EDI8G322048C
2048K ×32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
?? 2048K ×32位CMOS静态
??随机存取存储器
??访问次数： 20 ， 25 ，和为35ns
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
??高密度封装
72引线SIMM ， 356号（直）
??常见的数据输入和输出
??单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8G322048C是一个高速64兆位静态RAM
模块由32位组织为2048K的话。这个模块是
从16 1024K ×4的静态RAM，在SOJ封装构造
年龄上的环氧层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（ EO - E3 ）和最高位地址线是
使用独立启用4个字节，以及低
或可寻址内存空间高挡。读或写
可以在单个字节被执行或任意组合
通过适当选择使用多个字节。
该EDI8G322048C提供了72引线SIMM包，
能使64兆比特的存储器被放置在小于1.3
平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。完全异步电路不需要时钟
或刷新操作，并提供了平等的机会和周期
时代的易用性。
销PD1- PD4 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
引脚配置
引脚名称
A-A20
E-E3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
8G322048C引脚配置。
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EDI8G322048C
框图
A0-A19
W\
G\
U1
1Mx4
DQ0-DQ3
U3
1Mx4
DQ4-DQ7
U9
1Mx4
E1\
E2\
DQ0-DQ3
U11
1Mx4
DQ4-DQ7
解码器
A20
U2
1Mx4
DQ8-DQ11
U4
1Mx4
DQ12-DQ15
U10
1Mx4
DQ8-DQ11
U12
1Mx4
DQ12-DQ15
U5
1Mx4
DQ16-DQ19
U7
1Mx4
DQ20-DQ23
A20
E3\
E4\
U13
1Mx4
DQ16-DQ19
U15
1Mx4
DQ20-DQ23
解码器
U6
1Mx4
DQ24-DQ27
U8
1Mx4
DQ28-DQ31
U14
1Mx4
DQ24-DQ27
U16
1Mx4
DQ28-DQ31
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
7.0瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC - 0.2V或VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
典型值最大值单位
1750毫安
800
mA
160
mA
--
--
--
--
±80
±20
--
0.4
A
A
V
V
--
--
2.4
--
真值表
E0
H
L
L
*
*
E1
H
L
L
*
*
E2
H
L
L
*
*
E3
H
L
L
*
*
W
H
H
L
L
H
G
H
L
H
H
L
操作建议
残
读双字
写双字
写一个或多个字节的双字
读取一个或多个字节的双字
*每个使能控制一个字节的（x8）的32倍（双字）中，一个或多个字节使能可在此被驱动有效
操作。
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
120
20
120
120
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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EDI8G322048C
交流特性读周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
20ns
最小最大
20
20
20
3
15
3
15
0
15
25ns
民
25
最大
25
25
3
17
3
17
0
17
0
3
3
民
35
35ns
最大单位
ns
35
ns
35
ns
ns
20
ns
ns
20
ns
ns
20
ns
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
8G322048C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
8G322048C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
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交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TWLEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TELEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
20ns
最小最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
3
3
0
8
12
12
3
25ns
民
最大
25
20
20
0
0
20
20
20
20
0
0
0
0
0
12
15
15
3
35ns
最小最大
35
25
25
0
0
25
25
25
25
0
0
0
0
0
15
20
20
3
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
8G322048C写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
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