EDI8F3265C
64Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
n
64Kx32位CMOS静态
n
随机存取存储器
??访问时间12 25ns的
??单个字节的选择
输出使能功能
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
n
高密度封装
?? 64引脚SIMM ， 30号，直
?? 64引脚SIMM ，第342角度的
?? 64引脚ZIP ，第87号
?? JEDEC标准引脚
??常见的数据输入和输出
n
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
引脚配置和框图
A0-A15
E-E3
W
G
DQ-DQ3
VCC
VSS
NC
描述
该EDI8F3265C是一种高速2兆的静态RAM模块
组织为64Kx32 。该模块是从八建
64Kx4静态RAM，在环氧树脂层压板SOJ包装（ FR4 ）
板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地使
4个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节，通过正确使用任意组合
选择。
该EDI8F3265C提供了两个64领先SIMM和64引脚
ZIP包，这使内存2兆是
放置在低于1.2平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。完全异步电路的情况下，需要
无时钟或刷新操作，并提供平等机会
和周期时间的易用性。
引脚名称
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
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EDI8F3265C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
8.0瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pFI
DC电气特性
参数
工作电源
电源电流
待机（TTL）电
电源电流
全部备用电源
电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
VIH ， VIN
VIL
VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC- 0.2V或
VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
ns
12-15ns
20-25ns
最小典型*
-- 880
740
-- 150
最大
1120
980
280
单位
mA
mA
mA
mA
-- 80 160
--
--
2.4
--
--
--
--
--
±20
±80
--
0.4
A
A
V
V
电容
真值表
G
X
H
L
X
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
输入电容
（除DQ引脚）
电容（ DQ引脚）
输入（ E）
输入（ W）线（ G）
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
符号
JEDEC Alt键。
读周期时间
地址访问时间
芯片使能
存取时间
芯片使能到
输出在低Z （ 1 ）
芯片禁用到
输出高Z（ 1 ）
从输出保持
地址变更
输出使能到
输出有效
输出使能到
输出在低Z （ 1 ）
输出禁止以
输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
12ns
最小最大
12
12
12
3
0
3
8
0
0
6
8
15ns
最小最大
15
15
15
3
0
3
8
0
0
6
8
20ns
民
最大
20
20
20
3
0
3
10
0
0
8
10
25ns
最小最大
25
25
25
3
0
3
15
0
0
10
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tAVAV
tAVQV
TELQV
TELQX
TRC
TAA
TACS
TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX
TGLQV
TGLQX
TOH
TOE
TOLZ
TGHQZ TOHZ
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
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读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
tAVAV
TELWH
tELEH
tAVWL
塔维尔
tAVWH
tAVEH
tWLWH
TWLEH
tWHAX ALE低
tEHAX
tWHDX
tEHDX
TWC
TCW
TCW
TAS
TAS
TAW
TAW
TWP
TWP
tWR的
tWR的
TDH
TDH
12ns
最小最大
12
10
10
0
0
12
12
12
12
2
2
1
1
0
10
10
3
8
15ns
最小最大
15
10
10
0
0
13
13
13
13
2
2
3
3
0
10
10
3
8
20ns
民
最大
20
15
15
2
2
15
15
15
15
2
2
1
1
0
12
12
3
10
25ns
最小最大
25
20
20
2
2
20
20
20
20
2
2
1
1
0
15
15
3
12
参数
写周期时间
芯片使能到
写结束
地址建立时间
地址有效到
写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写输出
在高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出活动
写结束（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TWLQZ TWHZ
tDVWH
tDVEH
TDW
TDW
TWHQX TWLZ
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写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
高Z
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
数据有效
tWHAX ALE低
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
tEHDX
数据有效
tELEH
tEHAX
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