EDI9G361024C
1024K ×36静态RAM CMOS ，高速模块
特点
n
1024K ×36位CMOS静态
n
随机存取存储器
??访问次数： 15 ， 20和25
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
n
高密度封装
?? 72铅SIMM ， 401号（角）
??常见的数据输入和输出
n
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI9G361024C是一种高速36MB静态内存模块
由36位组织为1024K的话。该模块被构造
从9 1024K ×4静态RAM的SOJ封装的环氧树脂
层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使能（ E1 -E4 ）用于独立地使
4个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节，通过正确使用任意组合
芯片使。
该EDI9G361024C提供了72引线SIMM包，
使得能够对存储器36MB被放置在小于1.3平方
英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。完全异步电路不需要时钟
或刷新操作，并提供了平等的机会和周期
时代的易用性。
图。 1
P
IN
C
ONFIGURATIONS和
B
LOCK
D
IAGRAM
NC
NC
DQ34
DQ35
VSS
DQ32
DQ33
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A7
A1
A8
A2
A9
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
W\
A15
A14
E2\
E1\
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
E4\
E3\
A17\
A16\
G\
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A3
A10
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
A18
A19
NC
NC
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
9G3610242C引脚配置。
P
IN
N
AMES
A-A19
E1-E4
W
G
DQ-DQ35
VCC
VSS
NC
A0-A19
W\
G\
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
U1
E1\
U2
DQ0-DQ3
DQ4-DQ7
U3
E2\
U4
DQ8-DQ11
DQ12-DQ15
U5
E3\
DQ16-DQ19
U6
DQ20-DQ23
U7
E4\
U8
DQ24-DQ27
DQ28-DQ31
U9
E1\
DQ32-DQ35
9G361024C座直径。
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EDI9G361024C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
11.6瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
ê > VIH ， VIN < VIL或VIN > VIH
> VCC - 0.2V
VIN > VCC - 0.2V或VIN < 0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
典型值
最大
1440
540
90
±80
±20
--
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
--
--
2.4
--
--
--
--
--
电容
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC2/ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
最小最大
15
15
15
3
7
3
8
0
7
20ns
最小最大
20
20
20
3
10
3
8
0
8
25ns
民
最大
25
25
25
3
12
3
10
0
10
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
9G361024C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
9G361024C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
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交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TWLEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TELEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
15ns
最小最大
15
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
3
3
0
8
10
10
3
20ns
最小最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
3
3
0
8
12
12
3
25ns
民
最大单位
25
ns
20
ns
20
ns
0
ns
0
ns
20
ns
20
ns
20
ns
20
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
12
ns
15
ns
15
ns
3
ns
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
9G361024C写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
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图。五
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
9G361024C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
订购信息
产品型号
EDI9G361024C15MNC
EDI9G361024C20MNC
EDI9G361024C25MNC
速度
（纳秒）
15
20
25
包
号
402
402
402
包装说明
包号。 402 ： 72 LEAD SIMM
4.250
3.984
0.360
马克斯。
0.125 DIA 。
(2x)
0.400
0.050 TYP 。
2.045
0.062 R. （2个）
P1
1.045
马克斯。
0.250
P1
0.250
3.750
1.992
0.125
分钟。
0.225
分钟。
9G361024C PKG 。
所有尺寸为英寸
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