怀特电子设计
128Kx32 CMOS高速静态RAM
特点
128Kx32位CMOS静态
模拟SHARC
TM
外部存储解决方案
ADSP-21060L
ADSP-21062L
随机存取存储器阵列
快速存取时间：12， 15和20ns的
用户刀豆网络可配置组织
用最少的附加逻辑
主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
68引脚PLCC ， 99号（ JEDEC MO- 47AE ）
占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
单3.3V （ ± 5 ％ ）电源供电
EDI8L32128V
描述
该EDI8L32128V是一个高速，3.3V， 4兆位
密度的静态RAM 。该器件可访问
12 ， 15和20ns的时间，使设备支持
60MH
Z
DSP的无等待状态。高速， 3.3V
电源电压和字节CON连接gurability使设备
非常适合与ADI公司的ADSP- 21062L和接口
ADSP- 21060L SHARC DSP的。
该设备可以是CON组fi gured作为128Kx32和用于
创建用于在单个芯片的外部数据存储器溶液
SHARC （FI gure 1 ） 。提供了一个节省51 ％的空间时，
相比于4 128Kx8 ， 400mil宽的塑料SOJs 。该
EDI8L32128V具有在数据线与24pf为10pF的负载
四个塑料SOJs 。内存升级，在相同的空间
可以与EDI8L32256V （ 256Kx32 ）来实现或
在EDI8L32512V （ 512KX32 ） 。这是中详细介绍
申请报告"The EDI的X32 MCM -L SRAM系列：
集成的内存解决方案的模拟SHARC DSP"
可选择地，设备的芯片使能精读音响gure它作为一个
256Kx16 。对于SHARC一个256Kx48程序存储器阵列
使用三个设备（FI gure 2 ）创建。如果内存
太深， 2 128Kx24的（ EDI8L24128V ）可以用来
创建一个128Kx48存储器阵列。
注：焊锡再溢流温度应不超过260℃ ，10秒
引脚配置和
框图
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
DQ16
NC
NC
E3#
E2#
E1#
E0#
NC
V
CC
NC
NC
G#
W#
A16
A15
A14
DQ15
引脚名称
A-A16
E#-E3#
W#
G#
DQ-DQ31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片启用（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（+ 3.3V±10 ％）
地
无连接
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
A0-A16
G#
W#
E0#
E1#
E2#
E3#
17
128Kx32
内存
ARRAY
注：引脚2 & 67的64Kx32 （ EDI8L3265C ）和256Kx32 （ EDI8L32256C ）是
单词选择引脚。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温，T
J
-0.5V至4.6V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
3瓦
20毫安
175°C
EDI8L32128V
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3. 135V
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
—
—
最大
3.465V
0
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
（注：对于T
EHQZ
,t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的） （见网络gure 2 ）
图1
Z0 = 50
Q
319
65 pF的
R
L
= 50
V
L
= 1.5V
D
OUT
353
5 pF的
图2
V
CC
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全CMOS待机
电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
典型：T已
A
= 25 ° C，V
CC
=3.3V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ = V
IL
， II / O = 0毫安，
闵周期
＃ V
IH
, V
IN
V
IL
or
V
IN
V
IH
， F = OMH
Z
＃ V
CC
-0.2V
V
IN
V
CC
-0.2V或
V
IN
0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
最大
12
680
120
40
15
660
120
40
±10
±10
20
620
120
40
单位
ns
mA
mA
mA
A
A
V
V
2.4
0.4
真值表
G#
X
H
L
X
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC2
, I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
电容
(f=1.0MH
Z
, V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线
符号
CA
CD / Q
W＃ ，G ＃
E# - E3#
最大
40
10
40
8
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
EDI8L32128V
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
民
12
12ns
最大
12
8
2
7
3
5
2
4
2
3
3
民
15
15ns
最大
15
10
3
8
3
6
2
5
民
20
20ns
最大
20
20
10
8
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
地址1
地址2
t
AVQV
Q
t
AVQX
数据1
数据2
读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
BSX ＃ ，E ＃
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
Q
t
GHQZ
t
EHQZ
t
AVQV
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交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
EDI8L32128V
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
12
8
8
0
0
9
9
9
9
0
0
0
0
0
5
5
2
12ns
最大
民
15
9
9
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
6
6
2
15ns
最大
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
8
8
2
20ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
6
7
写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
BSX ＃ ，E ＃
t
ELWH
t
AVWH
W#
t
WHAX
t
WLWH
t
AVWL
D
t
DVWH
数据有效
t
WHDX
t
WLQZ
Q
t
WHQX
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写周期2 - ê ＃控制
t
AVAV
A
EDI8L32128V
t
AVEL
BSX ＃ ，E ＃
t
ELEH
t
AVEH
t
WLEH
t
EHAX
W#
t
DVEH
D
Q
高Z
数据有效
t
EHDX
订购信息
商用（0 ° C至70 ° C）
产品型号
EDI8L32128V12AC
EDI8L32128V15AC
EDI8L32128V20AC
速度
（纳秒）
12
15
20
包
号
99
99
99
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32128V12AI
EDI8L32128V15AI
EDI8L32128V20AI
速度
（纳秒）
12
15
20
包
号
99
99
99
包装说明
包号99
68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
THETA
A
=40°C/W
THETA
C
=15°C/W
重量= 4.2G
0.995
最大
0.956
最大
0.995 0.956
最大
最大
0.180
最大
0.040
最大
0.020
0.015
0.050
BSC
0.930
0.890
0.115
最大
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