EDI8F32512V
512Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
n
512Kx32位CMOS静态RAM
??访问次数： 15 ， 20和25ns的
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
n
高密度封装
72引脚ZIP，第173号
?? 72铅SIMM ，第174号
??常见的数据输入和输出
n
单+ 3.3V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8F32512V是一种高速16Mb的静态RAM模块
32位组织为512K字。该模块被构造
从四个512Kx8静态RAM，在SOJ封装的环氧树脂
层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地使
的四个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节，通过正确使用任意组合
选择。
该EDI8F32512V提供72引脚ZIP和72引线SIMM
包，这使得能够存储16Mb的要放置在少
比1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
3.3V单电源供电。完全异步电路不需要
时钟或刷新操作，并提供平等的接入和
周期的易用性。
销PD0- PD3 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
*本产品如有变更，恕不另行通知。
图。 1
引脚配置和框图
A-A18
E-E3
W
G
引脚名称
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 3.3V±10 ％）
地
无连接
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
PD0 ， PD1 ， PD3 = OPEN
PD2 = VSS
8G32512V引脚配置。
8G32512V座直径。
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
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储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至4.6V
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
2.5瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
3.0
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
--
--
最大
单位
3.6
V
0
V
VCC +0.3
V
0.8
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
ê >VIH ， VIN<VIL或VIN >VIH
>VCC - 0.2V
VIN>VCC - 0.2V或VIN < 0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
典型*
最大
800
240
40
±20
±20
--
0.4 V
单位
mA
mA
mA
A
A
V
--
--
2.4
--
--
--
--
--
电容
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC2/ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
45
20
20
45
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注意事项1.参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
最小最大
15
15
15
3
7
3
7
0
7
20ns
最小最大
20
20
20
3
10
3
8
0
8
25ns
单位
民
最大NS
25
ns
25
ns
25
ns
3
ns
12
ns
3
ns
10
ns
0
ns
10
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
8F32512V路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
8F32512V路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
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交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TWLEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TELEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
15ns
最小最大
15
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
6
7
7
3
20ns
最小最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
8
9
9
3
25ns
单位
民
最大NS
25
ns
20
ns
20
ns
0
ns
0
ns
15
ns
15
ns
15
ns
15
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
12
ns
10
ns
10
ns
3
ns
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
8F32512V写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
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图。五
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
8F32512V写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
订购信息
产品型号
EDI8F32512V15MMC
EDI8F32512V20MMC
EDI8F32512V25MMC
速度
（纳秒）
15
20
25
包
号
174
174
174
产品型号
EDI8F32512V15MZC
EDI8F32512V20MZC
EDI8F32512V25MZC
速度
（纳秒）
15
20
25
包
号
173
173
173
注：对于黄金SIMM接触，改变"EDIF"到"EDIG" 。
包装说明
包号。 173 ： 72 PIN ZIP
IGNS
DES
W
NE
FO
ENDE
COMM
牛逼RE
NO
包号。 174 ： 72 LEAD SIMM
尺寸单位：英寸
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