EDI8L32512C
512K ×32的CMOS高速静态RAM
特点
DSP的存储解决方案
??摩托罗拉DSP96002
??模拟SHARC DSP
??德州仪器TMS320C3X ， TMS320C4X
随机存取存储器阵列
??快速访问时间： 12 * ， 15 ， 17 ，和20ns的
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号JEDEC M0-47AE
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
*超前信息。
描述
该EDI8L32512C是一个高速，5V， 16兆位的SRAM 。该
器件可提供12倍的访问， 15日， 17日和20ns的
允许创建一个无等待状态DSP的内存解决方案。该
高速， 5V的电源电压和控制线使器件
非常适合打造浮点DSP的存储器解决方案。
该装置可被配置为512K ×32和用于创建
对于TI的TMS320C30 /单芯片外部数据存储器解决方案
C31 （图8） ， TMS320C32 （图9）或TMS320C4X
（图10 ） ，摩托罗拉DSP96002和ADI公司的SHARC DSP
（图11） 。可替换地，该设备的芯片能使可使用
将其配置为1M X 16， 1M ×48程序存储器阵列
ADI公司SHARC DSP使用三个设备（图12）创建的。
如果内存过深，二512K X 24S （ EDI8L24512C ）可
用于创建一个512K ×48阵列或两个128K X部24s （ EDI8L24128C ）
可以用来创建一个128K ×48阵列。
设备相比， 4提供了56 ％的空间节省
512K ×8 ， 36引脚SOJs 。另外EDI8L32512C只有一个具有
10pF的负载在数据线与32pF四个塑料SOJs 。
该器件提供了EDI8L32256C的内存升级
（ 256K ×32）或EDI8L32128C （ 128K ×32） 。有关其他
升级信息，请参见图13 。
注：焊锡再溢流温度应不超过230 ℃下进行10秒。
图。 1
引脚配置和框图
DQ16
A18
A17
E3
E2
E1
E0
NC
V
CC
NC
NC
G
W
A16
A15
A14
DQ15
引脚名称
A
0-18
E
0-3
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
地址输入
芯片启用（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V
±5%)
地
无连接
字节控制
表
芯片
字节
使能控制
E
0
E
1
E
2
E
3
DQ
0-7
DQ
8-15
DQ
16-23
DQ
24-31
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
W
G
DQ
0-31
V
CC
V
SS
NC
注：内存升级的信息，请参阅第8页，图13 "EDI MCM -L
升级Path."
A
0
-
18
G
W
E
0
E
1
E
2
E
3
19
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
512K ×32
内存
ARRAY
DQ
0-7
DQ
8-15
DQ
16-23
DQ
24-31
2000年8月修订版7
ECO ＃ 13097
1
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
EDI8L32512C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温， TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
5.0瓦
20毫安
175°C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.25
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何其他条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图2
图。 2
VCC
480
图。 3
VCC
480
Q
255
30pF
Q
255
5pF
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全CMOS待机
电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
条件
W = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，
闵周期
E
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
or
V
IN
≥
V
IH
， F = MHz
E
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V
V
IN
= 0V至VCC
V
I / O
= 0V至VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
12/15
800
200
40
±10
±10
2.4
0.4
最大
17/20
720
200
40
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
真值表
G
X
H
L
X
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC2
I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线
符号
CI
CD / Q
W ，G
E
0-3
最大
30
10
30
8
单位
pF
pF
pF
pF
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2
2000年8月修订版7
EDI8L32512C
交流特性读周期
符号
12ns*
参数
JEDEC
Alt键。最小最大
读周期时间
tAVAV
TRC 12
地址访问时间
tAVQV
TAA
12
芯片使能存取时间
TELQV TACS
12
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
TELQX TCLZ
3
芯片禁用到输出高Z（ 1 ） TEHQZ TCHZ
6
从地址变更输出保持
TAVQX TOH
3
输出使能到输出有效
TGLQV TOE
6
输出使能到输出低Z（ 1 ） TGLQX TOLZ
0
输出禁止到输出高Z（ 1 ） TGHQZ TOHZ
6
*先进的信息
注1 ：参数保证，但未经测试。
15ns
最小最大
15
15
15
3
7
3
7
0
7
17ns
最小最大
17
17
17
3
9
3
9
0
9
20ns
最小最大
20
20
20
3
9
3
9
0
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 4
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。五
读周期2 - W高
tAVAV
A
E
tAVQV
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
2000年8月修订版7
3
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EDI8L32512C
交流特性写周期
符号
JEDEC
Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TELEH TCW
地址建立时间
TAVWL TAS
塔维尔
TAS
地址有效到写结束
TAVWH TAW
TAVEH TAW
把脉冲宽度
TWLWH TWP
TWLEH TWP
写恢复时间
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
数据保持时间
TWHDX TDH
TEHDX TDH
写入输出高Z（ 1 ）
TWLQZ TWHZ
数据写入时间
TDVWH TDW
TDVEH TDW
输出写入结束（ 1 ） TWHQX TWLZ活动
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
*先进的信息。
注1 ：参数保证，但未经测试。
12ns*
最小最大
12
8
8
0
0
8
8
8
10
0
0
0
0
0
6
6
6
3
15ns
17ns
20ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
17
20
10
11
12
10
11
12
0
0
0
0
0
0
10
11
12
10
11
12
10
11
12
12
13
14
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
7
0
8
0
9
7
8
9
7
8
9
3
3
3
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 6
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
W
tAVWL
D
TWLQZ
Q
高Z
tWLWH
tWHAX ALE低
tDVWH
数据有效
tWHDX
TWHQX
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4
2000年8月修订版7
EDI8L32512C
图。 7
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
数据有效
tEHDX
tEHAX
tELEH
订购信息
商用（ 0
°
C至+70
°
C)
工业级（-40
°
C至+ 85
°
C)
产品型号
EDI8L32512C12AC*
EDI8L32512C15AC
EDI8L32512C17AC
EDI8L32512C20AC
速度
（纳秒）
12
15
17
20
包
号
99
99
99
99
产品型号
EDI8L32512C15AI*
EDI8L32512C17AI
EDI8L32512C20AI
*高级信息
速度
（纳秒）
15
17
20
包
号
99
99
99
封装图
包号99
68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
重量= 4.2克
THETA
A
= 40
°
C / W
THETA
C
= 15
°
C / W
0.995 0.956
MAX MAX
0.020
0.015
0.050
BSC
0.995
最大
0.956
最大
包号99
68引脚PLCC
0.180
最大
0.040
最大
0.930
0.890
0.115
最大
共面性（最低导致高铅） 0.004
2000年8月修订版7
5
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
怀特电子设计
512Kx32 CMOS高速静态RAM
特点
DSP的存储解决方案
摩托罗拉DSP96002
模拟SHARC DSP
德州仪器TMS320C3X ， TMS320C4X
随机存取存储器阵列
快速访问时间： 12 * ， 15 ， 17 ，和20ns的
TTL兼容的I / O
完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
68引脚PLCC ， 99号JEDEC M0-47AE
占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声抗扰度
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
*先进的信息
EDI8L32512C
描述
该EDI8L32512C是一个高速，5V， 16Mb的SRAM中。该
设备是可用的12 ，15，17的存取时间和
20ns的允许创建一个无等待状态的DSP内存
的解决方案。高速， 5V电源电压和控制线
使divice非常适合创建浮动点DSP存储器
的解决方案。
该设备可以是CON组fi gured作为一个512K ×32和用于
创建TI的单芯片外部数据存储器解决方案
TMS320C30 / C31 （图8） ， TMS320C32 （图9）或
TMS320C4X （图10 ） ，摩托罗拉DSP96002和模拟的
SHARC的DSP （图11） 。另外，该设备的芯片
能使可用于CON组fi gure它作为一个1M X 16， 1M ×48
创建模拟的SHARC DSP程序存储器阵列
使用三个器件（图12） 。如果内存过深，
2 512K X部24s （ EDI8L24512C ）可以被用来创建一个512K
×48阵列或两个128K ×48阵列。
器件相比提供了56 ％的空间节省
四512K ×8 ， 36引脚SOJs 。另外EDI8L32512C
对在数据线与32pF为4只一10pF的负载
塑料SOJs 。
该器件提供了EDI8L32256C的内存升级
（ 256K ×32）或EDI8L32128C （ 128K ×32） 。有关其他
升级信息，请参见图13 。
注：焊锡再溢流温度应不超过230 ℃下进行10秒。
图。 1引脚配置和框图
DQ16
A18
A17
E3#
E2#
E1#
E0#
NC
VCC
NC
NC
G#
W#
A16
A15
A14
DQ15
引脚名称
A0-A18
E0#-E3#
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使
写入启用
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
字节控制
表
芯片
启用
E0#
E1#
E2#
E3#
字节
控制
DQ0-7
DQ8-15
DQ16-23
DQ24-31
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
DQ17 10
DQ18 11
DQ19 12
V
SS
13
DQ20 14
DQ21 15
DQ22 16
DQ23 17
V
CC
18
DQ24 19
DQ25 20
DQ26 21
DQ27 22
V
SS
23
DQ28 24
DQ29 25
DQ30 26
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
注：有关内存升级的信息，请参阅第8页，图13 "EDI MCM -L升级Path"
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2000年8月
启示录7
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
A0-18
19
G#
W#
E0#
E1#
E2#
E3#
512K ×32
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温， TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
5.0瓦
20毫安
175°C
EDI8L32512C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.25
0
V
CC
+0.5V
0.8
单位
V
V
V
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
注：对于T
EHQZ
,t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的）
*压力大于下"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他唯一和功能操作
条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图2
图。 2
VCC
图。 3
480
VCC
480
Q
255
30pF
Q
255
5pF
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
＃ ≥ V
IH
, V
IN
≤ V
IL
或V
IN
≥V
IH
， F = 0MHz处
＃ ≥ V
CC
-0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V或V
IN
≤ 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
最大
12-25
800
200
40
±10
±10
2.4
0.4
17/20
720
200
40
单位
ns
mA
mA
mA
A
A
V
V
真值表
G#
X
H
L
X
2000年8月
启示录7
电容
动力
I
CC2
I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
2
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
（ F = 1.0MHz的，V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
符号
地址线
CI
数据线
CD / Q
写&输出使能线W＃ ， G＃
芯片使能线
E0#-E3#
最大
30
10
30
8
单位
pF
pF
pF
pF
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
*先进的信息
注： 1.参数保证，但未经测试。
EDI8L32512C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
12ns*
民
12
最大
12
12
3
6
3
6
0
6
0
3
3
15ns
民
15
最大
15
15
3
7
3
7
0
7
17ns
民
17
最大
17
17
3
9
3
9
0
9
民
20
20ns
最大
20
20
9
9
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 4
读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
地址1
t
AVQV
Q
地址2
t
AVQX
数据1
数据2
图。五
读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
Q
t
GHQZ
t
EHQZ
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启示录7
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怀特电子设计
交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
12ns
民
12
8
8
0
0
8
8
8
10
0
0
0
0
0
6
6
3
最大
15ns
民
15
10
10
0
0
10
10
10
12
0
0
0
0
0
7
7
3
最大
17ns
民
17
11
11
0
0
11
11
11
13
0
0
0
0
0
8
8
3
最大
EDI8L32512C
20ns
民
20
12
12
0
0
12
12
12
14
0
0
0
0
0
9
9
3
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
7
8
9
*先进的信息。
注1 ：参数保证，但未经测试。
图。 6
写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
D
t
WLQZ
Q
高Z
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WHQX
数据有效
t
WHAX
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图。 7
写周期2 - ê ＃控制
t
AVAV
A
t
AVEL
E
t
AVEH
t
WLEH
W#
t
DVEH
D
Q
高Z
t
EHDX
数据有效
EDI8L32512C
t
ELEH
t
EHAX
订购信息
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32512C12AC*
EDI8L32512C15AC
EDI8L32512C17AC
EDI8L32512C20AC
速度
（纳秒）
12
15
17
20
包
号
99
99
99
99
产品型号
EDI8L32512C15AI*
EDI8L32512C17AI
EDI8L32512C20AI
速度
（纳秒）
15
17
20
包
号
99
99
99
封装图
包号99
68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
重量= 4.2克
THETA
A
= 40 ° C / W
THETA
C
= 15 ° C / W
0.995
最大
0.956
最大
包号99
68引脚PLCC
0.180
最大
0.995 0.956
MAX MAX
0.020
0.015
0.050
BSC
0.040
最大
0.930
0.890
0.115
最大
共面性（最低导致高铅） 0.004
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