EDI9F37512C
512Kx37 SRAM模块
512Kx37静态RAM
CMOS ，高速模块
特点
512Kx37位CMOS静态
随机存取存储器
访问次数： 45和55纳秒
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
高密度封装
72引线SIMM ， 418号
??常见的数据输入和输出
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI9F37512C是一个高速20兆位静态
内存模块组织为512K字× 37位。这
模块五512Kx8静态RAM的构建
对环氧树脂层压板（ FR4 ）板TSOP封装。
四个写选择（ W 0 -W 3 ）用于独立地
使4个字节。阅读和写作能
对单个字节或者任意组合执行
通过适当选择使用多个字节。
该EDI9F37512C提供了72引线SIMM这
允许20兆比特的存储器被放置在小于
1.5平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容和操作
从单一5V电源。完全异步电路
不需要时钟或刷新操作和亲
国际志愿组织的平等机会和循环时间的易用性。
在SIMM模块包含两个存在检测引脚
这是用来识别模块的存储密度
应用中备用模块可跨
改变了。
引脚配置和框图
AD3
AD4
AD1
AD2
VSS
AD0
AW
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
E
A6
A7
W1
W0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
W3
W2
A18
A17
G
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
VCC
A14
A15
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
A16
PD1
NC
PD0
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
引脚名称
A-A18
E
W0-W3
AW
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
PD0-PD1
A0-A18
E
G
DQ0-DQ7
W0
W1
DQ16-DQ23
W2
W3
AD0-AD4
AW
DQ24-DQ31
DQ8-DQ15
地址输入
芯片使
写使能
奇偶写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
设备检测
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁， MA 01581 USA 508-366-5151 传真508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
1
EDI9F37512C第3版4/98 ECO ＃ 9755
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
Symbo
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
45ns
民
45
最大
45
45
3
18
3
15
0
15
0
3
3
民
55
55ns
最大
55
55
25
25
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
读周期2 - W高
A
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
tAVQV
EDI9F37512C
512Kx37 SRAM模块
2
EDI9F37512C第3版4/98 ECO ＃ 9755
EDI9F37512C
512Kx37 SRAM模块
交流特性写周期
符号
JEDEC
Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TWLEH TCW
地址建立时间
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
地址有效到写结束
TAVWH TAW
TAVEH TAW
把脉冲宽度
TWLWH TWP
TELEH TWP
写恢复时间
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
数据保持时间
TWHDX TDH
TEHDX TDH
写入输出高Z（ 1 ）
TWLQZ TWHZ
数据写入时间
TDVWH TDW
TDVEH TDW
输出写入结束（ 1 ） TWHQX TWLZ活动
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
注： 1.参数保证，但未经测试。
45ns
民
45
25
25
0
0
25
25
25
25
0
0
0
0
0
20
20
3
最大
民
55
45
45
0
0
45
45
40
40
0
0
0
0
0
30
30
3
55ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
28
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
数据有效
tEHDX
tEHAX
tELEH
3
EDI9F37512C第3版4/98 ECO ＃ 9755
订购信息
产品型号
EDI9F37512C45MMC
EDI9F37512C55MMC
速度
（纳秒）
45
55
包
号
418
418
包装说明
包号418
72引脚ZIP
.125 DIA 。 TYP 。
（ 2的PLC。 ）
0.133 REF 。
3.984
4.255 MAX 。
.300
马克斯。
.720
马克斯。
.400
.250
.080
REF 。
P1
.050 TYP 。
3.750
.250
.060 R.
.130
REF 。
.220
分钟。
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁，马萨诸塞州01581USA 508-366-5151 传真508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
电子设计公司
模块
512Kx37 SRAM
保留更改恕不另行通知。 CAGE号66301
EDI9F37512C
4
EDI9F37512C第3版4/98 ECO ＃ 9755
QQ：2880707522 复制
