EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
256Kx32 ， 5V的静态RAM
特点
256Kx32位CMOS静态
DSP的存储解决方案
??德州仪器TMS320C3X ， TMS320C4X
??模拟SHARC
TM
DSP
??摩托罗拉DSP96002
随机存取存储器阵列
??快速访问次数： 15 ， 17 ， 20和25ns的
??单个字节使能
??用户可配置的组织
用最少的附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号， JEDEC MO- 47AE
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
该EDI8L32256C是一个高速，5V， 8兆位的SRAM 。
该器件可提供15个，17个， 20访问时间和
为25ns ，从而创建一个无等待状态的DSP内存
的解决方案。
该装置可被配置为256Kx32和用于
创建为单个芯片的外部数据存储器溶液
德州仪器TMS320C30 / 31 ， TMS 320C32或
TMS320C4X ，摩托罗拉DSP96002和模拟设备的
SHARC
TM
DSP 。
可选择地，设备的芯片能使可用于
其配置为512Kx16 。一个512Kx48程序存储器
阵列模拟的SHARC
TM
DSP使用三个创建
设备。如果内存过深，二256Kx24s
（ EDI8L24256C ）可以被用来创建一个256Kx48阵列或
2 128Kx24s （ EDI8L24128C ）可以被用来创建一个
128Kx48数组。
器件相比提供了32 ％的空间节省
两个单片256Kx16 ， 44引脚SOJs 。
该装置提供的一个存贮器升级
EDI8L32128C （ 128Kx32 ）和EDI8L3265C （ 64Kx32 ） 。
对于多个存储器设备可以升级到
EDI8L32512C （ 512Kx32 ） 。
注：回流焊温度应不超过260 ℃，10秒。
引脚配置和框图
DQ16
NC
A17
BS3\
BS2\
BS1\
BSO \\
E1\
VCC
NC
E\
G\
W\
A16
A15
A14
DQ15
引脚名称
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VCC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
A-A17
E-E1
BS-BS3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
A-A17
G
W
E
E1
BSO
BS1
BS2
BS3
地址输入
芯片启用（每字1 ）
选择字节（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
18
注：内存升级信息，请参阅第8页，图8 "EDI MCM -L
升级path" 。
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
VCC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ
256Kx32
内存
元
ra
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
DQ-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁，马萨诸塞州01581USA 508-366-5151 传真508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
1
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温， TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
3.1瓦
20毫安
175°C
建议的直流工作条件
参数
符号
电源电压
VCC
电源电压
VSS
输入高电压VIH
输入低电压VIL
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值最大值单位
5.0 5.25 V
0
0
V
- VCC + 0.5 V
--
0.8
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
图1
VCC
图2
VCC
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
480
Q
255
30 pF的
Q
255
480
5 pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全StandbySupply电流
符号
ICC1
ICC2
ICC3
条件
W = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
≥
VIH ， VIN
≤
VIL或
VIN
≥
VIH ， F = MHz
E
≥
VCC-0.2V
VIN
≥
VCC- 0.2V或
VIN
≤
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
15/17
575
120
20
单位
20/25
480
120
20
mA
mA
mA
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
± 10
±10
2.4
0.4
A
A
V
V
真值表
东西摹
H X将X
L H ^ h
L X X
L H L
L L X
X表示不关心
电容
BSO - 3模式
X
待机
X输出禁止
H输出禁用
L
读
L
写
产量
高Z
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2,ICC3,
ICC1
ICC1
ICC1
ICC1
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线/字节选择
符号
CA
CD / Q
W ，G
E， BS
最大
20
10
6
9
单位
pF
pF
pF
pF
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
2
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
字节选择访问时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
字节选择输出在低Z
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
字节选择输出在高Z
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TRC
tAVQV
TAA
TELQV TACS
TBLQX TBLZ
TELQX TCLZ
TBLQX TBLZ
TEHQZ TCHZ
TBHQZ TBHZ
TAVQX
TOH
TGLQV
TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
17ns
20ns
25ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
17
20
25
15
17
20
25
15
17
20
25
15
17
20
25
3
3
3
3
3
3
3
3
8
8
10
10
8
8
10
10
3
3
3
3
6
8
10
10
2
2
2
2
5
6
8
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
TELQV
TELQX
BSX ，
E
TEHQZ
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
3
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
交流特性写周期
符号
JEDEC
Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
tELEH
TCW
TBLWH TBW
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TWLEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
tEHDX
TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
15ns
17ns
20ns
25ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
15
17
20
25
ns
9
10
15
20
ns
9
10
15
20
ns
9
10
15
20
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
6
0
7
0
7
0
10纳秒
6
8
8
12
ns
6
8
8
12
ns
2
2
2
2
ns
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
字节选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
BSX ，
E
TELWH
tAVWH
W
tAVWL
D
TWLQZ
Q
高Z
tWLWH
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
tWHAX ALE低
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
4
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
tELEH
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
数据有效
tEHDX
tEHAX
BSX ，
E
订购信息
商用（0 ° C至70 ° C）
产品型号
EDI8L32256C15AC
EDI8L32256C17AC
EDI8L32256C20AC
EDI8L32256C25AC
速度
（纳秒）
15
17
20
25
包
号
99
99
99
99
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32256C17AI
EDI8L32256C20AI
EDI8L32256C25AI
速度
（纳秒）
17
20
25
包
号
99
99
99
包装说明
包号99
68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
0.995
最大
0.956
最大
重量= 4.2克
THETA
A
= 40
°
C / W
THETA
C
= 15
°
C / W
0.995
最大
0.956
最大
0.180
最大
0.040
最大
0.020
0.015
0.930
0.890
0.050
BSC
0.115
最大
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁，马萨诸塞州01581USA 508-366-5151 传真508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
电子设计公司保留更改恕不另行通知。
CAGE号66301
5
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
256Kx32 ， 5V的静态RAM
特点
256Kx32位CMOS静态
DSP的存储解决方案
??德州仪器TMS320C3X ， TMS320C4X
??模拟SHARC
TM
DSP
??摩托罗拉DSP96002
随机存取存储器阵列
??快速访问次数： 15 ， 17 ， 20和25ns的
??单个字节使能
??用户可配置的组织
用最少的附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号， JEDEC MO- 47AE
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
该EDI8L32256C是一个高速，5V， 8兆位的SRAM 。
该器件可提供15个，17个， 20访问时间和
为25ns ，从而创建一个无等待状态的DSP内存
的解决方案。
该装置可被配置为256Kx32和用于
创建为单个芯片的外部数据存储器溶液
德州仪器TMS320C30 / 31 ， TMS 320C32或
TMS320C4X ，摩托罗拉DSP96002和模拟设备的
SHARC
TM
DSP 。
可选择地，设备的芯片能使可用于
其配置为512Kx16 。一个512Kx48程序存储器
阵列模拟的SHARC
TM
DSP使用三个创建
设备。如果内存过深，二256Kx24s
（ EDI8L24256C ）可以被用来创建一个256Kx48阵列或
2 128Kx24s （ EDI8L24128C ）可以被用来创建一个
128Kx48数组。
器件相比提供了32 ％的空间节省
两个单片256Kx16 ， 44引脚SOJs 。
该装置提供的一个存贮器升级
EDI8L32128C （ 128Kx32 ）和EDI8L3265C （ 64Kx32 ） 。
对于多个存储器设备可以升级到
EDI8L32512C （ 512Kx32 ） 。
注：回流焊温度应不超过260 ℃，10秒。
引脚配置和框图
DQ16
NC
A17
BS3\
BS2\
BS1\
BSO \\
E1\
VCC
NC
E\
G\
W\
A16
A15
A14
DQ15
引脚名称
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VCC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
A-A17
E-E1
BS-BS3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
A-A17
G
W
E
E1
BSO
BS1
BS2
BS3
地址输入
芯片启用（每字1 ）
选择字节（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
18
注：内存升级信息，请参阅第8页，图8 "EDI MCM -L
升级path" 。
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
VCC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ
256Kx32
内存
元
ra
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
DQ-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁，马萨诸塞州01581USA 508-366-5151 传真508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
1
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温， TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
3.1瓦
20毫安
175°C
建议的直流工作条件
参数
符号
电源电压
VCC
电源电压
VSS
输入高电压VIH
输入低电压VIL
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值最大值单位
5.0 5.25 V
0
0
V
- VCC + 0.5 V
--
0.8
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
图1
VCC
图2
VCC
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
480
Q
255
30 pF的
Q
255
480
5 pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全StandbySupply电流
符号
ICC1
ICC2
ICC3
条件
W = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
≥
VIH ， VIN
≤
VIL或
VIN
≥
VIH ， F = MHz
E
≥
VCC-0.2V
VIN
≥
VCC- 0.2V或
VIN
≤
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
15/17
575
120
20
单位
20/25
480
120
20
mA
mA
mA
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
± 10
±10
2.4
0.4
A
A
V
V
真值表
东西摹
H X将X
L H ^ h
L X X
L H L
L L X
X表示不关心
电容
BSO - 3模式
X
待机
X输出禁止
H输出禁用
L
读
L
写
产量
高Z
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2,ICC3,
ICC1
ICC1
ICC1
ICC1
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线/字节选择
符号
CA
CD / Q
W ，G
E， BS
最大
20
10
6
9
单位
pF
pF
pF
pF
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
2
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
字节选择访问时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
字节选择输出在低Z
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
字节选择输出在高Z
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TRC
tAVQV
TAA
TELQV TACS
TBLQX TBLZ
TELQX TCLZ
TBLQX TBLZ
TEHQZ TCHZ
TBHQZ TBHZ
TAVQX
TOH
TGLQV
TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
17ns
20ns
25ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
15
17
20
25
15
17
20
25
15
17
20
25
15
17
20
25
3
3
3
3
3
3
3
3
8
8
10
10
8
8
10
10
3
3
3
3
6
8
10
10
2
2
2
2
5
6
8
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
TELQV
TELQX
BSX ，
E
TEHQZ
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
3
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
交流特性写周期
符号
JEDEC
Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
tELEH
TCW
TBLWH TBW
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TWLEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
tEHDX
TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
15ns
17ns
20ns
25ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
15
17
20
25
ns
9
10
15
20
ns
9
10
15
20
ns
9
10
15
20
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
6
0
7
0
7
0
10纳秒
6
8
8
12
ns
6
8
8
12
ns
2
2
2
2
ns
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
字节选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
BSX ，
E
TELWH
tAVWH
W
tAVWL
D
TWLQZ
Q
高Z
tWLWH
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
tWHAX ALE低
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
4
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
EDI8L32256C
256Kx32 SRAM模块
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
tELEH
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
数据有效
tEHDX
tEHAX
BSX ，
E
订购信息
商用（0 ° C至70 ° C）
产品型号
EDI8L32256C15AC
EDI8L32256C17AC
EDI8L32256C20AC
EDI8L32256C25AC
速度
（纳秒）
15
17
20
25
包
号
99
99
99
99
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32256C17AI
EDI8L32256C20AI
EDI8L32256C25AI
速度
（纳秒）
17
20
25
包
号
99
99
99
包装说明
包号99
68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
0.995
最大
0.956
最大
重量= 4.2克
THETA
A
= 40
°
C / W
THETA
C
= 15
°
C / W
0.995
最大
0.956
最大
0.180
最大
0.040
最大
0.020
0.015
0.930
0.890
0.050
BSC
0.115
最大
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁，马萨诸塞州01581USA 508-366-5151 传真508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
电子设计公司保留更改恕不另行通知。
CAGE号66301
5
EDI8L32256C第4版3/98 ECO ＃ 9662
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