怀特电子设计
1Mx8静态RAM CMOS ，模块
特点
1Mx8位CMOS静态RAM
访问时间20 35ns的
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
高密度封装
JEDEC Aproved ，革命引脚
36引脚DIP ，第179号
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI8F81026C
描述
该EDI8F81026C是以8MB的CMOS静态RAM
在两个512Kx8静态RAM的安装在多层
环氧树脂层压板（ FR4 ）基板。
该EDI8F81026C封装在一个36引脚DIP和特点
在JEDEC批准的，革命性的引脚排列。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。
完全异步的， EDI8F81026C不需要时钟
或刷新操作。
引脚CON组fi guration
A0
A1
A2
A3
A4
E#
DQ0
DQ1
V
CC
V
SS
DQ2
DQ3
W#
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A19
A18
A17
A16
G#
DQ7
DQ6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
A15
A14
A13
A12
A11
A10
引脚说明
A0-A19
E#
W#
G#
DQ0-DQ7
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
框图
A0-A18
W#
G#
512k
x8
DQ0-DQ7
512k
x8
A19
E#
解码器
2004年7月
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怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2.0 WATT
20毫安
EDI8F81026C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的）
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 35pF
真值表
G#
X
H
L
X
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC
2, I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写和输出使能线
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
12
43
10
32
单位
pF
pF
pF
pF
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型：T已
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ ，E ＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
ê > V
IH
, V
IN
＆ LT ; V
白细胞介素，
V
IN
＆ GT ; V
IH
ê > V
CC
-0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
—
—
—
—
—
2.4
—
典型*
212
35
20
—
—
—
—
最大
120
50
12
±10
±10
—
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证的，但没有测试
EDI8F81026C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
LOZ
t
OHZ
民
20
20ns
最大
20
20
3
10
3
8
3
8
3
3
3
民
25
25ns
最大
25
25
3
12
3
10
3
10
民
35
35ns
最大
35
35
15
12
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图2 - 读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
地址1
t
AVQV
Q
地址2
t
AVQX
数据1
数据2
图3 - 读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
Q
t
GHQZ
t
EHQZ
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交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
EDI8F81026C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
12
12
3
20ns
最大
民
25
20
20
0
0
15
15
20
20
0
0
0
0
0
15
15
3
25ns
最大
民
35
30
30
0
0
20
20
25
25
0
0
0
0
0
20
20
3
35ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
12
15
图4 - 写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
数据有效
t
WLQZ
Q
t
WHQX
t
WHAX
D
高Z
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图5 - 写周期2 E ＃控制
t
AVAV
A
t
AVEL
E#
t
AVEH
t
WLEH
W#
t
DVEH
t
EHDX
数据有效
t
EHAX
t
ELEH
EDI8F81026C
D
Q
高Z
订购信息
标准电源
EDI8F81026C20M6C
EDI8F81026C85M6C
EDI8F81026C35M6C
速度快（纳秒）
20
25
35
包号。
179
179
179
身高*
7.37 （ 0.290" ）
7.37 （ 0.290" ）
7.37 （ 0.290" ）
注意：要订购工业级产品代替字母C的频谱使用费科幻X以字母I ，
例如。 EDI8F81026C20M6C变得EDI8F81026C20M6I 。
包装说明
包号179 ： 36脚双列直插式封装
55.50
（ 2.185 ）最大。
15.88
(0.625)
马克斯。
P1
3.81
(0.150)
REF 。
7.34
(0.290)
马克斯。
2.54 （ 0.100 ）典型值。
17 X 2.54 (0.100)
43.18 （ 1.700 ） REF 。
4.45 (0.175)
3.18 (0.125)
15.75 (0.620)
14.99 (0.590)
*所有尺寸都以毫米（英寸） 。
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1Mx8静态RAM CMOS ，模块
特点
1Mx8位CMOS静态RAM
访问时间20 35ns的
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
高密度封装
JEDEC Aproved ，革命引脚
36引脚DIP ，第179号
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI8F81026C
描述
该EDI8F81026C是以8MB的CMOS静态RAM
在两个512Kx8静态RAM的安装在多层
环氧树脂层压板（ FR4 ）基板。
该EDI8F81026C封装在一个36引脚DIP和特点
在JEDEC批准的，革命性的引脚排列。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。
完全异步的， EDI8F81026C不需要时钟
或刷新操作。
引脚CON组fi guration
A0
A1
A2
A3
A4
E#
DQ0
DQ1
V
CC
V
SS
DQ2
DQ3
W#
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A19
A18
A17
A16
G#
DQ7
DQ6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
A15
A14
A13
A12
A11
A10
引脚说明
A0-A19
E#
W#
G#
DQ0-DQ7
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
框图
A0-A18
W#
G#
512k
x8
DQ0-DQ7
512k
x8
A19
E#
解码器
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2.0 WATT
20毫安
EDI8F81026C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的）
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 35pF
真值表
G#
X
H
L
X
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC
2, I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写和输出使能线
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
12
43
10
32
单位
pF
pF
pF
pF
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型：T已
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ ，E ＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
ê > V
IH
, V
IN
＆ LT ; V
白细胞介素，
V
IN
＆ GT ; V
IH
ê > V
CC
-0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
—
—
—
—
—
2.4
—
典型*
212
35
20
—
—
—
—
最大
120
50
12
±10
±10
—
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证的，但没有测试
EDI8F81026C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
LOZ
t
OHZ
民
20
20ns
最大
20
20
3
10
3
8
3
8
3
3
3
民
25
25ns
最大
25
25
3
12
3
10
3
10
民
35
35ns
最大
35
35
15
12
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图2 - 读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
地址1
t
AVQV
Q
地址2
t
AVQX
数据1
数据2
图3 - 读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
Q
t
GHQZ
t
EHQZ
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怀特电子设计
交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
EDI8F81026C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
12
12
3
20ns
最大
民
25
20
20
0
0
15
15
20
20
0
0
0
0
0
15
15
3
25ns
最大
民
35
30
30
0
0
20
20
25
25
0
0
0
0
0
20
20
3
35ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
12
15
图4 - 写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
数据有效
t
WLQZ
Q
t
WHQX
t
WHAX
D
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图5 - 写周期2 E ＃控制
t
AVAV
A
t
AVEL
E#
t
AVEH
t
WLEH
W#
t
DVEH
t
EHDX
数据有效
t
EHAX
t
ELEH
EDI8F81026C
D
Q
高Z
订购信息
标准电源
EDI8F81026C20M6C
EDI8F81026C85M6C
EDI8F81026C35M6C
速度快（纳秒）
20
25
35
包号。
179
179
179
身高*
7.37 （ 0.290" ）
7.37 （ 0.290" ）
7.37 （ 0.290" ）
注意：要订购工业级产品代替字母C的频谱使用费科幻X以字母I ，
例如。 EDI8F81026C20M6C变得EDI8F81026C20M6I 。
包装说明
包号179 ： 36脚双列直插式封装
55.50
（ 2.185 ）最大。
15.88
(0.625)
马克斯。
P1
3.81
(0.150)
REF 。
7.34
(0.290)
马克斯。
2.54 （ 0.100 ）典型值。
17 X 2.54 (0.100)
43.18 （ 1.700 ） REF 。
4.45 (0.175)
3.18 (0.125)
15.75 (0.620)
14.99 (0.590)
*所有尺寸都以毫米（英寸） 。
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1Mx8静态RAM CMOS ，模块
特点
1Mx8位CMOS静态RAM
访问时间20 35ns的
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
高密度封装
JEDEC Aproved ，革命引脚
36引脚DIP ，第179号
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI8F81026C
描述
该EDI8F81026C是以8MB的CMOS静态RAM
在两个512Kx8静态RAM的安装在多层
环氧树脂层压板（ FR4 ）基板。
该EDI8F81026C封装在一个36引脚DIP和特点
在JEDEC批准的，革命性的引脚排列。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。
完全异步的， EDI8F81026C不需要时钟
或刷新操作。
引脚CON组fi guration
A0
A1
A2
A3
A4
E#
DQ0
DQ1
V
CC
V
SS
DQ2
DQ3
W#
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A19
A18
A17
A16
G#
DQ7
DQ6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
A15
A14
A13
A12
A11
A10
引脚说明
A0-A19
E#
W#
G#
DQ0-DQ7
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
框图
A0-A18
W#
G#
512k
x8
DQ0-DQ7
512k
x8
A19
E#
解码器
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2.0 WATT
20毫安
EDI8F81026C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的）
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 35pF
真值表
G#
X
H
L
X
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC
2, I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
电容
（ F = 1.0MHz的，V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写和输出使能线
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
12
43
10
32
单位
pF
pF
pF
pF
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型：T已
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ ，E ＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
ê > V
IH
, V
IN
＆ LT ; V
白细胞介素，
V
IN
＆ GT ; V
IH
ê > V
CC
-0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
—
—
—
—
—
2.4
—
典型*
212
35
20
—
—
—
—
最大
120
50
12
±10
±10
—
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证的，但没有测试
EDI8F81026C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
LOZ
t
OHZ
民
20
20ns
最大
20
20
3
10
3
8
3
8
3
3
3
民
25
25ns
最大
25
25
3
12
3
10
3
10
民
35
35ns
最大
35
35
15
12
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图2 - 读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
地址1
t
AVQV
Q
地址2
t
AVQX
数据1
数据2
图3 - 读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
Q
t
GHQZ
t
EHQZ
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交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
EDI8F81026C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
12
12
3
20ns
最大
民
25
20
20
0
0
15
15
20
20
0
0
0
0
0
15
15
3
25ns
最大
民
35
30
30
0
0
20
20
25
25
0
0
0
0
0
20
20
3
35ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
12
15
图4 - 写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
数据有效
t
WLQZ
Q
t
WHQX
t
WHAX
D
高Z
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图5 - 写周期2 E ＃控制
t
AVAV
A
t
AVEL
E#
t
AVEH
t
WLEH
W#
t
DVEH
t
EHDX
数据有效
t
EHAX
t
ELEH
EDI8F81026C
D
Q
高Z
订购信息
标准电源
EDI8F81026C20M6C
EDI8F81026C85M6C
EDI8F81026C35M6C
速度快（纳秒）
20
25
35
包号。
179
179
179
身高*
7.37 （ 0.290" ）
7.37 （ 0.290" ）
7.37 （ 0.290" ）
注意：要订购工业级产品代替字母C的频谱使用费科幻X以字母I ，
例如。 EDI8F81026C20M6C变得EDI8F81026C20M6I 。
包装说明
包号179 ： 36脚双列直插式封装
55.50
（ 2.185 ）最大。
15.88
(0.625)
马克斯。
P1
3.81
(0.150)
REF 。
7.34
(0.290)
马克斯。
2.54 （ 0.100 ）典型值。
17 X 2.54 (0.100)
43.18 （ 1.700 ） REF 。
4.45 (0.175)
3.18 (0.125)
15.75 (0.620)
14.99 (0.590)
*所有尺寸都以毫米（英寸） 。
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