数据表

1G位DDR3 SDRAM

EDJ1108BDBG （ 128M词

×

8比特）

特定网络阳离子

密度： 1G位

组织

16M的话

×

8位

×

8银行

包

78球FBGA

无铅（符合RoHS）和无卤素

电源： VDD ， VDDQ

=

1.5V

±

0.075V

数据速率

1600Mbps / 1333Mbps / 1066Mbps （最大）

1KB的页面大小

行地址： A0到A13

列地址： A0到A9

八个内部银行的并发操作

接口： SSTL_15

突发长度（ BL ） ： 8和4突发印章（ BC）

突发类型（BT） ：

连续的（ 8 ， 4 BC）

交错（ 8,4与BC）

/ CAS延迟（CL） ： 5 ，6，7 ，8，9 ，10，11

/ CAS写入延迟（CWL ） ：5， 6 ，7，8

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力： RZQ / 7 ， RZQ / 6 （ RZQ = 240Ω ）

刷新：自动刷新，自刷新

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是通过8位来实现

预取流水线结构

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

片上端接（ ODT）为更好的信号质量

同步ODT

动态ODT

异步ODT

多用途寄存器（ MPR）的温度读

OUT

ZQ校准DQ驱动和ODT

可编程部分阵列自刷新（ PASR ）

/ RESET引脚上电顺序和复位

功能

SRT范围：

作者/扩展

可编程输出驱动器阻抗控制

刷新周期

平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

TC

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

TC

≤ +95°C

工作温度范围

TC = 0 ° C至+ 95°C

一号文件E1544E30 （版本3.0 ）

发布日期2009年12月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面， 2009年公司

EDJ1108BDBG

订购信息

产品型号

EDJ1108BDBG-GL-F

EDJ1108BDBG-GN-F

EDJ1108BDBG-DJ-F

EDJ1108BDBG-AE-F

DIE

调整

D

组织

（字

×

位）

128M

×

8

国内

银行

8

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR3-1600J （ 10-10-10 ）

DDR3-1600K （ 11-11-11 ）

DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

包

78球FBGA

产品型号

D，J 11 08 B D BG - GL - F

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

环境法规

F：无铅（符合RoHS）

和无卤

产品系列

记者： DDR3

密度/银行

11 ：1GB / 8银行

速度

GL ： DDR3-1600J （ 10-10-10 ）

GN ： DDR3-1600K （ 11-11-11 ）

DJ ： DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

AE ： DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

组织

08: x8

包

BG ： FBGA

电源，接口

B： 1.5V ， SSTL_15

牧师死亡

数据表E1544E30 （版本3.0 ）

2

EDJ1108BDBG

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

78球FBGA

1

A

2

3

NC

7

8

9

VDD

VSS

B

VDD

NU / （ / TDQS ）

VSS

VSS VSSQ

C

DQ0

的DQ

/ DQS

DQ4

/ RAS

/ CAS

/ WE

BA2

A0

A2

DM / TDQS

VDDQ VSSQ

VDDQ

D

DQ2

DQ6

DQ1

VDD

DQ7

CK

/ CK

A10(AP)

NC

DQ3

VSS

DQ5

VSS

VDD

ZQ

VSSQ

VSSQ

E

VSSQ

VDDQ

NC

VREFDQ VDDQ

F

NC

G

VSS

VDD

/ CS

BA0

A3

A5

ODT

H

CKE

NC

NC

J

VSS

K

VREFCA

VSS

VDD

VSS

VDD

L

A12(/BC)

BA1

A1

A4

VSS

M

N

VDD

A7

A9

A11

NC

（ TOP VIEW ）

A6

A8

VDD

VSS

/ RESET

A13

VSS

引脚名称

A0到A13 *

3

功能

地址输入

A10 （ AP） ：自动预充电

A12 （ / BC ） ：突发印章

3

引脚名称

/ RESET *

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREFDQ

VREFCA

ZQ

NC *

NU *

1

2

3

功能

低电平有效的异步复位

电源电压为内部

电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

参考电压DQ

参考电压

参考引脚ZQ

校准

无连接

不可用

BA0至Ba2 *

DQ0到DQ7

DQS ， / DQS

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

终止数据选通

芯片选择

3

TDQS ， / TDQS

/ CS *

3

/ RAS ， / CAS ， /我们*

CKE *

3

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

CK ， / CK

DM

ODT *

3

ODT控制

注意事项： 1.不与内部芯片连接。

2.不要连接。内部连接。

3.输入专用管脚（地址，命令， CKE ， ODT和/ RESET ）不提供端接。

数据表E1544E30 （版本3.0 ）

3

EDJ1108BDBG

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电气条件......................................................................................................................................6

绝对最大额定值.......................................................................................................................... 6

工作温度条件................................................................................................................ 6

建议的直流工作条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................... 7

AC和DC输入测量级别（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V)....................... 7

VREF公差......................................................................................................................................... 8

输入转换率降额.............................................................................................................................. 9

AC和DC逻辑输入电平为差分信号......................................... ....................................... 15

AC和DC输出测量级别（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) .................. 20

AC过冲/下冲Specification..................................................................................................... 22

输出驱动器Impedance............................................................................................................................ 23

片上端接（ ODT）水平和IV特性....................................... .................................. 25

ODT时序Definitions............................................................................................................................... 27

IDD测量条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................................... 31

电动Specifications...............................................................................................................................44

直流特性1 （ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................................................. 44

直流特性2 （ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................................................. 45

引脚电容（ TC = 25℃ ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ..................................................................... 46

标准速度垃圾桶.................................................................................................................................. 47

AC特性（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.5V

±

0.075V ， VSS ， VSSQ = 0V） ....................... 50

框图.............................................................................................................................................63

针Function.................................................................................................................................................64

命令操作...................................................................................................................................66

命令真值表................................................................................................................................ 66

CKE真值表......................................................................................................................................... 70

简化的状态图.............................................................................................................................71

复位和初始化过程............................................................................................................72

上电和初始化顺序........................................................................................................ 72

复位和初始化与稳定的电源............................................ .................................................. .... 73

编程模式Register.................................................................................................................74

模式寄存器设置指令周期时间（超过tMRD ） ......................................... ............................................ 74

MRS命令非MRS命令延迟（ TMOD ） ....................................... ...................................... 74

DDR3 SDRAM模式寄存器0 MR0 ] ...................................................................................................... 75

DDR3 SDRAM模式寄存器1 [ MR1 ] ...................................................................................................... 76

数据表E1544E30 （版本3.0 ）

4

EDJ1108BDBG

DDR3 SDRAM模式寄存器2 [ MR2 ] ...................................................................................................... 77

DDR3 SDRAM模式寄存器3 [ MR3 ] ...................................................................................................... 78

突发长度（ MR0 ） .................................................................................................................................... 79

突发类型（ MR0 ） ....................................................................................................................................... 79

DLL使能（ MR1 ） ...................................................................................................................................... 80

DLL断模式.............................................................................................................................................. 80

DLL的通/断切换过程.................................................................................................................. 81

附加延迟(MR1)............................................................................................................................... 83

写调整（ MR1 ） .................................................................................................................................. 84

TDQS ， / TDQS功能（ MR1 ） .................................................................................................................... 87

扩展温度用法（ MR2 ） ......................................................................................................... 88

多用途注册(MR3)..................................................................................................................... 90

在DDR3 SDRAM的操作..................................................................................................................97

读时序Definition................................................................................................................................ 97

读操作........................................................................................................................................ 101

写时序Definition.............................................................................................................................. 108

写Operation......................................................................................................................................... 109

写时序违规............................................................................................................................. 115

写数据面膜....................................................................................................................................... 116

预充电................................................................................................................................................. 117

自动预充电操作........................................................................................................................ 118

Auto-Refresh............................................................................................................................................. 119

Self-Refresh.............................................................................................................................................. 120

掉电模式................................................................................................................................... 122

在预充电掉电输入时钟频率变化......................................... ...................... 129

片上终端(ODT)........................................................................................................................ 130

ZQ Calibration........................................................................................................................................... 142

包装图......................................................................................................................................144

78球FBGA ............................................................................................................................................ 144

推荐焊接Conditions........................................................................................................145

数据表E1544E30 （版本3.0 ）

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