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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第311页 > EDJ2108BASE-DJ-F
初步数据表
位2G DDR3 SDRAM
EDJ2104BASE ( 512M词
×
4比特)
EDJ2108BASE ( 256M词
×
8比特)
特定网络阳离子
密度: 2G位
组织
64M的话
×
4位
×
8银行( EDJ2104BASE )
32M的话
×
8位
×
8银行( EDJ2108BASE )
78球FBGA
无铅(符合RoHS)和无卤素
电源: VDD , VDDQ
=
1.5V
±
0.075V
数据速率
1600Mbps / 1333Mbps / 1066Mbps / 800Mbps的(最大)
1KB的页面大小
行地址: A0到A14
列地址: A0到A9 , A11 ( EDJ2104BASE )
A0到A9 ( EDJ2108BASE )
八个内部银行的并发操作
接口: SSTL_15
突发长度( BL ) : 8和4突发印章( BC)
突发类型(BT) :
连续的( 8 , 4 BC)
交错( 8,4与BC)
/ CAS延迟(CL) : 6,7, 8,9 ,10,11
/ CAS写入延迟(CWL ) :5, 6 ,7,8
预充电:对于每个突发自动预充电选项
ACCESS
驱动力: RZQ / 7 , RZQ / 6 ( RZQ = 240Ω )
刷新:自动刷新,自刷新
刷新周期
平均更新周期
7.8μs在0℃下
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
工作温度范围
TC = 0 ° C至+ 95°C
特点
双倍数据速率体系结构;两种数据传输每
时钟周期
高速数据传输是通过8位来实现
预取流水线结构
双向差分数据选通( DQS和/ DQS )
传输/数据接收的数据采集
接收器
DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
差分时钟输入( CK和/ CK )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
数据掩码(DM)写入数据
发布/ CAS通过可编程附加延迟
更好的命令和数据总线效率
片上端接( ODT)为更好的信号质量
同步ODT
动态ODT
异步ODT
多用途寄存器( MPR)的温度读
OUT
ZQ校准DQ驱动和ODT
可编程部分阵列自刷新( PASR )
/ RESET引脚上电顺序和复位
功能
SRT范围:
作者/扩展
可编程输出驱动器阻抗控制
一号文件E1505E20 (版本2.0 )
发布日期2009年11月(K )日本
日本印刷
网址: http://www.elpida.com
Elpida
内存方面, 2009年公司
EDJ2104BASE , EDJ2108BASE
订购信息
产品型号
EDJ2104BASE-GN-F
EDJ2104BASE-DJ-F
EDJ2104BASE-AE-F
EDJ2104BASE-8C-F
EDJ2108BASE-GN-F
EDJ2108BASE-DJ-F
EDJ2108BASE-AE-F
EDJ2108BASE-8C-F
DIE
调整
A
组织
(字
×
位)
512M
×
4
国内
银行
8
JEDEC速度斌
( CL - tRCD的-TRP )
DDR3-1600K ( 11-11-11 )
DDR3-1333H ( 9-9-9 )
DDR3-1066F ( 7-7-7 )
DDR3-800E ( 6-6-6 )
DDR3-1600K ( 11-11-11 )
DDR3-1333H ( 9-9-9 )
DDR3-1066F ( 7-7-7 )
DDR3-800E ( 6-6-6 )
78球FBGA
256M
×
8
产品型号
D,J 21 04 B A SE - GN- F
尔必达内存
TYPE
D:单片器件
环境法规
F:无铅(符合RoHS)
和无卤
产品系列
记者: DDR3
密度/银行
21 :2GB / 8银行
速度
GN : DDR3-1600K ( 11-11-11 )
DJ : DDR3-1333H ( 9-9-9 )
AE : DDR3-1066F ( 7-7-7 )
8C : DDR3-800E ( 6-6-6 )
组织
04: x4
08: x8
SE : FBGA
电源,接口
B: 1.5V , SSTL_15
牧师死亡
初步数据表E1505E20 (版本2.0 )
2
EDJ2104BASE , EDJ2108BASE
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
78球FBGA ( × 4配置)
1
A
VSS
B
VSS VSSQ
C
VDDQ
D
VSSQ
E
VREFDQ VDDQ
F
NC
G
ODT
H
NC
J
VSS
K
VDD
L
VSS
M
N
VSS / RESET A13
( TOP VIEW )
A14
A8
VSS
VDD
A5
A7
A2
A9
A1
A11
A4
A6
VSS
VDD
M
N
VSS / RESET A13
( TOP VIEW )
A14
A8
VSS
A3
A0
A12 ( / BC) BA1
VDD
L
VSS
VDD
A5
A7
A2
A9
A1
A11
A4
A6
VSS
VDD
BA0
BA2
NC
VREFCA VSS
K
VDD
A3
A0
A12 ( / BC) BA1
VDD
/ CS
/ WE
A10(AP)
ZQ
NC
J
VSS
BA0
BA2
NC
VREFCA VSS
VDD
/ CAS
/ CK
VDD
CKE
H
NC
/ CS
/ WE
A10(AP)
ZQ
NC
VSS
/ RAS
CK
VSS
NC
G
ODT
VDD
/ CAS
/ CK
VDD
CKE
NC
NC
NC
VDDQ
F
NC
VSS
/ RAS
CK
VSS
NC
NC
/ DQS
VDD
VSS
VSSQ
E
VREFDQ VDDQ
DQ2
的DQ
DQ1
DQ3
VSSQ
D
VSSQ
DQ6
/ DQS
DQ4
VDD
DQ7
VSS
DQ5
VSSQ
VDDQ
DQ0
DM
VDDQ VSSQ
C
VDDQ
DQ2
的DQ
DQ1
DQ3
VSSQ
VDD
NC
NC
VSS
VDD
B
VSS VSSQ
DQ0
DM / TDQS
VDDQ VSSQ
78球FBGA ( × 8配置)
9
A
VSS
VDD
NC
NU / ( / TDQS )
VSS
2
3
7
8
1
2
3
7
8
9
VDD
引脚名称
A0到A14 *
3
功能
地址输入
A10 ( AP) :自动预充电
A12 ( / BC ) :突发印章
3
引脚名称
/ RESET *
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
VREFCA
ZQ
NC *
NU *
1
2
3
功能
低电平有效的异步复位
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
参考电压DQ
参考电压
参考引脚ZQ校准
无连接
不可用
BA0至Ba2 *
DQ0到DQ7
DQS , / DQS
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
终止数据选通
芯片选择
3
TDQS , / TDQS
/ CS *
3
/ RAS , / CAS , /我们*
CKE *
3
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
CK , / CK
DM
ODT *
3
ODT控制
注意事项: 1.不与内部芯片连接。
2.不要连接。内部连接。
3.输入专用管脚(地址,命令, CKE , ODT和/ RESET )不提供端接。
初步数据表E1505E20 (版本2.0 )
3
EDJ2104BASE , EDJ2108BASE
目录
Specifications.................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
电气条件......................................................................................................................................6
绝对最大额定值.........................................................................................................................6
工作温度条件...............................................................................................................6
建议的直流工作条件( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.5V
±
0.075V) ..................7
AC和DC输入测量级别( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.5V
±
0.075V)......................7
VREF公差........................................................................................................................................8
输入转换率降额.............................................................................................................................9
AC和DC逻辑输入电平为差分信号......................................... ...................................... 15
AC和DC输出测量级别( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.5V
±
0.075V) ................. 20
AC过冲/下冲Specification.................................................................................................... 22
输出驱动器Impedance........................................................................................................................... 23
片上端接( ODT)水平和IV特性....................................... ................................. 25
ODT时序Definitions.............................................................................................................................. 27
IDD测量条件( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD和VDDQ = 1.5V
±
0.075V) .................................. 31
电动Specifications...............................................................................................................................44
直流特性1 ( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.5V
±
0.075V) ................................................ 44
引脚电容( TC = 25℃ , VDD和VDDQ = 1.5V
±
0.075V) .................................................................... 46
标准速度垃圾桶................................................................................................................................. 47
AC特性( TC = 0 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.5V
±
0.075V , VSS , VSSQ = 0V) ...................... 51
框图.............................................................................................................................................65
针Function.................................................................................................................................................66
命令操作...................................................................................................................................68
命令真值表............................................................................................................................... 68
CKE真值表........................................................................................................................................ 72
简化的状态图.............................................................................................................................73
复位和初始化过程............................................................................................................74
上电和初始化顺序....................................................................................................... 74
复位和初始化与稳定的电源............................................ .................................................. ... 75
编程模式Register.................................................................................................................76
模式寄存器设置指令周期时间(超过tMRD ) ......................................... ........................................... 76
MRS命令非MRS命令延迟( TMOD ) ....................................... ..................................... 76
DDR3 SDRAM模式寄存器0 MR0 ] ..................................................................................................... 77
DDR3 SDRAM模式寄存器1 [ MR1 ] ..................................................................................................... 78
DDR3 SDRAM模式寄存器2 [ MR2 ] ..................................................................................................... 79
初步数据表E1505E20 (版本2.0 )
4
EDJ2104BASE , EDJ2108BASE
DDR3 SDRAM模式寄存器3 [ MR3 ] ..................................................................................................... 80
突发长度( MR0 ) ................................................................................................................................... 81
突发类型( MR0 ) ...................................................................................................................................... 81
DLL使能( MR1 ) ..................................................................................................................................... 82
DLL断模式............................................................................................................................................. 82
DLL的通/断切换过程................................................................................................................. 83
附加延迟(MR1).............................................................................................................................. 85
写调整( MR1 ) ................................................................................................................................. 86
TDQS , / TDQS功能( MR1 ) ................................................................................................................... 89
扩展温度用法( MR2 ) ........................................................................................................ 90
多用途注册(MR3).................................................................................................................... 92
在DDR3 SDRAM的操作..................................................................................................................99
读时序Definition............................................................................................................................... 99
读操作....................................................................................................................................... 103
写时序Definition............................................................................................................................. 110
写Operation........................................................................................................................................ 111
写时序违规............................................................................................................................ 117
写数据面膜...................................................................................................................................... 118
预充电................................................................................................................................................ 119
自动预充电操作....................................................................................................................... 120
Auto-Refresh............................................................................................................................................ 121
Self-Refresh............................................................................................................................................. 122
掉电模式.................................................................................................................................. 123
在预充电掉电输入时钟频率变化......................................... ..................... 130
片上终端(ODT)....................................................................................................................... 131
ZQ Calibration.......................................................................................................................................... 143
包装图......................................................................................................................................145
推荐焊接Conditions........................................................................................................146
初步数据表E1505E20 (版本2.0 )
5
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    EDJ2108BASE-DJ-F
    -
    -
    -
    -
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