EDI8F32259V
256Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
n
256Kx32位CMOS静态RAM
??访问次数： 12，15 ，20，和25ns的
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
n
符合JEDEC标准管脚引出线高密度封装
72针的SIMM号175 （角度）
72引脚ZIP 176号
72引脚SIMM ， 354号（直）
n
单+ 3.3V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8F32259V是一种高速的8Mb静态RAM模块
32位组织为256K字。该模块被构造
从八256Kx4静态RAM，在SOJ封装的环氧树脂
层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地使
4个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节，通过正确使用任意组合
选择。
该EDI8F32259V提供72引脚ZIP / SIMM封装，
能使8兆位的存储器被放置在小于1.3
平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
3.3V单电源供电。完全异步电路不需要
时钟或刷新操作，并提供平等的接入和
周期的易用性。
该ZIP和SIMM模块包含四个PD （在线检测）
这是用来识别在应用程序模块存储密度销
的阳离子，其中交替的模块可以互换。
图。 1
引脚配置和框图
A-A17
E-E3
W,
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
引脚名称
地址输入
芯片使
写入启用
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
功率（3.3V ±10％）
地
0
PD = 1,2 VSS
PD 3,4 =打开
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至4.6V
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
2.5瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
3.0
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
--
--
最大
单位
3.6
V
0
V
VCC + 0.3V V
0.8
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC - 0.2V或VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
12-25
800
240
40
±80
±20
0.4
单位
ns
mA
mA
mA
A
A
V
V
--
--
2.4
电容
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
读
写
输出取消
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写控制线
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
tAVAV
tAVQV
TELQV
TELQX
TAVQX
TGLQV
TGLQX
TRC
TAA
TACS
TCLZ
TOH
TOE
TOLZ
12ns
最小最大
12
12
12
3
6
3
6
0
6
15ns
最小最大
15
15
15
3
7
3
7
0
7
20ns
民
最大
20
20
20
3
9
3
9
0
9
25ns
最小最大
25
25
25
3
9
3
9
0
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEHQZ TCHZ
TGHQZ TOHZ
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
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交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
tAVAV
TELWH
TWLEH
tAVWL
塔维尔
tAVWH
tAVEH
TWC
TCW
TCW
TAS
TAS
TAW
TAW
12ns
最小最大
12
8
8
0
0
8
8
8
8
0
0
3
3
0
6
6
3
6
15ns
最小最大
15
9
9
0
0
9
9
9
9
0
0
3
3
0
7
7
3
7
20ns
民
最大
20
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
3
3
0
8
8
3
9
25ns
最小最大
25
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
3
3
0
8
8
3
9
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TWLWH TWP
TELEH TWP
tWHAX ALE低
tEHAX
tWHDX
tEHDX
tWR的
tWR的
TDH
TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
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写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
高Z
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
数据有效
tWHAX ALE低
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
tEHDX
数据有效
tELEH
tEHAX
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