EDI8F81025C
1一M× 8静态RAM CMOS ，模块
特点
?? 1M ×8位CMOS静态RAM
??访问时间70至100纳秒
??数据保持功能（ EDI8F81025LP ）
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
??高密度封装
?? 36引脚DIP， 180号
??单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8F81025C是8MB的CMOS静态RAM基于两个
512Kx8静态RAM的安装在多层环氧层压
（ FR4 ）基板。
低功率版数据保留（ EDI8F81025LP ）也
可用。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。
完全异步的， EDI8F81025C不需要时钟或
清爽的操作。
图。 1
引脚配置和框图
A-A19
引脚名称
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
E
W
G
DQ-DQ7
VCC
VSS
NC
NC
A19
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
VCC
NC
NC
A15
A17
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A-A18
W
G
512k
x8
DQ-DQ7
512k
x8
A19
E
解码器
8F81025C座直径。
8F81025C引脚配置
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EDI8F81025C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
1瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件高于在操作指示
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
AC测试条件
IInput脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 100pF的
DC电气特性
参数
工作电源
电源电流
待机（TTL）电
电源电流
全部备用电源
电源电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
ê > VIH ， VIN < VIL
VIN > VIH
> VCC - 0.2V
VIN > VCC- 0.2V或
VIN< 0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -1.0mA
IOL = 2.1毫安
民
--
--
C
LP
--
--
-10
-10
2.4
--
典型*
100
25
1.5
200
--
--
--
--
最大
140
55
2
300
10
10
--
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
电容
真值表
G
X
H
L
X
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写和输出使能线
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
30
43
10
32
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证的，但没有测试
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
70ns
最小最大
70
70
70
5
30
5
40
5
30
85ns
最小最大
85
85
85
5
35
5
45
5
35
100ns
民
最大单位
100
ns
100纳秒
100纳秒
5
ns
40
ns
5
ns
50
ns
5
ns
40
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
8F81025C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
8F81025C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
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交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TELEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TWLEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
70ns
最小最大
70
65
65
0
0
65
65
65
65
5
5
0
0
0
30
30
30
5
85ns
最小最大
85
70
70
0
0
70
70
70
70
5
5
0
0
0
35
35
35
5
100ns
民
最大单位
100
ns
80
ns
80
ns
0
ns
0
ns
80
ns
80
ns
80
ns
80
ns
5
ns
5
ns
0
ns
0
ns
0
40
ns
40
ns
40
ns
5
ns
图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
8F81025C写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
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图。五
写周期2 E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
8F81025C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
数据保持特性
特征
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保存时间
手术恢复时间
注：参数保证的，但没有测试
*读周期时间
LP版本只
典型值
--
最大
70°C
85°C
--
--
100
130
160
210
--
--
--
--
单位
V
A
A
ns
ns
符号
VDD
ICCDR
TCDR(1)
TR （1）
测试条件
VDD
民
2
--
--
0
TAVAV *
> VDD -0.2V
VIN > VDD -0.2V
或VIN < 0.2V
2V
3V
--
--
图。 6
数据保留 - E受控
数据保持方式
VCC
TCDR
4.5V
VDD
4.5V
TR
E
E≥VDD-0.2V
8F81025C数据Retent 。
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