EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
特点
64Kx32位CMOS静态
随机存取存储器阵列
??快速访问时间： 12 * ， 15 ， 20 ，和为25ns
??单个字节的选择
??用户可配置的组织
用最少的附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号（ JEDEC - M0-47AE ）
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
*高级信息
64Kx32 CMOS高速
静态RAM
该EDI8L3265C是一个高速，高性能，四
兆位密度的静态RAM组织为64Kx32位
数组。
四字节选择两个芯片使，写控制，并
输出使能向用户提供一种灵活的存储器
的解决方案。用户可以独立地使每个
四个字节，并以最小的附加外围设备的逻辑，所述
单元可被配置为一个128Kx16阵列。
完全异步电路使用，无需时钟或
刷新操作，并提供平等的接入和
周期的易用性。
该EDI8L3265C ，允许2兆的内存是
放置在低于0.990平方英寸的电路板空间。该
EDI8L3265C可以升级到128K ， 256K或512Kx32
在使用EDI8L32128 ， EDI8L32256或相同的占位面积
该EDI8L32512C 。 （请参阅升级路径6页） 。
注：回流焊温度不应超过260℃ ，持续10秒。
引脚配置和框图
DQ16
NC
NC
BS3\
BS2\
BS1\
BSO \\
E1\
VCC
NC
E\
G\
W\
NC
A15
A14
DQ15
引脚名称
A-A15
E-E1
BS-BS3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
地址输入
芯片启用（每字1 ）
选择字节（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VCC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A-A15
G
W
E
E1
BSO
BS1
BS2
BS3
16
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
VCC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ
64Kx32
内存
元
ra
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
DQ-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
注意事项： 1。请参阅第6页的升级路径。
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁， MA 01581 USA 508-366-5151 传真508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
1
EDI8L3265C第4版3/97 ECO ＃ 8302
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温， TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
3.0瓦
20毫安
175°C
建议的直流工作条件
参数
符号
电源电压
VCC
电源电压
VSS
输入高电压VIH
输入低电压VIL
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值最大值单位
5.0 5.25 V
0
0
V
- VCC + 0.5 V
--
0.8
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
图1
VCC
图2
VCC
480
Q
255
50 pF的
Q
255
480
5 pF的
DC电气特性
参数
工作电源
电源电流
待机（ TTL）的
电源电流
全备
电源电流CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
*先进的信息
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
≥
VIH ， VIN
≤
VIL或
VIN
≥
VIH ， F = MHz
E
≥
VCC-0.2V
VIN
≥
VCC - 0.2V或VIN
≤
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
单位
*为12ns 15ns的20 / 25ns的NS
500 460
420
mA
60
20
±10
±10
60
20
±10
±10
0.4
60
20
±10
±10
0.4
mA
mA
A
A
V
V
2.4
0.4
真值表
东西摹BSO - 3
模式
X X X
待机
L H H X将输出禁止
L X X H输出禁用
L H L
L
读
L L ; X L
写
X表示不关心
电容
产量
高Z
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2,ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
ICC1
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
写&输出
使能线
芯片使能线
符号
CA
CD / Q
W ，G
E， BS
最大
20
10
16
9
单位
pF
pF
pF
bF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
2
EDI8L3265C第4版3/97 ECO ＃ 8302
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
字节选择访问时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
字节选择输出在低Z
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
字节选择输出在高Z
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
*先进的信息
符号
12ns*
JEDEC
Alt键。最小最大
tAVAV
TRC 12
tAVQV
TAA
12
TELQV TACS
12
TBLQV
TBA
12
TELQX TCLZ 3
TBLQX TBLZ 3
TEHQZ TCHZ
7
TBHQZ TBHZ
7
TAVQX
TOH 3
TGLQV
TOE
5
TGLQX TOLZ 2
TGHQZ TOHZ
4
15ns
20ns
最小值最大值最小值最大值
15
20
15
20
15
20
15
20
3
3
3
3
8
10
8
10
3
3
6
8
2
2
5
8
25ns
最小最大
25
25
25
25
3
3
10
10
3
10
0
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
读周期2 - W高
tAVAV
A
BSX ，
E
tAVQV
TELQV
TELQX
TEHQZ
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
3
EDI8L3265C第4版3/97 ECO ＃ 8302
交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
字节选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
*先进的信息
符号
12ns*
JEDEC
Alt键。最小最大
TAVAV TWC 12
TELWH TCW 8
tELEH
TCW 8
TBLWH TBW 8
tAVWL
TAS
0
塔维尔
TAS
0
TAVWH TAW 9
TAVEH TAW 9
TWLWH TWP 9
TWLEH TWP 9
tWHAX ALE低TWR 0
TEHAX TWR 0
TWHDX TDH
0
tEHDX
TDH
0
TWLQZ TWHZ 0
5
TDVWH TDW 5
TDVEH TDW 5
TWHQX TWLZ 2
15ns
20ns
最小值最大值最小值最大值
15
20
9
15
9
15
9
15
0
0
0
0
10
15
10
15
10
15
10
15
0
0
0
0
0
0
0
0
0
6
0
7
6
8
6
8
2
2
25ns
最小最大
25
20
20
20
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0 10
12
12
2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
BSX ，
E
TELWH
tAVWH
W
tAVWL
D
TWLQZ
Q
高Z
tWLWH
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
tWHAX ALE低
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
4
EDI8L3265C第4版3/97 ECO ＃ 8302
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
BSX ，
tELEH
tAVEH
TWLEH
tEHAX
E
W
tDVEH
D
Q
高Z
数据有效
tEHDX
订购信息
商用（0 ° C至70 ° C）
产品型号
EDI8L3265C12AC*
EDI8L3265C15AC
EDI8L3265C20AC
EDI8L3265C25AC
*先进的信息
工业级（-40° C至+ 85°C ）
速度
（纳秒）
12
15
20
25
包
号
99
99
99
99
产品型号
EDI8L3265C15AI
EDI8L3265C20AI
EDI8L3265C25AI
速度
（纳秒）
15
20
25
包
号
99
99
99
包装说明
包号99
68引脚PLCC
JEDEC M0-47AE
0.995
最大
0.956
最大
0.995
最大
0.956
最大
0.180
最大
0.040
最大
0.020
0.015
0.930
0.890
0.050
BSC
0.115
最大
5
EDI8L3265C第4版3/97 ECO ＃ 8302
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
特点
64Kx32位CMOS静态
随机存取存储器阵列
??快速访问时间： 12 * ， 15 ， 20 ，和为25ns
??单个字节的选择
??用户可配置的组织
用最少的附加逻辑
64Kx32 CMOS高速
静态RAM
该EDI8L3265C是一个高速，高性能，四
兆位密度的静态RAM组织为64Kx32位
数组。
四字节选择两个芯片使，写控制，并
输出使能向用户提供一种灵活的存储器
的解决方案。用户可以独立地使每个
四个字节，并以最小的附加外围设备的逻辑，
该单元可被配置为一个128Kx16阵列。
完全异步电路使用，无需时钟或
刷新操作，并提供平等的接入和
周期的易用性。
该EDI8L3265C ，允许2兆的内存是
放置在低于0.990平方英寸的电路板空间。
该EDI8L3265C可以升级到128K ， 256K或
512Kx32在使用EDI8L32128相同的占位面积，
EDI8L32256或EDI8L32512C 。 （对于向上参见第6页
高档路径） 。
注：回流焊温度不应超过260℃ ，持续10秒。
??完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
*高级信息
引脚配置和框图
1997年3月第4版
ECO ＃ 8302
T
NO
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
?? 68引脚PLCC ， 99号（ JEDEC - M0-47AE ）
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
注意事项： 1。请参阅第6页的升级路径。
D
DE
EN
M
M
CO
RE
1
引脚名称
地址输入
芯片启用（每字1 ）
选择字节（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
A-A15
E-E1
BS-BS3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
R
FO
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
W
NE
GN
SI
DE
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温， TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
3.0瓦
20毫安
175°C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号最小值
VCC 4.75
VSS 0
VIH 2.2
VIL -0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
单位
5.25
V
0
V
VCC + 0.5 V
0.8
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何其他条件比那些在这个业务部门所标明
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
DC电气特性
参数
工作电源
电源电流
待机（ TTL）的
电源电流
全备
电源电流CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
*先进的信息
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或
VIN
VIH ， F = MHz
E
VCC-0.2V
VIN
VCC - 0.2V或VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
*为12ns 15ns的20 / 25ns的
500
460 420
60
20
±10
±10
0.4
60
20
±10
±10
0.4
60
20
±10
±10
0.4
单位
ns
mA
mA
mA
A
A
V
V
2.4
真值表
E
H
L
L
L
L
W
X
H
X
H
L
摹BSO - 3
模式
X X
待机
H X将
输出禁用
x高
输出禁用
L L
读
x长
写
产量
高Z
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2,ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
ICC1
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
写&输出
使能线
芯片使能线
符号
CA
CD / Q
W ，G
E， BS
最大
20
10
16
9
单位
pF
pF
pF
bF
pF
X表示不关心
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
字节选择访问时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
字节选择输出在低Z
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
字节选择输出在高Z
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
*先进的信息
符号
12ns*
JEDEC
Alt键。
最小最大
tAVAV
TRC 12
tAVQV
TAA
12
TELQV
TACS
12
TBLQV
TBA
12
TELQX
TCLZ 3
TBLQX
TBLZ 3
TEHQZ
TCHZ
7
TBHQZ
tBHZ
7
TAVQX
TOH
3
TGLQV
TOE
5
TGLQX
TOLZ 2
TGHQZ
tOHZ
4
15ns
最小最大
15
15
15
15
3
3
8
8
3
6
2
5
20ns
最小最大
20
20
20
20
3
3
10
10
3
8
2
8
25ns
最小最大
25
25
25
25
3
3
10
10
3
10
0
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
读周期2 - W高
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
交流特性写周期
符号
12ns*
15ns
20ns
参数
JEDEC Alt键。最小值最大值最小值最大值最小值最大值
写周期时间
TAVAV TWC 12
15
20
芯片使能写操作的结束
TELWH TCW 8
9
15
TELEH TCW 8
9
15
字节选择要写入的结束
TBLWH TBW 8
9
15
地址建立时间
TAVWL TAS 0
0
0
塔维尔TAS 0
0
0
地址有效到写TAVWH TAW 9尾
10
15
TAVEH TAW 9
10
15
把脉冲宽度
TWLWH TWP 9
10
15
TWLEH TWP 9
10
15
写恢复时间
tWHAX ALE低TWR 0
0
0
TEHAX TWR 0
0
0
数据保持时间
TWHDX TDH 0
0
0
TEHDX TDH 0
0
0
写入输出高Z（ 1 ） TWLQZ TWHZ 0
5
0
6
0
7
数据写入时间
TDVWH TDW 5
6
8
TDVEH TDW 5
6
8
输出写入结束活动（ 1 ）
TWHQX TWLZ 2
2
2
注1 ：参数保证，但未经测试。
*先进的信息
25ns
最小值最大值单位
25
ns
20
ns
20
ns
20
ns
0
ns
0
ns
15
ns
15
ns
15
ns
15
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0 10
ns
12
ns
12
ns
2
ns
写周期1 - 硬件控制
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
4
EDI8L3265C
64Kx32 SRAM
写周期2 - E受控
T
NO
BSX ，
订购信息
产品型号
商用（0 ° C至70 ° C）
EDI8L3265C12AC*
EDI8L3265C15AC
EDI8L3265C20AC
EDI8L3265C25AC
*先进的信息
包装说明
包号99
68引脚PLCC
JEDEC M0-47AE
D
DE
EN
M
M
CO
RE
速度
（纳秒）
12
15
20
25
包
号
99
99
99
99
5
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L3265C15AI
EDI8L3265C20AI
EDI8L3265C25AI
速度
（纳秒）
15
20
25
包
号
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