【EDI8F8512C512Kx8静态RAM CMOS ，模块特点n512Kx8位CMOS静态n随机存】,IC型号EDI8F8512C-B6C,EDI8F8512C-B6C PDF资料,EDI8F8512C-B6C经销商,ic,电子元器件-51电子网

EDI8F8512C

512Kx8静态RAM CMOS ，模块

特点

n

512Kx8位CMOS静态

n

随机存取存储器

??访问时间20到100纳秒

??数据保持功能（ EDI8F8512LP ）

TTL兼容的输入和输出

??完全静态的，并没有时钟

n

高密度封装

?? 36引脚SIP ，第63号

?? 32引脚DIP， JEDEC引脚， 91号（ 55-100ns ）

?? 32引脚DIP， JEDEC引脚， 183号（ 20-35ns ）

n

单+ 5V （ ± 10 ％）电源供电

描述

该EDI8F8512C是4096K位CMOS静态RAM基于四个

安装在一个多128Kx8或256Kx4 （高速）的静态RAM的

多层环氧树脂层压板（ FR4 ）基板。

功能等同于整体式四兆的静态

RAM被通过利用一个板上解码器的实现是

解释高阶地址（ ES ）选择the128Kx8之一

或256Kx4静态RAM 。

32引脚DIP引脚排列坚持四个JEDEC标准

兆位的设备，以确保与未来的不定形的兼容性。

低功率版数据保留（ EDI8F8512LP ）也

可用。

所有的输入和输出为TTL兼容，从操作

单5V电源。完全异步的， EDI8F8512C要求

无时钟或刷新操作。

图。 1

P

IN

C

ONFIGURATIONS和

B

LOCK

D

IAGRAM

NC

VCC

W

DQ2

DQ3

DQ0

A1

A2

A3

A4

VSS

DQ5

A10

A11

A5

A13

A14

NC

E

A15

A16

A12

A18

A6

DQ1

VSS

A0

A7

A8

A9

DQ7

DQ4

DQ6

A17

VCC

G

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

8F8512C引脚配置。

P

IN

N

AMES

A-A18

E

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

8F8512C引脚配置

地址输入

芯片使能

写使能

OUTPUT ENABLE

常见的数据输入/输出

电源（+ 5V± 10％）的

地

无连接

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

VCC

A15

A17

W

A13

A8

A9

A11

G

A10

E

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

W

G

DQ-DQ7

VCC

VSS

NC

A

0-17

W

G

256K ×4

DQ

0-3

A

0-16

W

G

128K ×8

256K ×4

DQ

4-7

128K ×8

55-100ns

128K ×8

DQ

0-7

20-35ns

256K ×4

128K ×8

20-55ns

A18

A

17-A18

E

解码器

E

解码器

8F8512C座直径

8F8512C DIA2座

2002年7月修订版13A

ECO ＃ 15405

1

怀特电子设计公司（ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com

EDI8F8512C

A

BSOLUTE

M

AXIMUM

R

ATINGS

*

任何引脚相对于VSS的电压

工作温度TA （环境）

产业

储存温度

功耗

输出电流

-0.5V至7.0V

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

4瓦

20毫安

R

ECOMMENDED

DC

操作摄像机

C

ONDITIONS

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

VIH

VIL

民

4.5

0

2.2

-0.3

典型值

5.0

0

--

最大

5.5

0

6.0

0.8

单位

V

*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作

该设备在这些或任何其他条件大于在指定的

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间可能会影响其可靠性。

AC牛逼

美东时间

C

ONDITIONS

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序水平

输出负载20-35ns

70-100ns

（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）

VSS至3.0V

5ns

1.5V

1TTL = 30pF的

1TTL ， CL = 100pF的

DC ê

LECTRICAL

C

极特

参数

工作电源

电源电流

待机（TTL）电

电源电流

全部备用电源

电源电流（ CMOS ）

输入漏电流

输出漏电流

输出高电压

输出低电压

*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V

符号

条件

民

ICC1 W， E = VIL ， II / O = 0毫安，

--

闵周期

ICC2

E

á

VIH, VIN VIL

DIP

--

VIN

á

VIH

SIP

--

ICC3

E

á

VCC-0.2V

C

--

VIN

á

VCC- 0.2V或

LP

--

VIN

[

0.2V

ILI

VIN = 0V至VCC

--

国际劳工组织

V I / O = 0V至VCC

--

VOH IOH = -1.0mA （ A70 ），或-4.0 （ [ 35 ）

2.4

VOL IOL = 2.1毫安（ A70 ），或8.0毫安（ [35 ） -

[35

340

50

--

5

--

典型*

最大

á55

20-25 35 55-100

70

570 390 130

10

--

2

40

--

85

--

40

--

±10

--

0.4

85

--

40

--

55

65

5

400

单位

ns

mA

A

V

±10 ±10

--

0.4 0.4

C

APACITANCE

T

RUTH

T

ABLE

G

X

H

L

X

E

H

L

W

X

H

L

模式

待机

输出取消

读

写

产量

高Z

DOUT

DIN

动力

ICC2 ， ICC3

ICC1

（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）

参数

地址线

数据线

芯片使能线

写和输出使能线

符号

CI

CD / Q

CC

CW

最大

30

43

10

32

单位

pF

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

怀特电子设计公司（ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com

2

2002年7月修订版13A

ECO ＃ 15405

EDI8F8512C

AC - C

极特

R

EAD

C

YCLE

符号

参数

JEDEC

Alt键。

读周期时间

tAVAV

TRC

地址访问时间

tAVQV

TAA

芯片使能存取时间

TELQV

TACS

芯片使能到输出低Z（ 1 ）

TELQX

TCLZ

芯片禁用到输出高Z（ 1 ） TEHQZ

TCHZ

从地址变更输出保持

TAVQX

TOH

输出使能到输出有效

TGLQV

TOE

输出使能到输出低Z（ 1 ） TGLQX

TOLZ

输出禁止到输出高Z（ 1 ） TGHQZ

tOHZ

注1 ：参数保证，但未经测试。

20ns

最小最大

20

3

10

3

13

0

8

25ns

最小最大

25

3

12

3

15

0

10

35ns

最小最大

35

3

15

3

20

0

12

单位

ns

图。 2

R

EAD

C

YCLE

1 - W H

室内运动场

，G ，左

OW

tAVAV

A

地址1

tAVQV

Q

8F8512C路CYC1

地址2

TAVQX

数据1

数据2

图。 3

R

EAD

C

YCLE

2 - W H

室内运动场

tAVAV

A

tAVQV

E

TELQV

TELQX

G

TGLQV

TGLQX

Q

8F8512C路CYC2

TEHQZ

TGHQZ

2002年7月修订版13A

ECO ＃ 15405

3

怀特电子设计公司（ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com

EDI8F8512C

AC - C

极特

R

EAD

C

YCLE

符号

参数

JEDEC

Alt键。

读周期时间

tAVAV

TRC

地址访问时间

tAVQV

TAA

芯片使能存取时间

TELQV

TACS

芯片使能到输出低Z（ 1 ）

TELQX

TCLZ

芯片禁用到输出高Z（ 1 ） TEHQZ

TCHZ

从地址变更输出保持

TAVQX

TOH

输出使能到输出有效

TGLQV

TOE

输出使能到输出低Z（ 1 ） TGLQX

TOLZ

输出禁止到输出高Z（ 1 ） TGHQZ

tOHZ

注1 ：参数保证，但未经测试。

55ns

最小最大

55

5

30

3

40

0

30

70ns

最小最大

70

5

30

3

40

0

30

85ns

最小最大

85

5

35

3

45

0

35

100ns

最小最大

100

5

40

3

50

0

40

单位

ns

AC - C

极特

W

RITE

C

YCLE

写周期

参数

写周期时间

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

把脉冲宽度

写恢复时间

数据保持时间

写入输出高Z（ 1 ）

数据写入时间

输出写入结束活动（ 1 ）

符号

JEDEC

ALT

tAVAV

TWC

TELWH

TCW

tELEH

TCW

tAVWL

TAS

塔维尔

TAS

tAVWH

TAW

tAVEH

TAW

tWLWH

TWP

TWLEH

TWP

tWHAX ALE低

tWR的

tEHAX

tWR的

tWHDX

TDH

tEHDX

TDH

TWLQZ

tWHZ

tDVWH

TDW

tDVEH

TDW

TWHQX

TWLZ

民

20

15

0

15

0

3

0

12

3

20ns

最大

民

25

20

0

20

0

3

0

15

3

25ns

最大

35ns

最小最大

35

30

0

30

25

0

3

0

15

20

3

单位

ns

10

12

注1 ：参数保证，但未经测试。

怀特电子设计公司（ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com

4

2002年7月修订版13A

ECO ＃ 15405

EDI8F8512C

AC - C

极特

W

RITE

C

YCLE

参数

写周期时间

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

把脉冲宽度

写恢复时间

数据保持时间

写入输出高Z（ 1 ）

数据写入时间

输出写入结束活动（ 1 ）

符号

JEDEC

Alt键。

tAVAV

TWC

TELWH

TCW

tELEH

TCW

tAVWL

TAS

塔维尔

TAS

tAVWH

TAW

tAVEH

TAW

tWLWH

TWP

TWLEH

TWP

tWHAX ALE低

tWR的

tEHAX

tWR的

tWHDX

TDH

tEHDX

TDH

TWLQZ

tWHZ

tDVWH

TDW

tDVEH

TDW

TWHQX

TWLZ

55NS

最小最大

55

50

0

50

0

30

5

70ns

最小最大

70

65

0

65

0

30

5

85n

最小最大

85

70

0

70

0

35

5

100ns

最小最大

100

80

0

80

0

40

5

单位

ns

注1 ：参数保证，但未经测试。

图。 6

W

RITE

C

YCLE

1 - W C

ONTROLLED

tAVAV

A

E

TELWH

tAVWH

tWLWH

W

D

TWLQZ

Q

8F8512C写CYC1

tWHAX ALE低

tAVWL

tDVWH

tWHDX

TWHQX

高Z

数据有效

2002年7月修订版13A

ECO ＃ 15405

5

怀特电子设计公司（ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com