EDI8F82045C
2Mx8静态RAM CMOS ，模块
特点
n
2Mx8位CMOS静态
n
随机存取存储器
??访问时间70通100ns的
??数据保持功能（ EDI8F82045LP ）
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
n
高密度封装
?? 36引脚DIP， 177号
n
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8F82045C是一个16Mb的CMOS静态RAM基于四个
512K ×8的静态RAM的安装在多层环氧层压
（ FR4 ）基板。
低功率版数据保留（ EDI8F82045LP ）也
可用。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。
完全异步的， EDI8F82045C不需要时钟或
清爽的操作。
图。 1
P
IN
C
ONFIGURATIONS和
B
LOCK
D
IAGRAM
A-A20
E
W
G
DQ-DQ7
VCC
VSS
NC
P
IN
N
AMES
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
NC
A19
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
VCC
A20
NC
A15
A17
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A
0-18
W
G
512K ×8
DQ
0-7
512K ×8
A
19-20
E
DEC
512K ×8
8F82045C引脚配置
512K ×8
8F82045C座直径
2002年7月修订版6A
ECO ＃ 15405
1
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EDI8F82045C
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流。
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
1瓦
20毫安
R
ECOMMENDED
DC
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC牛逼
美东时间
C
ONDITIONS
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 100pF的
DC ê
LECTRICAL
C
极特
参数
工作电源
电源电流
待机（TTL）电
电源电流
全部备用电源
电源电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
ê > VIH ， VIN < VIL
VIN > VIH
> VCC - 0.2V
VIN > VCC- 0.2V或
VIN < 0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -1.0mA
IOL = 2.1毫安
民
--
--
C
LP
--
--
-10
-10
2.4
--
典型*
最大
150
55
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
2
450
--
--
--
--
3
600
10
10
--
0.4
C
APACITANCE
T
RUTH
T
ABLE
G
X
H
L
X
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写和输出使能线
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
30
43
10
32
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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2
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EDI8F82045C
AC - C
极特
R
EAD
C
YCLE
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TRC
tAVQV
TAA
TELQV
TACS
TELQX
TCLZ
TEHQZ
TCHZ
TAVQX
TOH
TGLQV
TOE
TGLQX
TOLZ
TGHQZ
tOHZ
70ns
最小最大
70
70
70
5
30
5
40
5
30
85ns
最小最大
85
85
85
5
35
5
45
5
35
100ns
最小最大
100
100
100
5
40
5
50
5
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 2
R
EAD
C
YCLE
1 - W H
室内运动场
，G ， 左
OW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
8F82045C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
R
EAD
C
YCLE
2 - W H
室内运动场
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
8F82045C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
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EDI8F82045C
AC - C
极特
W
RITE
C
YCLE
写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TWC
TELWH
TCW
tELEH
TCW
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
tAVWH
TAW
tAVEH
TAW
tWLWH
TWP
TWLEH
TWP
tWHAX ALE低
tWR的
tEHAX
tWR的
tWHDX
TDH
tEHDX
TDH
TWLQZ
tWHZ
tDVWH
TDW
tDVEH
TDW
TWHQX
TWLZ
70ns
最小最大
70
65
65
0
0
65
65
65
65
5
5
0
0
0
30
30
30
5
85ns
最小最大
85
70
70
0
0
70
70
70
70
5
5
0
0
0
35
35
35
5
100ns
最小最大
100
80
80
0
0
80
80
80
80
5
5
0
0
0
40
40
40
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 4
W
RITE
C
YCLE
1 - W C
ONTROLLED
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
8F82045C写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
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4
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图。五
W
RITE
C
YCLE
2 - 权证
ONTROLLED
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
8F82045C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
D
ATA
R
ETENTION
C
极特
特征
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保存时间
手术恢复时间
注1 ：参数保证，但未经测试。
*读周期时间
LP版本只
典型值
--
最大
70°C 85°C
--
--
200
260
320
420
--
--
--
--
单位
V
A
A
ns
ns
符号
VDD
ICCDR
TCDR(1)
TR(1)
测试条件
VDD
民
2
--
0
TAVAV *
> VDD -0.2V
VIN > VDD -0.2V
or VIN 0.2V
2V
3V
--
--
图。 6
D
ATA
R
ETENTION
- 权证
ONTROLLED
数据保持方式
VCC
TCDR
4.5V
VDD
4.5V
TR
E
8F82045C数据Retent 。
E≥VDD-0.2V
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