数据表

1G位DDR3 SDRAM

EDJ1108BABG （ 128M词

×

8比特）

EDJ1116BABG （ 64M字

×

16比特）

特定网络阳离子

密度： 1G位

组织

16M的话

×

8位

×

8银行（ EDJ1108BABG ）

8M字

×

16位

×

8银行（ EDJ1116BABG ）

包

78球FBGA （ EDJ1108BABG ）

96球FBGA （ EDJ1116BABG ）

无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

=

1.5V

±

0.075V

数据速率

1600Mbps / 1333Mbps / 1066Mbps / 800Mbps的（最大）

1KB页大小（ EDJ1108BABG ）

行地址： A0到A13

列地址： A0到A9

2KB页大小（ EDJ1116BABG ）

行地址： A0到A12

列地址： A0到A9

八个内部银行的并发操作

接口： SSTL_15

突发长度（ BL ） ： 8和4突发印章（ BC）

突发类型（BT） ：

连续的（ 8 ， 4 BC）

交错（ 8,4与BC）

/ CAS延迟（CL） ： 5 ，6，7 ，8，9 ，10，11

/ CAS写入延迟（CWL ） ：5， 6 ，7，8

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力： RZQ / 7 ， RZQ / 6 （ RZQ = 240Ω ）

刷新：自动刷新，自刷新

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是通过8位来实现

预取流水线结构

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

片上端接（ ODT）为更好的信号质量

同步ODT

动态ODT

异步ODT

多用途寄存器（ MPR）的温度读

OUT

ZQ校准DQ驱动和ODT

可编程部分阵列自刷新（ PASR ）

/ RESET引脚上电顺序和复位

功能

SRT范围：

作者/扩展

自动/手动自刷新

可编程输出驱动器阻抗控制

刷新周期

平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

TC

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

TC

≤ +95°C

工作温度范围

TC = 0 ° C至+ 95°C

一号文件E1248E40 （版本4.0 ）

发布日期2009年4月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2007年-2009年

EDJ1108BABG ， EDJ1116BABG

订购信息

产品型号

EDJ1108BABG-GL-E

EDJ1108BABG-GN-E

EDJ1108BABG-DG-E

EDJ1108BABG-DJ-E

EDJ1108BABG-AC-E

EDJ1108BABG-AE-E

EDJ1108BABG-AG-E

EDJ1108BABG-8A-E

EDJ1108BABG-8C-E

EDJ1116BABG-DG-E

EDJ1116BABG-DJ-E

EDJ1116BABG-AC-E

EDJ1116BABG-AE-E

EDJ1116BABG-AG-E

EDJ1116BABG-8A-E

EDJ1116BABG-8C-E

DIE

调整

组织

（字

×

位）

国内

银行

JEDEC速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR3-1600J （ 10-10-10 ）

DDR3-1600K （ 11-11-11 ）

DDR3-1333G （ 8-8-8 ）

DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

DDR3-1066E （ 6-6-6 ）

DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

DDR3-1066G （ 8-8-8 ）

DDR3-800D （ 5-5-5 ）

DDR3-800E （ 6-6-6 ）

DDR3-1333G （ 8-8-8 ）

DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

DDR3-1066E （ 6-6-6 ）

DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

DDR3-1066G （ 8-8-8 ）

DDR3-800D （ 5-5-5 ）

DDR3-800E （ 6-6-6 ）

包

A

128M

×

8

8

78球FBGA

64M

×

16

96球FBGA

产品型号

D，J 11 08 B A BG - GL - é

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

环境法规

E：无铅

（符合RoHS ）

产品系列

记者： DDR3

密度/银行

11 ：1GB / 8银行

组织

08: x8

16: x16

速度

GL ： DDR3-1600J （ 10-10-10 ）

GN ： DDR3-1600K （ 11-11-11 ）

DG ： DDR3-1333G （ 8-8-8 ）

DJ ： DDR3-1333H （ 9-9-9 ）

AC ： DDR3-1066E （ 6-6-6 ）

AE ： DDR3-1066F （ 7-7-7 ）

AG： DDR3-1066G （ 8-8-8 ）

8A ： DDR3-800D （ 5-5-5 ）

8C ： DDR3-800E （ 6-6-6 ）

包

BG ： FBGA

电源，接口

B： 1.5V ， SSTL_15

牧师死亡

数据表E1248E40 （版本4.0 ）

2

EDJ1108BABG ， EDJ1116BABG

引脚配置（ × 8配置）

/ xxx表示低电平有效的信号。

78球FBGA （ × 8配置）

1

A

2

3

NC

7

8

9

VDD

VSS

B

VDD

NU / （ / TDQS ）

VSS

VSS VSSQ

C

DQ0

的DQ

/ DQS

DQ4

/ RAS

/ CAS

/ WE

BA2

A0

A2

DM / TDQS

VDDQ VSSQ

VDDQ

D

DQ2

DQ6

DQ1

VDD

DQ7

CK

/ CK

A10(AP)

NC

DQ3

VSS

DQ5

VSS

VDD

ZQ

VSSQ

VSSQ

E

VSSQ

VDDQ

NC

VREFDQ VDDQ

F

NC

G

VSS

VDD

/ CS

BA0

A3

A5

ODT

H

CKE

NC

NC

J

VSS

K

VREFCA

VSS

VDD

VSS

VDD

L

A12(/BC)

BA1

A1

A4

VSS

M

N

VDD

A7

A9

A11

NC

（ TOP VIEW ）

A6

A8

VDD

VSS

/ RESET

A13

VSS

引脚名称

A0到A13 *

3

功能

地址输入

A10 （ AP） ：自动预充电

A12 （ / BC ） ：突发印章

3

引脚名称

/ RESET *

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREFDQ

VREFCA

ZQ

NC *

NU *

1

2

3

功能

低电平有效的异步复位

电源电压为内部电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

参考电压DQ

参考电压

参考引脚ZQ校准

无连接

不可用

BA0至Ba2 *

DQ0到DQ7

DQS ， / DQS

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

终止数据选通

芯片选择

3

TDQS ， / TDQS

/ CS *

3

/ RAS ， / CAS ， /我们*

CKE *

3

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

CK ， / CK

DM

ODT *

3

ODT控制

注意事项： 1.不与内部芯片连接。

2.不要连接。内部连接。

3.输入专用管脚（地址，命令， CKE ， ODT和/ RESET ）不提供端接。

数据表E1248E40 （版本4.0 ）

3

EDJ1108BABG ， EDJ1116BABG

引脚配置（ × 16配置）

/ xxx表示低电平有效的信号。

96球FBGA

1

2

3

7

8

9

A

VDDQ

DQU5 DQU7

DQU4

VDDQ

VSS

B

VSSQ

VDD

VSS

/ DQSU

DQU6 VSSQ

DQsu

DQU2

VDDQ

DQU0

VSSQ

DML

VDD

C

VDDQ

DQU3

DQU1

D

E

VDDQ VSSQ

DMU

VSS

VSSQ

DQL0

VSSQ

VDDQ

F

VDDQ

DQL2

DQSL

DQL1

DQL3

VSSQ

VDD

VSS

VSSQ

G

VSSQ DQL6

/ DQSL

H

VREFDQ VDDQ

DQL4

DQL7 DQL5 VDDQ

CK

VSS

NC

CKE

J

NC

VSS

VDD

/ CS

/ RAS

K

ODT

/ CAS

/ WE

/ CK

A10(AP)

VDD

ZQ

L

NC

NC

M

VSS

BA0

A3

A5

A7

BA2

A0

A2

A9

NC

VREFCA

VSS

VDD

N

VDD

A12(/BC)

BA1

A1

A11

P

VSS

R

VDD

A4

A6

VSS

VDD

VSS

T

VSS

/ RESET

NC

NC

A8

（ TOP VIEW ）

引脚名称

A0到A12 *

2

功能

地址输入

A10 （ AP） ：自动预充电

A12 （ / BC ） ：突发印章

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

芯片选择

2

引脚名称

/ RESET *

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREFDQ

VREFCA

ZQ

NC *

2

功能

低电平有效的异步复位

电源电压为内部电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

参考电压DQ

参考电压

参考引脚ZQ校准

无连接

BA0至Ba2

DQU0到DQU7

DQL0到DQL7

DQSU ， / DQSU

DQSL ， / DQSL

/ CS *

2

/ RAS ， / CAS ， /我们*

CKE *

2

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

ODT控制

CK ， / CK

DMU ， DML

ODT *

2

注： 1.不与内部芯片连接。

2.仅输入引脚（地址，命令， CKE ， ODT和/ RESET ）不提供端接。

数据表E1248E40 （版本4.0 ）

4

EDJ1108BABG ， EDJ1116BABG

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置（ × 8配置） ............................................................................................................3

引脚配置（ × 16配置） ..........................................................................................................4

电气条件......................................................................................................................................7

绝对最大额定值.......................................................................................................................... 7

工作温度条件................................................................................................................ 7

建议的直流工作条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................... 8

AC和DC输入测量级别（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V)....................... 8

VREF公差......................................................................................................................................... 9

输入转换率降额............................................................................................................................ 10

AC和DC逻辑输入电平为差分信号......................................... ....................................... 16

差分信号单端要求........................................... ........................................ 18

AC和DC输出测量级别（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) .................. 21

AC过冲/下冲Specification..................................................................................................... 23

输出驱动器Impedance............................................................................................................................ 24

片上端接（ ODT）水平和IV特性....................................... .................................. 26

ODT时序Definitions............................................................................................................................... 28

IDD测量条件（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................................... 32

电动Specifications...............................................................................................................................43

直流特性1 （ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................................................. 43

直流特性2 （ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ................................................. 44

引脚电容（ TC = 25℃ ， VDD和VDDQ = 1.5V

±

0.075V) ..................................................................... 45

标准速度垃圾桶.................................................................................................................................. 46

AC特性（ TC = 0 ° C至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.5V

±

0.075V ， VSS ， VSSQ = 0V） ....................... 50

框图.............................................................................................................................................63

针Function.................................................................................................................................................64

命令操作...................................................................................................................................66

命令真值表................................................................................................................................ 66

CKE真值表......................................................................................................................................... 70

简化的状态图.............................................................................................................................71

复位和初始化过程............................................................................................................72

上电和初始化顺序........................................................................................................ 72

复位和初始化与稳定的电源............................................ .................................................. .... 73

编程模式Register.................................................................................................................74

模式寄存器设置指令周期时间（超过tMRD ） ......................................... ............................................ 74

MRS命令非MRS命令延迟（ TMOD ） ....................................... ...................................... 74

数据表E1248E40 （版本4.0 ）

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