EDI9F416128C
4x128Kx16静态RAM CMOS ，模块
特点
n
4x128Kx16位CMOS静态
n
随机存取存储器
??访问时间70通100ns的
??数据保持功能（ EDI9F416128LP ）
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
n
高密度封装
?? 80引脚SIMM ， 318号
n
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI9F416128C是8192K位CMOS静态RAM的基础上
8 128Kx8静态RAM的安装在多层环氧
层压板（ FR -4）的基片上。
低功率版数据保留（ EDI9F416128LP ）也
可用。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
+ 5V单电源。完全异步的， EDI9F416128C
不需要时钟或刷新操作。
图。 1
引脚配置和框图
A-A16
E-E3
G
WH- WL
E
DQ-DQ15
VCC
VSS
NC
引脚名称
地址输入
芯片使能
输出使
写入启用
芯片选择
数据输入/输出
提供5伏电压
地
无连接
2002年8月修订版2A
ECO ＃ 15521
1
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI9F416128C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
塑料
功耗
输出电流。
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
1瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载为70ns
85-120ns
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL = 30pF的
1TTL ， CL = 100pF的
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
DC电气特性
参数
工作电源
电源电流
待机（TTL）电
电源电流
全部备用电源
电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
VIH ， VIN
VIL
VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC- 0.2V或
VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -1.0mA
IOL = 2.1毫安
民
--
--
C
LP
--
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
典型值
94
56
最大
158
120
24
80
±10
±10
--
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
电容
真值表
G
X
H
L
X
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写和输出使能线
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
60
80
15
60
单位
pF
pF
pF
pF
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
2
2002年8月修订版2A
ECO ＃ 15521
EDI9F416128C
交流特性读周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
70ns
最小最大
70
70
70
5
30
3
40
0
30
85ns
最大
85
85
5
35
3
45
0
35
100ns
最小最大
100
100
100
5
40
3
50
0
40
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
民
85
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
9F416128C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
9F416128C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
2002年8月修订版2A
ECO ＃ 15521
3
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI9F416128C
交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TELEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TWLEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
70ns
最小最大
70
65
65
0
0
65
65
65
65
0
0
0
0
0
30
30
30
5
85ns
最大
100ns
最小最大
100
80
80
0
0
80
80
80
80
0
0
0
0
0
40
40
40
5
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
民
85
70
70
0
0
70
70
70
70
0
0
0
0
0
35
35
5
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1 ：参数保证，但未经测试。 *高级信息
图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
9F416128C写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
4
2002年8月修订版2A
ECO ＃ 15521
EDI9F416128C
图。五
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
9F416128C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
数据保持特性
特征
数据保持电压
数据保持静态电流
符号
VDD
ICCDR
测试条件
VDD = 0.2V
ê ?? VDD -0.2V
VIN ？ VDD -0.2V
or VIN 0.2V
VDD
2V
3V
民
2
--
--
0
5
典型值
--
1
1
--
--
最大
6
8
--
--
单位
V
A
A
ns
ms
芯片禁用到数据保留时间（ 1 ） TCDR
手术恢复时间（ 1 ）
TR
图。 6
数据保留 - E受控
数据保持方式
VCC
TCDR
4.5V
VDD
4.5V
TR
E
E
≥
VDD-0.2V
9F416128C数据Retent 。
2002年8月修订版2A
ECO ＃ 15521
5
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
QQ：800888908 复制
