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数据表
128M位的SDRAM
EDS1216AHTA ( 8M字
×
16比特)
特定网络阳离子
密度: 128M位
组织
2M的话
×
16位
×
4银行
封装: 54引脚塑料TSOP ( II )
无铅(符合RoHS)
电源: VDD , VDDQ
=
3.3V
±
0.3V
时钟频率: 166MHz的/ 133MHz的(最大)
四大银行内部的并发操作
接口: LVTTL
脉冲串长度(BL) : 1,2, 4,8,整页
突发类型(BT) :
顺序( 1,2, 4,8,全页)
交织(1, 2,4, 8)
/ CAS延迟(CL) :2,3
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
刷新:自动刷新,自刷新
刷新周期: 4096次/ 64ms的
平均更新周期:值为15.6μs
工作环境温度范围
TA = 0°C至+ 70°C
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
54引脚塑料TSOP ( II )
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
特点
单脉冲/ RAS
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
通过UDQM和LDQM控制字节
DQ7
VDD
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
( TOP VIEW )
A0到A11
BA0 , BA1
DQ0到DQ15
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM , UDQM
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出的掩码
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
一号文件E1160E20 (版本2.0 )
发布日期2008年2月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2007-2008年
EDS1216AHTA
订购信息
产品型号
EDS1216AHTA-6B-E
EDS1216AHTA-75-E
供应
电压
3.3V
组织内部
(字
×
位)银行
8M
×
16
4
时钟频率
兆赫( MAX 。 )
166
100
133
100
/ CAS延时
3
2
3
2
54引脚塑料TSOP ( II )
产品型号
E D S12中16 A TA - 6B - é
尔必达内存
TYPE
D:单片器件
环境法规
E:无铅(符合RoHS)
产品系列
S: SDRAM
密度/银行
12 : 128M / 4银行
组织
16: x16
电源,接口
答: 3.3V , LVTTL
牧师死亡
速度
6B :为166MHz / CL3
100MHz/CL2
75 :为133MHz / CL3
100MHz/CL2
TA : TSOP ( II )
数据表E1160E20 (版本2.0 )
2
EDS1216AHTA
目录
Specifications.................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
引脚配置.........................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
电动Specifications.................................................................................................................................4
框图.............................................................................................................................................10
针Function.................................................................................................................................................11
命令操作...................................................................................................................................13
简化的状态图.............................................................................................................................21
模式寄存器Configuration.......................................................................................................................22
上电sequence.....................................................................................................................................24
操作SDRAM.............................................................................................................................25
定时Waveforms.......................................................................................................................................41
包装图........................................................................................................................................47
推荐焊接Conditions..........................................................................................................48
数据表E1160E20 (版本2.0 )
3
EDS1216AHTA
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后,执行上电顺序和初始化顺序正确的设备运行达到之前
(参考上电顺序)。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5至VDD + 0.5 ( ≤ 4.6 (最大) )
-0.5到+4.6
50
1.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件( TA = 0 ° C至+ 70 ° C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VDD , VDDQ
VSS , VSSQ
VIH
VIL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
马克斯。
3.6
0
VDD + 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
1
2
3
4
注:1 。
2.
3.
4.
与所有VDD和VDDQ的管脚的电源电压必须在相同的水平。
与所有VSS和VSSQ引脚的电源电压必须在相同的水平。
VIH (最大) = VDD + 1.5V (脉冲宽度
5ns).
VIL (分钟) = VSS - 1.5V (脉冲宽度
5ns).
数据表E1160E20 (版本2.0 )
4
EDS1216AHTA
直流特性1 ( TA = 0 ° C至+ 70 ° C, VDD , VDDQ = 3.3V ± 0.3V , VSS , VSSQ = 0V)
参数
工作电流
在掉电待机电流
在掉电待机电流
(输入信号稳定)
在非掉电待机电流
在非掉电待机电流
(输入信号稳定)
主动待机电流在掉电
主动待机电流在掉电
(输入信号稳定)
符号
IDD1
IDD2P
IDD2PS
IDD2N
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
GRADE
-6B
-75
马克斯。
100
90
3
2
20
8
4
3
20
15
-6B
-75
-6B
-75
90
80
200
180
2
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
突发长度= 1
的tRC =的tRC (分钟)
CKE = VIL ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIL , TCK =
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIH , TCK =
∞,
/ CS = VIH
CKE = VIL ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIL , TCK =
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
CKE = VIH , TCK =
∞,
/ CS = VIH
TCK TCK = (分钟) ,
BL = 4
的tRC =的tRC (分钟)
VIH
VDD = 0.2V
VIL
0.2V
笔记
1, 2, 3
6
7
4
8
1, 2, 6
2, 7
1, 2, 4
2, 8
1, 2, 5
3
在非掉电IDD3N主动待机电流
在非掉电主动待机电流
IDD3NS
(输入信号稳定)
突发工作电流
刷新当前
自刷新电流
IDD4
IDD5
IDD6
注:1.国际直拨依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。国际直拨(最大)是在输出指定
开放的条件。
2.一家银行的操作。
3.输入信号的每一个时钟更换一次。
4.输入信号每两个时钟更换一次。
5.输入信号每四个时钟更换一次。
6.在掉电模式下, CLK工作电流。
7.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
8.输入信号VIH或VIL固定。
数据表E1160E20 (版本2.0 )
5
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