EDI8L32256V
256Kx32 SRAM
特点
n
256Kx32位CMOS静态
n
DSP的存储解决方案
ADSP - 21060L （ SHARC ）
ADSP - 21062L （ SHARC ）
TMS320LC31
n
随机存取存储器阵列
??单个字节使能
快速访问次数： 12 ， 15 ， 17和20ns的
??用户可配置的组织
用最少的附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
n
表面贴装封装
68引脚PLCC ， 99号JEDEC MO- 47AE
??占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声抗扰度
n
单3.3V （ ± 5 ％ ）电源供电
销刀豆网络gurations
1998年3月第2版
ECO ＃ 10135
T
NO
该EDI8L32256V是一个高速， 3.3伏， 8兆位的SRAM 。
该装置可为12 ，15，17的存取时间和
为20ns ，从而创建一个无等待状态的DSP内存
的解决方案。
该装置可被配置为256Kx32和用于
创建德州一个单芯片的外部数据存储器解决方案
仪器的TMS320LC31 （图3） ，或模拟设备的
SHARC
TM
的DSP （图4）。
可选择地，设备的芯片使可用于CON组
算起来作为512Kx16 。一个512Kx48程序存储器阵列
模拟的SHARC DSP使用三个设备创建时（图
URE 5 ） 。如果这MEMOR y是太深，二256Kx24s
（ EDI8L24256V ）可以被用来创建一个256Kx48阵列或
2 128Kx24s （ EDI8L24128V ）可以被用来创建一个
128Kx48数组。
器件相比提供了32 ％的空间节省
两个单片256Kx16 ， 44引脚SOJs 。
该器件提供了EDI8L32128V的内存升级
（ 128Kx32 ） 。对于多个存储器设备，可升级
到EDI8L32512V （ 512Kx32 ） 。有关其他升级IN-
形成见图6 。
注：回流焊温度应不超过260 ℃，10秒。
D
DE
EN
M
M
CO
RE
1
R
FO
A-A17
E-E1
BS-BS3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
引脚说明
地址输入
芯片启用（每字1 ）
选择字节（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
功率（3.3V ±5％）
地
无连接
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W
NE
GN
SI
DE
EDI8L32256V
框图
绝对最大额定值
推荐工作条件
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温， TJ
-0.5V至4.6V
参数
电源电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
3.135
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
--
--
最大
3.465
0
VCC+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
1.7瓦
20毫安
175°C
电源电压
输入高电压
输入低电压
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线/字节选择
符号
CA
CD / Q
W ，G
E， BS
最大
20
10
6
9
单位
pF
pF
pF
pF
真值表
E
H
L
L
L
L
W
X
H
X
H
L
G
X
H
X
L
X
BS-3
X
X
H
L
L
模式
待机
输出禁用
输出禁用
读
写
产量
高Z
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2,ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
ICC1
X表示不关心
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2
EDI8L32256V
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全StandbySupply电流
符号
ICC1
ICC2
ICC3
条件
W = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或
VIN
VIH ， F = MHz
E
VCC-0.2V
VIN
VCC- 0.2V或
VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
12/15
17/20
480
440
100
20
100
20
单位
ns
mA
mA
mA
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
±10
±10
2.4
0.4
±10
±10
0.4
A
A
V
V
AC测试电路
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ，参见图2）
3
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EDI8L32256V
交流特性 - 读周期
符号
参数
JEDEC
Alt键。
12ns
民
最大
15ns
民
最大
17ns
民
最大
20ns
民
最大
单位
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
字节选择访问时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
字节选择输出在低Z
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
字节选择输出在高Z
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
tAVAV
tAVQV
TELQV
TBLQX
TELQX
TBLQX
TEHQZ
TBHQZ
TAVQX
TGLQV
TGLQX
TGHQZ
TRC
TAA
TACS
tBLZ
TCLZ
tBLZ
TCHZ
tBHZ
TOH
TOE
TOLZ
tOHZ
12
12
12
12
3
3
7
7
3
5
2
4
15
15
15
15
3
3
8
8
3
6
2
5
17
17
17
17
3
3
8
8
3
8
2
6
20
20
20
20
3
3
10
10
3
10
2
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
读周期2
- W高
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4
EDI8L32256V
AC CHARACTERTISTICS - 写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
字节选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TWC
TELWH
TCW
tELEH
TCW
TBLWH
TBW
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
tAVWH
TAW
tAVEH
TAW
tWLWH
TWP
TWLEH
TWP
tWHAX ALE低
tWR的
tEHAX
tWR的
tWHDX
TDH
tEHDX
TDH
TWLQZ
tWHZ
tDVWH
TDW
tDVEH
TDW
TWHQX
TWLZ
12ns
最小最大
12
8
8
8
0
0
9
9
9
9
0
0
0
0
0
5
5
5
2
15ns
最小最大
15
12
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
6
8
8
2
17ns
最小最大
17
10
10
10
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
7
8
8
2
20ns
最小值最大值单位
20
ns
15
ns
15
ns
15
ns
0
ns
0
ns
15
ns
15
ns
15
ns
15
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
7
ns
10
ns
10
ns
2
ns
写周期1
- 硬件控制
5
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