EDI8L32256C
特点
256Kx32位CMOS静态
DSP的存储解决方案
??德州仪器TMS320C3X ， TMS320C4X
??模拟SHARC
TM
DSP
??摩托罗拉DSP96002
随机存取存储器阵列
??快速访问次数： 15 ， 17 ， 20和25ns的
??单个字节使能
??用户可配置的组织
用最少的附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号， JEDEC MO- 47AE
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
256Kx32 ， 5V的静态RAM
该EDI8L32256C是一个高速，5V， 8兆位的SRAM 。
该器件可提供15个，17个， 20访问时间和
为25ns ，从而创建一个无等待状态的DSP内存
的解决方案。
该装置可被配置为256Kx32和用于
创建为单个芯片的外部数据存储器溶液
德州仪器TMS320C30 / 31 （图3 ） ， TMS
320C32 （图4）或TMS320C4X （图5） ，摩托罗拉
DSP96002和模拟设备SHARC
TM
的DSP （图6） 。
可选择地，设备的芯片能使可用于
其配置为512Kx16 。一个512Kx48程序存储器
阵列模拟的SHARC
TM
DSP使用三个创建
装置（图7）。如果内存过深，二256Kx24s
（ EDI8L24256C ）可以被用来创建一个256Kx48阵列或
2 128Kx24s （ EDI8L24128C ）可以被用来创建一个
128Kx48数组。
的COM时，该设备提供了32 ％的空间节省
相比于两个单片256Kx16 ， 44引脚SOJs 。
该装置提供的一个存贮器升级
EDI8L32128C （ 128Kx32 ）和EDI8L3265C （ 64Kx32 ） 。
对于多个存储器设备可以升级到
EDI8L32512C （ 512Kx32 ） 。对于更多的Infor公司升级
息见图8 。
注：焊锡再溢流温度应不超过230 ℃下进行10秒。
引脚配置和框图
注意：对于内存升级信息，请参阅第8页，
图8 "EDI MCM -L的升级path" 。
1999年2月修订版5
ECO ＃ 11254
T
NO
D
DE
EN
M
M
CO
RE
1
引脚名称
A-A17
E-E1
BS-BS3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
R
FO
地址输入
芯片启用（每字1 ）
选择字节（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
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W
NE
GN
SI
DE
EDI8L32256C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温， TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
3瓦
20毫安
175°C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
单位
5.25
V
0
V
VCC + 0.5 V
0.8
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何其他条件比那些在这个业务部门所标明
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全StandbySupply电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或
VIN
VIH ， F = MHz
E
VCC-0.2V
VIN
VCC- 0.2V或
VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
15/17
575
120
20
±10
±10
0.4
20/25
480
120
20
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
2.4
真值表
E
H
L
L
L
L
W
X
H
X
H
L
摹BSO - 3
模式
X
X
待机
H
X
输出禁用
X
H输出禁用
L
L
读
X
L
写
产量
高Z
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2 ， ICC3 ，
ICC1
ICC1
ICC1
ICC1
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线/字节选择
符号
CA
CD / Q
W ，G
E， BS
最大
20
10
6
9
单位
pF
pF
pF
pF
X表示不关心
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2
EDI8L32256C
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
字节选择访问时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
字节选择输出在低Z
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
字节选择输出在高Z
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC
Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TBLQX TBLZ
TELQX TCLZ
TBLQX TBLZ
TEHQZ TCHZ
TBHQZ TBHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
最小最大
15
15
15
15
3
3
8
8
3
6
2
5
17ns
最小最大
17
17
17
17
3
3
8
8
3
8
2
6
20ns
最小最大
20
20
20
20
3
3
10
10
3
10
2
8
25ns
最小最大
25
25
25
25
3
3
10
10
3
10
2
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
读周期2 - W高
3
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EDI8L32256C
交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
字节选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC
Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TELEH TCW
TBLWH TBW
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TWLEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
tEHDX
TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
15ns
17ns
20ns
25ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
15
17
20
25
ns
9
10
15
20
ns
9
10
15
20
ns
9
10
15
20
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
10
12
15
15
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
0
0
0
ns
0
6
0
7
0 7 0
10纳秒
6
8
8
12
ns
6
8
8
12
ns
2
2
2
2
ns
写周期1 - 硬件控制
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4
EDI8L32256C
写周期2 - E受控
T
NO
订购信息
商用（0 ° C至70 ° C）
产品型号
EDI8L32256C15AC
EDI8L32256C17AC
EDI8L32256C20AC
EDI8L32256C25AC
包装说明
包号99
68铅FLCC
JEDEC MO- 47 AE
重量= 4.2克
THETA
A
= 40 ° C / W
THETA
C
= 15 ° C / W
D
DE
EN
M
M
CO
RE
速度
（纳秒）
15
17
20
25
包
号
99
99
99
99
5
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32256C17AI
EDI8L32256C20AI
EDI8L32256C25AI
速度
（纳秒）
17
20
25
包
号
99
99
99
R
FO
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W
NE
GN
SI
DE
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