怀特电子设计
128Kx32 CMOS高速静态RAM
特点
128Kx32位CMOS静态
随机存取存储器阵列
快速访问时间： 12 ，15，17 ，20，和25ns的
单个字节使能
用户刀豆网络可配置组织以最少
附加逻辑
主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
68引脚PLCC ， 99号（ JEDEC MO- 47AE ）
占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声
免疫
EDI8L32128C
描述
该EDI8L32128C是一个高速，高性能，
4兆位密度的静态RAM组织为128Kx32
位阵列。
四个芯片使，写控制和输出使能
提供了灵活的存储解决方案的用户。用户
可以独立地使每个4字节，并且
以最小的附加外围设备的逻辑，该单元可以是
CON组fi gured作为256Kx16或512Kx8阵列。
完全异步电路使用，无需时钟或
刷新操作，并提供平等的接入和
周期的易用性。
该EDI8L32128C ，允许4兆内存是
放置在低于0.990平方英寸的电路板空间;一
以上四个标准128Kx8储蓄0.885平方英寸
组件。
表面贴装封装
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
注：焊锡溢流温度不应超过230℃
图。 1引脚配置
顶视图
DQ16
NC
NC
E3#
E2#
E1#
E0#
NC
V
CC
NC
NC
G#
W#
A16
A15
A14
DQ15
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
引脚说明
A-16
E-3#
W#
G#
DQ-31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片启用（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VCC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
框图
A0-A16
G#
W#
E0#
E1#
E2#
E3#
17
128Kx32
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
注：引脚2 & 67的64Kx32 （ EDI8L3265C ）和256Kx32 （ EDI8L32256C ）的字选择引脚。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2002年8月，
启示录6
1
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DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温，T
J
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
4瓦
20毫安
175°C
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.75
0
2.2
-0.3
EDI8L32128C
建议的直流工作条件
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.25
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
电容
（ F = 1.0MH
Z
, V
IN
= V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线/字节选择
符号
C
A
C
D / Q
W＃ ，G ＃
E0-3#
最大
40
10
40
8
单位
pF
pF
pF
pF
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
E#
H
L
L
L
L
W#
X
H
X
H
L
G#
X
H
X
L
X
模式
待机
输出禁用
输出禁用
读
写
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC2
,I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
I
CC1
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全CMOS待机电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
典型：T已
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ = V
IL
， II / O = 0毫安，
闵周期
＃ ≥ V
IH
, V
IN
≤ V
IL
or
V
IN
≥ V
IH
， F = OMH
Z
＃ ≥ V
CC
-0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V或
V
IN
≤ 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
典型值
620
最大
12*
720
160
20
15
680
160
20
17
640
160
20
±10
±10
20/25
600
160
20
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
2.4
0.4
AC测试条件
图2
V
CC
480
Q
255
30 pF的
Q
255
5 pF的
科幻gure 3
V
CC
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图2
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图3）
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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启示录6
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
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交流特性 - 读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
12ns
民
12
最大
12
12
2
7
3
5
2
4
2
5
3
6
2
6
3
8
3
8
2
8
15ns
民
15
最大
15
15
3
8
3
8
17ns
民
17
最大
17
17
3
10
20ns
民
20
最大
20
20
EDI8L32128C
25n
民
25
最大
25
25
3
10
3
10
0
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1 ：参数保证，但未经测试。
图。 4读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
地址1
t
AVQV
Q
地址2
t
AVQX
数据1
数据2
图。 5读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQX
G#
t
ELQV
t
EHQZ
t
GLQX
Q
t
GLQV
t
GHQZ
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交流特性 - 写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
12
8
8
0
0
9
9
9
9
0
0
0
0
0
5
5
2
5
12ns
民
最大
15
9
9
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
6
6
2
6
15ns
民
最大
17
10
10
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
8
8
2
7
17ns
民
最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
8
8
2
7
20ns
民
最大
EDI8L32128C
25ns
民
25
20
20
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
12
12
2
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 6写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
t
GLAX
G#
t
AVWH
t
ELWH
E#
t
WHAX
t
AVWL
W#
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
D
数据有效
t
WLQZ
Q
高Z
t
WHQX
图。 7写周期2 - ê ＃控制
t
AVAV
A
t
AVEH
t
ELEH
E#
t
AVEL
W#
t
DVEH
D
Q
高Z
t
EHDX
t
WLEH
t
EHAX
数据有效
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4
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包装说明
包号99 ： 68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
EDI8L32128C
0.995
最大
0.956
最大
0.995 0.956
MAX MAX
0.180
最大
0.040
最大
0.020
0.015
0.930
0.890
0.050
BSC
0.115
最大
所有尺寸为英寸
订购信息
商用（0°C
至+ 70 ° C）
产品型号
EDI8L32128C12AC
EDI8L32128C15AC
EDI8L32128C17AC
EDI8L32128C20AC
EDI8L32128C25AC
速度
（纳秒）
12
15
17
20
25
包
号
99
99
99
99
99
工业（ -40°C
至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32128C15AI
EDI8L32128C17AI
EDI8L32128C20AI
速度
（纳秒）
15
17
20
包
号
99
99
99
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2002年8月，
启示录6
5
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怀特电子设计
128Kx32 CMOS高速静态RAM
特点
n
n
EDI8L32128C
描述
该EDI8L32128C是一个高速，高性能，
4兆位密度的静态RAM组织为
128Kx32位阵列。
四个芯片使，写控制和输出使能
提供了一个灵活的存储器解决方案的用户。该
用户可以独立地使每个4字节，
并且，以最少的附加外围设备的逻辑，所述单元
可以被配置为一个256Kx16或512Kx8阵列。
完全异步电路使用，无需时钟
或刷新操作，并提供平等机会
和周期时间的易用性。
该EDI8L32128C ，允许4兆内存
被放置在小于0.990平方英寸板的
空间;节省0.885平方英寸四个多
标准128Kx8组件。
注：焊锡溢流温度不应超过230℃
T
NO
128Kx32位CMOS静态
随机存取存储器阵列
??快速访问时间： 12 ，15，17 ，20，和25ns的
??单个字节使能
??用户可配置的组织以最少
附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
D
DE
EN
M
M
CO
RE
顶视图
1
n
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号（ JEDEC MO- 47AE ）
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大噪声
免疫
n
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
图。 1
引脚配置
引脚说明
A
-16
E
-3
W
G
地址输入
芯片启用（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
注意：
引脚2 & 67的64Kx32 （ EDI8L3265C ）和256Kx32 （ EDI8L32256C ）的字选择引脚。
R
FO
DQ
-31
V
CC
V
SS
NC
W
NE
框图
GN
SI
DE
2002年8月修订版6
ECO ＃ 15423
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怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温，T
J
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
4瓦
20毫安
175°C
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
EDI8L32128C
建议的直流工作条件
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.25
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他唯一和功能操作
条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
= V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线/字节选择
符号
C
A
C
D / Q
W ，G
E
0-3
最大
40
10
40
8
单位
pF
pF
pF
pF
真值表
E
H
L
L
L
L
W
X
H
X
H
L
G
X
H
X
L
X
模式
待机
输出禁用
输出禁用
读
写
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC2
,I
CC3
,
I
CC1
I
CC1
I
CC1
I
CC1
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全CMOS待机电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，
闵周期
E = V
IH
, V
IN
V
IL
or
V
IN
V
IH
， F = MHz
E = V
CC
-0.2V
V
IN
V
CC
-0.2V或
V
IN
0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
典型值
620
12*
720
160
20
15
680
160
20
最大
17
640
160
20
±10
±10
0.4
20/25
600
160
20
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
2.4
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图2
注意：
对于tEHQZ ， tGHQZ和tWLQZ ， CL = 5pF的图3）
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2
怀特电子设计
交流特性 - 读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：
参数的保证，但未经测试。
EDI8L32128C
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
RC
t
AVQV
t
AA
t
ELQV
t
ACS
t
ELQX
t
CLZ
t
EHQZ
t
CHZ
t
AVQX
t
OH
t
GLQV
t
OE
t
GLQX
t
OLZ
t
GHQZ
t
OHZ
12ns
15ns
17ns
20ns
25n
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
12
15
17
20
25
ns
12
15
17
20
25
ns
12
15
17
20
25
ns
2
3
3
3
3
ns
7
8
8
10
10
ns
3
3
3
3
3
ns
5
6
8
8
10
ns
2
2
2
2
0
ns
4
5
6
8
10
ns
图。 4读周期1 - W高，G ，E LOW
图。 5读周期2 - W高
3
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怀特电子设计
交流特性 - 写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注意：
参数的保证，但未经测试。
EDI8L32128C
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
WC
t
CW
t
ELWH
t
ELEH
t
CW
t
AVWL
t
AS
t
AVEL
t
AS
t
AVWH
t
AW
t
AVEH
t
AW
t
WLWH
t
WP
t
WLEH
t
WP
t
WHAX
t
WR
t
EHAX
t
WR
t
WHDX
t
DH
t
EHDX
t
DH
t
WLQZ
t
WHZ
t
DVWH
t
DW
t
DVEH
t
DW
t
WHQX
t
WLZ
12ns
最小最大
12
8
8
0
0
9
9
9
9
0
0
0
0
0
5
5
5
2
15ns
最小最大
15
9
9
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
6
6
6
2
民
17
10
10
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
8
8
2
17ns
最大
7
20ns
最小最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
7
8
8
2
25ns
最小最大
25
20
20
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
12
12
2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 6写周期1 - 硬件控制
图。 7写周期2 - E受控
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4
怀特电子设计
包装说明
P
ACKAGE
N
O
. 99:
68引脚PLCC
JEDEC MO- 47AE
EDI8L32128C
订购信息
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
产品型号
EDI8L32128C12AC
EDI8L32128C15AC
EDI8L32128C17AC
EDI8L32128C20AC
EDI8L32128C25AC
速度
（纳秒）
12
15
17
20
25
包
号
99
99
99
99
99
T
NO
D
DE
EN
M
M
CO
RE
所有尺寸为英寸
R
FO
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32128C15AI
EDI8L32128C17AI
EDI8L32128C20AI
W
NE
速度
（纳秒）
15
17
20
包
号
99
99
99
GN
SI
DE
5
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
怀特电子设计
128Kx32 CMOS高速静态RAM
特点
n
n
EDI8L32128C
描述
该EDI8L32128C是一个高速，高性能，
4兆位密度的静态RAM组织为
128Kx32位阵列。
四个芯片使，写控制和输出使能
提供了一个灵活的存储器解决方案的用户。该
用户可以独立地使每个4字节，
并且，以最少的附加外围设备的逻辑，所述单元
可以被配置为一个256Kx16或512Kx8阵列。
完全异步电路使用，无需时钟
或刷新操作，并提供平等机会
和周期时间的易用性。
该EDI8L32128C ，允许4兆内存
被放置在小于0.990平方英寸板的
空间;节省0.885平方英寸四个多
标准128Kx8组件。
注：焊锡溢流温度不应超过230℃
T
NO
128Kx32位CMOS静态
随机存取存储器阵列
??快速访问时间： 12 ，15，17 ，20，和25ns的
??单个字节使能
??用户可配置的组织以最少
附加逻辑
??主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
D
DE
EN
M
M
CO
RE
顶视图
1
n
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号（ JEDEC MO- 47AE ）
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大噪声
免疫
n
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
图。 1
引脚配置
引脚说明
A
-16
E
-3
W
G
地址输入
芯片启用（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
注意：
引脚2 & 67的64Kx32 （ EDI8L3265C ）和256Kx32 （ EDI8L32256C ）的字选择引脚。
R
FO
DQ
-31
V
CC
V
SS
NC
W
NE
框图
GN
SI
DE
2002年8月修订版6
ECO ＃ 15423
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
结温，T
J
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
4瓦
20毫安
175°C
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
EDI8L32128C
建议的直流工作条件
民
4.75
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.25
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他唯一和功能操作
条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
= V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
写&输出使能线
芯片使能线/字节选择
符号
C
A
C
D / Q
W ，G
E
0-3
最大
40
10
40
8
单位
pF
pF
pF
pF
真值表
E
H
L
L
L
L
W
X
H
X
H
L
G
X
H
X
L
X
模式
待机
输出禁用
输出禁用
读
写
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC2
,I
CC3
,
I
CC1
I
CC1
I
CC1
I
CC1
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全CMOS待机电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，
闵周期
E = V
IH
, V
IN
V
IL
or
V
IN
V
IH
， F = MHz
E = V
CC
-0.2V
V
IN
V
CC
-0.2V或
V
IN
0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
典型值
620
12*
720
160
20
15
680
160
20
最大
17
640
160
20
±10
±10
0.4
20/25
600
160
20
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
2.4
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图2
注意：
对于tEHQZ ， tGHQZ和tWLQZ ， CL = 5pF的图3）
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2
怀特电子设计
交流特性 - 读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：
参数的保证，但未经测试。
EDI8L32128C
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
RC
t
AVQV
t
AA
t
ELQV
t
ACS
t
ELQX
t
CLZ
t
EHQZ
t
CHZ
t
AVQX
t
OH
t
GLQV
t
OE
t
GLQX
t
OLZ
t
GHQZ
t
OHZ
12ns
15ns
17ns
20ns
25n
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
12
15
17
20
25
ns
12
15
17
20
25
ns
12
15
17
20
25
ns
2
3
3
3
3
ns
7
8
8
10
10
ns
3
3
3
3
3
ns
5
6
8
8
10
ns
2
2
2
2
0
ns
4
5
6
8
10
ns
图。 4读周期1 - W高，G ，E LOW
图。 5读周期2 - W高
3
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交流特性 - 写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注意：
参数的保证，但未经测试。
EDI8L32128C
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
WC
t
CW
t
ELWH
t
ELEH
t
CW
t
AVWL
t
AS
t
AVEL
t
AS
t
AVWH
t
AW
t
AVEH
t
AW
t
WLWH
t
WP
t
WLEH
t
WP
t
WHAX
t
WR
t
EHAX
t
WR
t
WHDX
t
DH
t
EHDX
t
DH
t
WLQZ
t
WHZ
t
DVWH
t
DW
t
DVEH
t
DW
t
WHQX
t
WLZ
12ns
最小最大
12
8
8
0
0
9
9
9
9
0
0
0
0
0
5
5
5
2
15ns
最小最大
15
9
9
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
6
6
6
2
民
17
10
10
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
8
8
2
17ns
最大
7
20ns
最小最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
7
8
8
2
25ns
最小最大
25
20
20
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
12
12
2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 6写周期1 - 硬件控制
图。 7写周期2 - E受控
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ACKAGE
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（纳秒）
12
15
17
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包
号
99
99
99
99
99
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NO
D
DE
EN
M
M
CO
RE
所有尺寸为英寸
R
FO
工业级（-40° C至+ 85°C ）
产品型号
EDI8L32128C15AI
EDI8L32128C17AI
EDI8L32128C20AI
W
NE
速度
（纳秒）
15
17
20
包
号
99
99
99
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