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初步数据表
288M位直接Rambus DRAM
EDR2518ABSE ( 512K字
×
18位
×
32S银行)
描述
该EDR2518AB (直接RDRAM )是一个通用
适合用途的高性能存储设备
在范围广泛的应用,包括使用
计算机存储器,图形,视频,和其他任何
应用需要高带宽和低延迟的
所需。
该EDR2518AB为1066MHz的288Mbits直接Rambus公司
DRAM ( RDRAM
) ,组织为16M字由18位。
采用RAMBUS信号级( RSL )技术
同时允许使用800MHz至1066MHz的传输速率
传统的系统和电路板设计技术。
直接RDRAM设备能够持续数据
每16每两个字节接送0.9375ns ( 7.5ns
个字节)。
直接RDRAM设备的架构允许
最高的持续带宽为多个,
同时随机寻址的存储器
交易。
独立的控制和数据总线与独立
行和列控收益率超过95 %,公交车的效率。
直接RDRAM设备32组支持高达
四个同步交易。
体系化的特点为移动,图形和
大内存系统包括电源管理,
字节屏蔽。
它是提供在适合于CSP的横包
台式机以及低调的附加卡和移动
应用程序。直接RDRAM设备从运行
2.5V电源。
特点
每个DRAM器件的最高持续带宽
- 2.1 GB / s的持续数据传输率
- 独立的控制与数据总线的最大化
效率
- 独立的行和列的控制总线,便于
调度和最高性能
- 32银行:四笔交易可以发生
同时,在全带宽的数据传输速率
低延迟特性
- 写缓存以减少读取延迟
- 对控制器的灵活性3预充电机制
- 交叉交易
先进的电源管理:
- 多种低功耗状态可在电源的灵活性
消费与时间的关系,以积极的状态
掉电自刷新
组织: 2K字节页和32银行, ×18
采用RAMBUS信号级( RSL)最多
1066MHz的操作
FBGA ( μ BGA
)
包锡铅或无铅
焊料( Sn-Ag系, Cu)的
一号文件E0260E40 (版本4.0 )
发布日期2003年4月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2002-2003年公司
EDR2518ABSE
订购信息
产品型号
EDR2518ABSE-AEP
EDR2518ABSE-AE
EDR2518ABSE-AD
EDR2518ABSE-8C
EDR2518ABSE-AEP-E
EDR2518ABSE-AE-E
EDR2518ABSE-AD-E
EDR2518ABSE-8C-E
组织*
WORDS
×
×
国内
银行
512K ×18× 32S
时钟频率
兆赫( MAX 。 )
1066
1066
1066
800
1066
1066
1066
800
/ RAS接入
时间(纳秒)
32 (-32P)
32 (-32)
35
40
32 (-32P)
32 (-32)
35
40
80球FBGA ( μBGA )
注: “ 32S ”标识表示该RDRAM的核心由32个银行的使用“拆分”银行
架构
产品型号
E D R 25 18 A B SE - AEP - é
尔必达内存
TYPE
D:单片器件
产品编号
R: RDRAM
密度&位组织
2518 : 288M ( X18位)
环境法规
空白:的Sn-Pb焊料
E:无铅
速度
AEP : 1066MHz的
( TRAC = 32NS ,
SE : FBGA
TDAC = 3clocks )
( μBGA与封底)
AE : 1066MHz的
( TRAC = 32NS )
AD : 1066MHz的
牧师死亡
( TRAC =为35ns )
8C : 800MHz的
( TRAC = 40ns的)
电压,接口
答: 2.5V , RSL
2
初步数据表
E0260E40 (版本4.0 )
EDR2518ABSE
引脚配置
80球FBGA (
BGA )
顶视图
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
B
O
O
O
C
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
S
O
O
O
T
O
O
A
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
U
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
GND
GND
V
DD
GND
GND
V
DD
V
DD
DQA8
CMD
DQA7
V
DD
DQA5
GND
DQA3
GNDA
DQA1
GNDA
CTMN
V
DD
CTM
V
DD
GND
GND
COL3
V
DD
COL1
V
DD
DQB1
GND
DQB3
GND
DQB5
Vcmos
DQB7
V
DD
DQB8
GND
V
DD
ROW2 ROW0
V
DD
GND
GND
DQA6
SCK
DQA4
DQA2
DQA0
CFM
GND
CFMN
ROW1
V
REF
COL4
GND
COL2
COL0
GND
DQB0
GND
DQB2
DQB4
SIO0
DQB6
SIO1
GND
GND
GND
V
DD
VCMOS GND
V
DD
V
DD
a
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
GND
GND
V
DD
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
T
U
一些信号可以被应用,因为该管脚没有连接到该芯片的内侧。
初步数据表
E0260E40 (版本4.0 )
3
EDR2518ABSE
引脚说明
信号
SIO0 , SIO1
输入/输出
TYPE
#pins
2
描述
串行输入/输出。的标签以使用从读出和写入到控制寄存器
一个串行存取协议。也可用于电源管理。
CMD
输入
CMOS
Note1
1
指令输入。与SIO0和SIO1一起用于从读取标签
并写入到控制寄存器。也可用于电源管理。
SCK
输入
CMOS
Note1
1
串行时钟输入。用于读取和写入到所述控制时钟源
寄存器。
V
DD
V
DDA
V
CMOS
GND
GND
a
DQA8..DQA0
输入/输出
RSL
Note2
18
1
2
22
2
9
电源电压的RDRAM芯和接口逻辑。
电源电压为RDRAM模拟电路。
电源电压CMOS输入/输出引脚。
对RDRAM的核心和接口的参考地。
对RDRAM的模拟电路的参考地。
数据字节A.九个管脚携带的读取或写入的数据的字节
渠道和RDRAM 。
CFM
输入
RSL
Note2
输入/输出CMOS
Note1
1
时钟的主。接口时钟用于从接收的RSL信号
通道。正极性。
CFMN
输入
RSL
Note2
1
时钟的主。接口时钟用于从接收的RSL信号
通道。负极性。
V
REF
CTMN
输入
RSL
Note2
1
1
逻辑阈值参考电压为RSL的信号。
时钟掌握。接口时钟用于传输RSL信号通道。
负极性。
CTM
输入
RSL
Note2
1
时钟掌握。接口时钟用于传输RSL信号通道。
正极性。
ROW2..ROW0
输入
RSL
Note2
3
行访问控制。三个销含有控制和地址信息
行访问。
COL4..COL0
输入
RSL
Note2
5
列访问控制。五个引脚含有控制和地址信息
列的访问。
DQB8..DQB0
输入/输出
RSL
Note2
9
数据字节B.九个管脚携带的读取或写入的数据的字节
渠道和RDRAM 。
每包的总针数
80
注意事项1 。
所有CMOS信号是高真;高电压是逻辑1和低电压是逻辑零。
2.
所有RSL信号是低电平有效;低电压为逻辑1和高电压是逻辑零。
4
初步数据表
E0260E40 (版本4.0 )
EDR2518ABSE
框图
RQ7..RQ5或
ROW2..ROW0
3
RCLK
DQB8..DQB0
9
CTM CTMN SCK , CMD SIO0 , SIO1
2
2
CFM CFMN
RQ4..RQ0或
COL4..COL0
5
DQA8..DQA0
9
RCLK
1:8多路分离器
TCLK
RCLK
1:8多路分离器
数据包解码
ROWR
ROWA
11
ROP
AV
5
DR
5
BR
9
R
控制寄存器
COLX
6
5
5
数据包解码
COLC
5
5
5
7
COLM
8
8
REFR
电源模式
DEVID
XOP
M
DX
BX
COP
S
DC
BC
C
MB
MA
MATCH
DM
MUX
行译码
PRER
法案
MATCH
XOP解码
PREX
MATCH
卜FF器
MUX
MUX
列解码&面膜
SENSE AMP
64x72
DRAM核心
64x72
桑普桑普
0/1
0
PREC
512x128x144
64x72
桑普桑普
0/1
0
RD , WR
72
DQB内部数据路径
72
BANK 0
银行1
2银行
DQA内部数据路径
72
72
SAMP
1/2
SAMP
1/2
RCLK
9
9
SAMP
13/14
13银行
14银行
15银行
SAMP
13/14
9
9
RCLK
写缓冲器
写缓冲器
1:8多路分离器
1:8多路分离器
SAMP
14/15
9
9
SAMP
14/15
SAMP
15
SAMP
15
SAMP
16
SAMP
16
SAMP
16/17
16银行
17银行
18银行
SAMP
16/17
TCLK
9
9
TCLK
SAMP
17/18
SAMP
17/18
9
8 : 1多路复用器
SAMP
29/30
29银行
30银行
31银行
SAMP
29/30
桑普桑普
30/31
31
8 : 1多路复用器
9
桑普桑普
30/31
31
初步数据表
E0260E40 (版本4.0 )
5
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    EDR2518ABSE-AEP-E
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EDR2518ABSE-AEP-E
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