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数据表
8G位DDR3L SDRAM , DDP
EDJ8216E5MB ( 512M词
16比特)
特定网络阳离子
密度: 8G位
组织
64M的话
16位
8银行
96球FBGA
DDP : 2个4G比特在一个芯片密封
无铅(符合RoHS)和无卤素
电源: 1.35V (典型值)。
VDD , VDDQ
½
1.283V至1.45V
落后的VDD , VDDQ兼容
½
1.5V
0.075V
数据速率
1600Mbps / 1333Mbps (最大)
2KB页大小
行地址: A0到A15
列地址: A0到A9
八个内部银行的并发操作
突发长度( BL ) : 8和4突发印章( BC)
突发类型(BT) :
连续的( 8 , 4 BC)
交错( 8,4与BC)
/ CAS延迟(CL) : 5 ,6,7 ,8,9 ,10,11
/ CAS写入延迟(CWL ) :5, 6 ,7,8
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力: RZQ / 7 , RZQ / 6 ( RZQ = 240Ω )
刷新:自动刷新,自刷新
刷新周期
平均更新周期
7.8μs在0℃下
TC
85C
在3.9μs
85C
TC
95C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
特点
双倍数据速率的架构:每两次数据传输
时钟周期
高速数据传输是通过8位来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通( DQS和/ DQS )
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
片上端接( ODT)为更好的信号质量
同步ODT
动态ODT
异步ODT
多用途寄存器( MPR )的预定义样式
读出
ZQ校准DQ驱动和ODT
可编程部分阵列自刷新( PASR )
/ RESET引脚上电顺序和复位
功能
SRT范围:
作者/扩展
可编程输出驱动器阻抗控制
一号文件E1826E30 (版本3.0 )
发布日期2012年4月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面,公司2011年-2012年
EDJ8216E5MB
订购信息
产品型号
EDJ8216E5MB-GN-F
EDJ8216E5MB-DJ-F
调整
5
组织
(字
位)
512M
16
国内
银行
8
JEDEC速度斌
( CL - tRCD的-TRP )
DDR3L -1600K ( 11-11-11 )
DDR3L - 1333H ( 9-9-9 )
96球FBGA ( DDP )
注: 1。请参阅EDJ8216B5MB数据表( E1824E )使用时,此设备在1.5V操作,除非
另有说明。
产品型号
D,J 82 16年5 MB - GN- F
尔必达内存
TYPE
D:包装设备
产品系列
记者: DDR3
密度/银行
82 :8GB / 8银行
环境法规
F:无铅(符合RoHS)
和无卤
速度
GN : DDR3L -1600K ( 11-11-11 )
DJ : DDR3L - 1333H ( 9-9-9 )
组织
16: x16
MB :堆叠式FBGA
电源
E: 1.35V
调整
数据表E1826E30 (版本3.0 )
2
EDJ8216E5MB
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
96球FBGA
1
A
2
3
7
8
9
VDDQ
DQU5 DQU7
B
VSSQ
C
VDDQ DQU3
DQU1
D
E
VSS
F
VDDQ DQL2 DQSL
DQU4 VDDQ
VSS
VDD
VSS
/ DQSU DQU6 VSSQ
DQSU DQU2
VDDQ
DQU0 VSSQ
DML
VDD
VDDQ VSSQ
DMU
VSSQ
DQL0
VSSQ
VDDQ
DQL1 DQL3 VSSQ
VDD
VSS
VSSQ
G
VSSQ DQL6 / DQSL
H
VREFDQ VDDQ DQL4
DQL7 DQL5 VDDQ
CK
VSS
NC
CKE
ZQ1
J
NC
K
ODT
VSS
VDD
/ CS
BA0
A3
A5
A7
/ RAS
/ CAS
/ WE
BA2
A0
A2
A9
/ CK
VDD
L
NC
A10(AP)
ZQ0
M
VSS
A15
VREFCA VSS
VDD
N
VDD
A12 ( / BC) BA1
A1
A11
A4
A6
P
VSS
R
VDD
VDD
VSS
VSS
T
VSS / RESET A13
A14
A8
( TOP VIEW )
引脚名称
A0至A15 *
2
功能
地址输入
A10 ( AP) :自动预充电
A12 ( / BC ) :突发印章
2
引脚名称
/ RESET *
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
VREFCA
ZQ0 , ZQ1
NC *
1
2
功能
低电平有效的异步复位
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
参考电压DQ
参考电压
参考引脚ZQ校准
无连接
BA0至Ba2 *
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
芯片选择
2
DQU0到DQU7
DQL0到DQL7
DQSU , / DQSU
DQSL , / DQSL
/ CS *
2
/ RAS , / CAS , /我们*
CKE *
2
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
ODT控制
CK , / CK
DMU , DML
ODT *
2
注意事项: 1.不与内部芯片连接。
2.仅输入引脚(地址,命令, CKE , ODT和/ RESET )不提供端接。
数据表E1826E30 (版本3.0 )
3
EDJ8216E5MB
框图( DDP )
CK , / CK
CKE
/ CS
/ CAS , / RAS , / WE
/ RESET
ODT
BA0 , BA1 , BA2
A0至A15
CK , / CK
CKE
/ CS
/ CAS , / RAS , / WE
/ RESET
ODT
BA0 , BA1 , BA2
VDD
VDDQ
VSS
VDD
VDDQ
VSS
VSSQ
DML
DQSL , / DQSL
DQL0到DQL7
VREFDQ
VREFCA
ZQ0
4G ( X8 )位
DDR3 SDRAM 1
VSSQ
DM
DQS , / DQS
DQ0到DQ7
VREFDQ
VREFCA
A0至A15
ZQ
CK , / CK
CKE
/ CS
/ CAS , / RAS , / WE
/ RESET
ODT
VDD
VDDQ
VSS
4G ( X8 )位
DDR3 SDRAM 2
VSSQ
DM
DQS , / DQS
DMU
DQSU , / DQSU
DQU0到DQU7
DQ4到DQ7 , DQ0到DQ3
VREFDQ
BA0 , BA1 , BA2
VREFCA
A0至A15
ZQ
ZQ1
数据表E1826E30 (版本3.0 )
4
EDJ8216E5MB
目录
Specifications.................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
框图( DDP ) ....................................................................................................................................4
电气条件......................................................................................................................................7
绝对最大额定值.........................................................................................................................7
工作温度条件...............................................................................................................7
建议的直流工作条件( TC = 0C至+ 85C , VDD和VDDQ = 1.283V到1.45V ) ............... 8
建议的直流工作条件( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.5V
0.075V) ..................8
AC和DC输入测量级别( TC = 0C至+ 85C , VDD和VDDQ = 1.283V到1.45V ) ................... 9
VREF公差...................................................................................................................................... 10
输入转换率降额........................................................................................................................... 11
AC和DC逻辑输入电平为差分信号......................................... ...................................... 16
AC和DC输出测量级别( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.283V到1.45V ) .............. 21
AC过冲/下冲Specification.................................................................................................... 23
输出驱动器Impedance........................................................................................................................... 24
片上端接( ODT)水平和IV特性....................................... ................................. 26
ODT时序Definitions.............................................................................................................................. 28
IDD测量条件( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.283V到1.45V ) ......................... ...... 32
电动Specifications...............................................................................................................................45
直流特性1 ( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.283V到1.45V ) ......................... .................... 45
引脚电容( TC = 25℃ , VDD和VDDQ = 1.283V到1.45V ) ............................... .................................. 47
标准速度垃圾桶................................................................................................................................. 48
AC特性( TC = 0C至+ 85C , VDD , VDDQ = 1.283V到1.45V , VSS , VSSQ = 0V) ................... 50
框图(片) ..................................................................................................................................58
针Function.................................................................................................................................................59
命令操作...................................................................................................................................61
命令真值表............................................................................................................................... 61
CKE真值表........................................................................................................................................ 65
简化的状态图.............................................................................................................................66
复位和初始化过程............................................................................................................67
上电和初始化顺序....................................................................................................... 67
复位和初始化与稳定的电源............................................ .................................................. ... 68
编程模式Register.................................................................................................................69
模式寄存器设置指令周期时间(超过tMRD ) ......................................... ........................................... 69
MRS命令非MRS命令延迟( TMOD ) ....................................... ..................................... 69
DDR3 SDRAM模式寄存器0 MR0 ] ..................................................................................................... 70
数据表E1826E30 (版本3.0 )
5
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12600
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