EDI8L32512V
512Kx32 SRAM模块， 3.3V
DQ16
A18
A17
E3
E2
E1
E0
NC
V
CC
NC
NC
G
W
A16
A15
A14
DQ15
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
注意：
对于内存升级的信息，请参阅第7 ，图8 “ EDI
MCM -L的升级路径。
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
T
NO
图。 1
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
特点
s
DSP的存储解决方案
ADSP- 21060L （ SHARC ）
ADSP- 21062L （ SHARC ）
德州仪器TMS320LC31
s
RISC的存储解决方案
MPC860 （功率高通创新中心）
该EDI8L32512V是一个高速，3.3V， 16兆位的SRAM 。该
器件可提供12倍的访问， 15日， 17日和20ns的
允许创建一个无等待状态的DSP和RISC微处理器的的
处理器内存解决方案。
该装置可被配置为512K ×32和用于创建
对于TI的TMS320LC31单片机的外部数据存储器解决方案
（图5 ） ，或模拟的SHARC DSP （图6） 。
设备相比， 4提供了56 ％的空间节省
512K ×8 ， 36引脚SOJs 。另外EDI8L32512C仅具有10pF的
负载在数据线与32pf四个塑料SOJs 。
该器件提供了EDI8L32256V的内存升级（ 256K
×32）或EDI8L32128V （ 128K ×32） （图8） 。可选地，所述
设备的芯片使能其配置为1M X 16， 1Mx 48
通过创建模拟的SHARC DSP程序存储器阵列
三个设备（图7） 。如果内存过深，二512K X 24S
（ EDI8L24512V ）可以被用来创建一个512K ×48阵列或两个128K
X部24s （ EDI8L24128V ）可以被用来创建一个128K ×48阵列。
注意：
焊料回流温度应不超过260 ℃，10秒。
s
随机存取存储器阵列
快速访问次数： 12 ， 15 ， 17 ，和20ns的
??单个字节使能
用户可配置的组织以最少的附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
s
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号JEDEC M0-47AE
??占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声抗扰度
s
单+ 3.3V （ ± 5 ％ ）电源供电
引脚配置
顶视图
D
DE
EN
M
M
CO
RE
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
R
FO
W
NE
A
0
-
18
19
G
W
E
0
E
1
E
2
E
3
引脚说明
A
0-18
E
0-3
W
G
DQ
0-31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使
（每一个字节）
写使能
主输出
启用
通用数据
输入/输出
电源（ + 3.3V ± 5 ％ ）
地
无连接
框图
GN
SI
DE
512K ×32
内存
ARRAY
DQ
0
-DQ
7
DQ
8
-DQ
15
DQ
16
-DQ
23
DQ
24
-DQ
31
2000年10月第3版
ECO ＃ 13316
1
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI8L32512V
绝对最大额定值
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2.5瓦
20毫安
+175°C
-0.5V至7.0V
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.135
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
—
—
最大
3.465
0
VCC +0.3
+0.8
单位
V
V
V
V
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
= V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线
符号
C
I
C
D / Q
W ，G
E
0-3
最大
30
10
30
8
单位
pF
pF
pF
pF
*
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于indi-的操作
符在本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
G
X
H
L
X
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25C)
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全待机功耗CMOS
电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
E
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
或V
IN
≥
V
IH
E
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 4.0毫安
民
—
—
—
—
—
2.4
—
12 & 15
典型值
440
100
60
—
—
—
—
最大
720
200
100
±10
±10
—
0.4
民
—
—
—
—
—
2.4
—
17 & 20
典型值
440
100
60
—
—
—
—
单位
最大
640
200
100
±10
±10
—
0.4
mA
mA
mA
A
A
V
V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
Q
255
30pF
Q
255
5pF
（注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的，图2）
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2
EDI8L32512V
交流特性 - 读周期
(V
CC
= 3.3V, V
ss
= 0V ，T
A
= 0°C至+ 70°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
3
6
3
6
3
7
3
6
3
7
3
8
12ns
民
12
12
10
3
7
3
8
3
9
最大
民
15
15
12
3
8
3
9
15ns
最大
民
17
17
15
3
9
17ns
最大
民
20
20
20
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 3.3V, V
ss
= 0V ，T
A
= 0°C至+ 70°C ）
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
12ns
民
12
8
8
0
0
8
8
8
8
0
0
0
0
0
6
6
3
6
最大
民
15
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
7
7
3
7
15ns
最大
民
17
11
11
0
0
11
11
11
11
0
0
0
0
0
8
8
3
8
17ns
最大
民
20
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
9
9
3
9
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
3
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI8L32512V
图。 2
时序波形 - 读周期
A
t
AVAV
t
AVQV
E
t
AVAV
A
地址1
地址2
t
ELQV
t
ELQX
G
t
EHQZ
t
AVQV
Q
t
AVQX
数据
1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
Q
t
GHQZ
读周期1 （ W高; G，E LOW ）
读周期2 （宽高）
图。 3
写周期 - 硬件控制
t
AVAV
A
t
AVWH
t
ELWH
E
t
WHAX
t
AVWL
W
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
D
数据有效
t
WLQZ
Q
高Z
t
WHQX
写周期1 ，硬件控制
图。 4
写周期 - E受控
t
AVAV
A
WS32K32-XHX
t
EHAX
t
AVEH
t
ELEH
E
t
AVEL
W
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
D
Q
高Z
数据有效
写周期2 ， E受控
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
4
EDI8L32512V
订购信息
商业级温度范围（ 0
°
C至+70
°
C)
产品型号
速度
（纳秒）
EDI8L32512V12AC
EDI8L32512V15AC
EDI8L32512V17AC
EDI8L32512V20AC
12
15
17
20
包
号
99
99
99
99
工业级温度范围（ -40
°
C至+ 85
°
C)
产品型号
速度
（纳秒）
EDI8L32512V15AI
EDI8L32512V17AI
EDI8L32512V20AI
15
17
20
T
NO
包
号
99
99
99
套餐99 ：
68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
D
DE
EN
M
M
CO
RE
0.995
最大
0.956
最大
0.995
最大
0.956
最大
0.040
最大
0.020
0.015
0.930
0.890
所有尺寸为英寸
R
FO
0.050
BSC
0.115
最大
0.180
最大
W
NE
共面性（最低带头
最高铅0.004最大值）
GN
SI
DE
5
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
怀特电子设计
512Kx32 SRAM Module.3.3V
特点
DSP的存储解决方案
ADSP- 21060L （ SHARC ）
ADSP- 21062L （ SHARC ）
德州仪器TMS320LC31
MPC860 （功率高通创新中心）
快速访问次数： 12 ， 15 ， 17 ，和20ns的
单个字节使能
用户CON组fi guration组织以最少
附加逻辑
主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
68引脚PLCC ， 99号JEDEC MO- 47AE
占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声
免疫
EDI8L32512V
描述
该EDI8L32512V是一个高速，3.3V， 16兆位的SRAM 。
该装置可为12 ，15，17的存取时间和
20ns的允许创建一个无等待状态的DSP和RISC的
微处理器的内存解决方案。
该设备可以是CON组fi gured作为一个512K ×32和用于
创建TI的单芯片外部数据存储器解决方案
TMS320LC31 （FI gure 5 ） ，或模拟的SHARC
TM
DSP （FI gure
6).
器件相比提供了56 ％的空间节省
四512Kx8 ， 36引脚SOJs 。另外EDI8K32512V
仅具有一个10pF的负载在数据线与32 pF的四个
塑料SOJs 。
该器件提供了EDI8F32256V的内存升级
（ 256K ×32）或EDI8L32128V （ 128K ×32） （科幻gure 8）。
另外，该设备的芯片使能精读连接gure它作为
一个1米x 16， 1M ×48程序存储器阵列模拟的
CHARC DSP使用三个设备（FI gure 7 ）创建的。
If
RISC的存储解决方案
随机存取存储器阵列
表面贴装封装
这种记忆太深，二512K X 24S （ EDI8L24512V ）
可以用来创建一个512K ×48阵列或两个128K X
部24s （ EDI8L24128V ）可以被用来创建一个128K ×48
数组。
注意：士兵再溢流温度不应超过260 ℃，10秒。
单+ 3.3V （ ± 5 ％ ）电源供电
图。 1
销刀豆网络gurations
DQ16
A18
A17
E3#
E2#
E1#
E0#
NC
V
CC
NC
NC
G#
W#
A16
A15
A14
DQ15
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
A0-A18
E0#-E3#
引脚说明
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使
（每一个字节）
写使能
主输出使能
通用数据
输入/输出
电源（ + 3.3V ± 5 ％ ）
地
无Connectiona
框图
A0-18
G#
W#
E0#
E1#
E2#
E3#
1
19
512K ×32
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
十月。 2000
第3版
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2.5瓦
20毫安
-175°C
EDI8L32512V
建议的直流工作
条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.135
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
--
--
最大
3.465
0
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
V
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写&输出使能线
符号
CI
CD / Q
E0-3
W＃ ，G ＃
最大
30
10
8
30
单位
pF
pF
pF
pF
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
真值表
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
G#
X
H
L
X
模式
待机
产量
DESELECT
读
写
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC
2, I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25°C)
条件
W＃ = V
IL
， II / O = 0毫安，闵周期
＃ > V
IH
, V
IN
＆ LT ; V
IL
或V
IN
＆ GT ; V
IH
＃ > V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 4.0毫安
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全待机功耗CMOS电源
当前
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
12 & 15
民
--
--
--
--
--
2.4
--
典型值
440
100
60
--
--
--
--
最大
800
300
80
±20
±20
--
0.4
民
--
--
--
--
--
2.4
--
17 & 20
典型值
440
100
60
--
--
--
--
最大
640
200
100
±10
±10
--
0.4
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于T
EHQZ
,t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的，图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
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交流特性读周期
(V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ℃至-70 ℃）的
12ns
民
12
最大
12
10
3
6
3
6
3
6
3
7
3
7
3
8
3
7
3
8
民
15
15ns
最大
15
12
3
8
民
17
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止以输出高（ 1 ）
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
17ns
最大
17
15
EDI8L32512V
20ns
民
20
最大
20
20
3
9
3
9
3
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：1.参数由设计保证，但未经测试。
交流特性写周期
(V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ℃至-70 ℃）的
12ns
民
12
8
8
0
0
8
8
8
8
0
0
0
0
0
6
6
3
最大
民
15
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
7
7
3
15ns
最大
民
17
11
11
0
0
11
11
11
11
0
0
0
0
0
8
8
3
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AHEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
17ns
最大
民
20
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
9
9
3
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
7
8
9
注： 1.参数保证，但未经测试。
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图。 2
时序WAVEFRONT - 读周期
EDI8L32512V
t
AVAV
A
地址1
地址2
t
AVQV
Q
t
AVQX
数据
1
数据2
读周期1 （ W＃高; G＃ ，E ＃ LOW ）
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQX
G#
t
ELQV
t
EHQZ
t
GLQX
Q
t
GLQV
t
GHQZ
读周期2 （ W＃高）
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图。 3
写周期 - W＃控
A
EDI8L32512V
t
AVAV
t
AVWH
t
ELWH
t
WHAX
E#
t
AVWL
W#
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
D
数据有效
t
WLQZ
Q
高Z
t
WHQX
写周期1 ，W ＃控制
图。 4
写周期 - ê ＃控制
A
t
AVAV
t
AVEH
t
ELEH
t
EHAX
E#
t
AVEL
W#
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
D
Q
高Z
数据有效
写周期2 ，E ＃控制
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