寄存器.................................................................................................................... 23

模式Register............................................................................................................................................. 24

电序列.................................................................................................................................... 27

在SDRAM中运行............................................................................................................................ 28

时序波形...................................................................................................................................... 44

包Drawing........................................................................................................................................ 51

推荐焊接条件......................................................................................................... 53

修订历史.......................................................................................................................................... 56

初步数据表E0205E50 （版本5.0 ）

4

EDS1232AABB ， EDS1232AATA

电气规格

所有电压参考VSS （ GND） 。

加电后（参见上电顺序）。

绝对最大额定值

参数

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作环境温度

储存温度

符号

VT

VDD ， VDDQ

IOS

PD

TA

TSTG

等级

-0.5到+4.6

-0.5到+4.6

50

1.0

0至+70

-55到+125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

记

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

推荐工作条件（ TA = 0 + 70 ° C）

°

参数

电源电压

符号

VDD ， VDDQ

VSS

输入高电压

输入低电压

VIH

VIL

分钟。

3.0

0

2.0

–0.3*

2

典型值。

3.3

0

马克斯。

3.6

0

VDD + 0.3 *

1

0.8

单位

V

V

V

V

笔记

注：1. VIH （最大）= VDDQ + 1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

2. VIL （分钟） = -1.5V （脉冲宽度

≤

5ns).

初步数据表E0205E50 （版本5.0 ）

5