怀特电子设计
2兆×8静态RAM CMOS ，模块
特点
■
的2M ×8位CMOS静态
■
随机存取存储器
??访问时间70通100ns的
??数据保持功能（ EDI8F82049LP ）
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
■
高密度封装
?? 36引脚SIP ， 136号
■
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI8F82049C
描述
该EDI8F82049C是一个16Mb的CMOS静态RAM基于四个
512K ×8的静态RAM的安装在多层环氧层压
（ FR4 ）基板。
低功率版数据保留（ EDI8F82049LP ）也
可用。
该EDI8F82049C提供了36针单列直插式封装
（SIP ），其提供了一种成本有效的解决方案，以非常高的填充
密度。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。
完全异步的， EDI8F82049C不需要时钟或
清爽的操作。
图。 1
引脚配置
A19
VCC
W
DQ2
DQ3
DQ0
A1
A2
A3
A4
VSS
DQ5
A10
A11
A5
A13
A14
A20
E
A15
A16
A12
A18
A6
DQ1
VSS
A0
A7
A8
A9
DQ7
DQ4
DQ6
A17
VCC
G
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
引脚名称
A-A20
E
W
G
DQ-DQ7
VCC
VSS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
框图
A
0-18
G
W
512K ×8
DQ
0-7
512K ×8
A
19-20
E
DEC
512K ×8
512K ×8
引脚输出
2002年7月Rev.1号
ECO ＃ 15335
1
怀特电子设计公司 （ 508 ） 366-5151 www.whiteedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
1瓦
20毫安
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
EDI8F82049C
建议的直流工作条件
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
VSS至3.0V
5ns
1.5V
TTL ， CL = 100pF的
注意：
对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的
DC电气特性
参数
工作电源
电源电流
待机（TTL）电
电源电流
全部备用电源
电源电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
VIH ， VIN
VIL
VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC- 0.2V或
VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -1.0mA
IOL = 2.1毫安
民
--
--
C
LP
--
--
--
--
2.4
--
典型*
最大
105
10
15
1
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
--
--
--
--
±20
±20
--
0.4
真值表
G
X
H
L
X
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片使能和A17 -A20线
符号
CI
CD / Q
CC
最大
32
40
32
单位
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
怀特电子设计公司？韦斯特伯鲁MA ?? （ 508 ） 366-5151
2
怀特电子设计
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注意：
参数的保证，但未经测试。
EDI8F82049C
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
70ns
最小最大
70
70
70
5
30
3
40
0
30
85ns
最小最大
85
85
85
5
35
3
45
0
35
100ns
民
最大单位
100
ns
100纳秒
100纳秒
5
ns
40
ns
3
ns
50
ns
0
ns
40
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
E
tAVQV
TELQV
TELQX
TEHQZ
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
3
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交流特性写周期
写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注意：
参数的保证，但未经测试。
EDI8F82049C
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TELEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TWLEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
70ns
最小最大
70
65
65
0
0
65
65
65
65
0
0
0
0
0
30
30
30
5
85ns
最小最大
85
70
70
0
0
70
70
70
70
0
0
0
0
0
35
35
35
5
100ns
民
最大单位
100
ns
80
ns
80
ns
0
ns
0
ns
80
ns
80
ns
80
ns
80
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
40
ns
40
ns
40
ns
5
ns
图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
高Z
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
数据有效
tWHAX ALE低
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4
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图。五
写周期2 - E受控
tAVAV
A
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
tEHDX
数据有效
EDI8F82049C
塔维尔
tELEH
tEHAX
数据保持特性
特征
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保留时间（ 1 ）
手术恢复时间（ 1 ）
注意：
参数的保证，但未经测试。
*读周期时间
LP版本只
最大
70°C 85°C
--
--
150
200
250
--
--
400
--
--
单位
V
A
A
ns
ns
符号
VDD
ICCDR
TCDR
TR
测试条件
VDD
民
2
--
0
TAVAV *
典型值
--
E
VDD - 0.2V
VIN
VDD - 0.2V
或VIN
0.2V
2V
3V
--
--
图。 6
数据保留 - E受控
数据保持方式
VCC
TCDR
E
E
≥
VDD -0.2V
4.5V
VDD
4.5V
TR
5
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QQ：2880707522 复制
