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数据表
128M位的移动RAM
EDL1216BASA ( 8M字
×
16比特)
描述
该EDL1216BA是组织了128M位的移动RAM
为2,097,152字
×
16位
×
4银行。低
电源同步DRAM实现低功耗
使用该消耗量和高速数据传输
流水线结构。
所有的输入和输出
在时钟的正边缘同步。
该产品被包装在54球FBGA 。
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
1
A
VSS
DQ15 VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
2
3
4
5
6
7
8
9
B
DQ14 DQ13 VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
特点
低电源
VDD :
2.5V
±
0.2V
VDDQ : 2.5V
±
0.2V
宽温度范围( -25 ° C至85°C )
可编程局部自刷新
可编程驱动强度
可编程温度补偿自刷新
(可选)
深度掉电模式
小型封装( 54球FBGA )
完全同步动态RAM中,具有所有信号
参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址每
周期
由BA0 ( A13)控制的四核内部银行,
BA1 ( A12 )
通过LDQM和UDQM字节控制
裹序列=顺序/交错
/ CAS延迟(CL) = 2,3
自动预充电和预充电控制
自动刷新和自刷新
×16
组织
4096刷新周期/ 64ms的
突发终止突发停止命令和
预充电命令
C
DQ12 DQ11 VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
/ CAS
/ RAS
/ WE
G
NC
A11
A9
BA0
BA1
/ CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
( TOP VIEW )
应用
移动蜂窝手机, PDA,无线PDA,掌上
PC ,家电和信息
电器等
A0到A11
BA0 , BA1
DQ0到DQ15
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
UDQM
LDQM
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
上DQ掩膜启用
低DQ面膜能
电源电压
电源电压DQ
地面DQ
无连接
一号文件E0255E10 (版本1.0 )
发布日期2002年3月(K )日本
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2002年公司
EDL1216BASA
订购信息
产品型号
EDL1216BASA-75
组织
(字
×
位)
8M
×
16
内部银行
4
时钟频率
兆赫( MAX 。 )
133
/ CAS延时
3
54球FBGA
数据表E0255E10 (版本1.0 )
2
EDL1216BASA
目录
描述.................................................................................................................................................... 1
产品特点........................................................................................................................................................ 1
应用程序................................................................................................................................................... 1
引脚配置......................................................................................................................................... 1
订购信息..................................................................................................................................... 2
电动Specifications................................................................................................................................. 4
引脚功能.................................................................................................................................................. 9
命令操作................................................................................................................................... 10
真值表.................................................................................................................................................. 14
简化的状态Diagram............................................................................................................................. 19
Initialization.................................................................................................................................................. 20
编程模式寄存器.................................................................................................................... 20
银行,选择和预充电地址位.......................................... .................................................. ... 24
移动的操作RAM...................................................................................................................... 25
时序波形...................................................................................................................................... 33
包装图........................................................................................................................................ 56
推荐焊接Conditions.......................................................................................................... 57
修订历史.......................................................................................................................................... 60
数据表E0255E10 (版本1.0 )
3
EDL1216BASA
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后,等待超过200
s
然后,执行上电顺序和前妥善2自动刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
VT
VDD , VDDQ
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5到+3.6
-0.5到+3.6
50
1.0
-25至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件( TA = -25 + 85°C )
°
参数
电源电压
符号
VDD
VSS
DQ电源电压
输入高电压
输入低电压
VDDQ
VIH
VIL
分钟。
2.3
0
2.3
0.8
×
VDDQ
–0.3*
2
典型值。
2.5
0
2.5
马克斯。
2.7
0
2.7
VDDQ + 0.3 *
1
0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
注:1. VIH (最大)= VDDQ + 1.5V (脉冲宽度
5ns).
2. VIL (分钟) = -1.5V (脉冲宽度
5ns).
数据表E0255E10 (版本1.0 )
4
EDL1216BASA
直流特性( TA = -25 + 85°C , VDD = 2.5V ± 0.2V , VDDQ = 2.5V
±
0.2V , VSS , VSSQ = 0V)
°
参数
/ CAS延时
工作电流
(CL = 2)的
(CL = 3)的
在断电的待机电流
在断电的待机电流
(输入信号稳定)
在无电源的待机电流
在无电源的待机电流
向下(输入信号稳定)
在电力有源待机电流
在电力有源待机电流
向下(输入信号稳定)
在非主动待机电流
掉电
符号
IDD1
IDD1
IDD2P
IDD2PS
GRADE
马克斯。
65
65
1
0.6
单位
mA
mA
mA
mA
测试条件
突发长度= 1
TRC
的tRC分钟, IO = 0毫安,
一个活跃的银行
CKE
VIL最大, TCK = 15ns的
CKE
VIL最大, TCK =
CKE
VIH分钟, TCK = 15ns的,
/ CS
VIH分钟,
输入信号被改变1
在30ns的时间。
CKE
VIH分钟, TCK =
∞,
输入信号是稳定的。
CKE
VIL最大, TCK = 15ns的
CKE
VIL最大, TCK =
CKE
VIH分钟, TCK = 15纳秒,
/ CS
VIH分钟,
输入信号被改变1
在30ns的时间。
CKE
VIH分钟, TCK =
∞,
输入信号是稳定的。
TCK
TCK分钟,
2
IOUT = 0毫安,所有银行都主动
笔记
1
IDD2N
5.5
mA
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
2
1.5
1
mA
mA
mA
IDD3N
17
mA
在非主动待机电流
IDD3NS
断电(输入信号稳定)
突发工作电流
IDD4
(CL = 2)的
(CL = 3)的
刷新当前
(CL = 2)的
(CL = 3)的
自刷新电流
PASR = "000" (全)
PASR = "001" ( 2BK )
PASR = "010" ( 1BK )
PASR = "101" (1/2 BK )
PASR = "110" (1/4 BK )
PASR = "000" (全)
PASR = "001" ( 2BK )
PASR = "010" ( 1BK )
PASR = "101" (1/2 BK )
PASR = "110" (1/4 BK )
PASR = "000" (全)
PASR = "001" ( 2BK )
PASR = "010" ( 1BK )
PASR = "101" (1/2 BK )
PASR = "110" (1/4 BK )
深电源的待机电流
Down模式
IDD7
IDD6
IDD6
IDD4
IDD5
IDD5
IDD6
12
60
80
155
155
0.35
0.25
0.18
0.12
0.09
0.20
0.15
0.10
0.08
0.07
0.60
0.50
0.43
0.37
0.34
10
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
TRC
的tRC分钟。
3
TCSR = "00" ( TS *
4
70°C)
CKE
0.2V
TCSR = "01" ( TS *
4
45°C)
CKE
0.2V
TCSR = "11" ( TS *
4
85°C)
CKE
0.2V
CKE
0.2V
数据表E0255E10 (版本1.0 )
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EDL1216BASA-75
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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