EDI8F32512C
512Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
512Kx32位CMOS静态
随机存取存储器
访问次数： 15 ， 20 ，和为25ns
单个字节的选择
完全静态的，并没有时钟
TTL兼容的I / O
高密度封装
72引脚ZIP ， 173号
72铅SIMM ，第174号（金选）
常见的数据输入和输出
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
描述
该EDI8F32512C是一个高速16兆的静态RAM
模块由32位组织为512K字。这个模块是
从四个512Kx8静态RAM，在SOJ封装构造
对环氧树脂层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地
使4个字节。读或写可以执行对
单个字节或多个字节，通过任意组合
正确使用选择的。
该EDI8F32512C提供72引脚ZIP和72引线SIMM
包，这使得能够存储16兆比特被放置
在不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。完全异步电路不需要
时钟或刷新操作，并提供了平等的机会
和周期时间的易用性。
销PD1- PD4 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
图。 1
销精读网络gurations和框图
NC
PD3
PD0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W#
A14
E0#
E2#
A16
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
NC
NC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
NC
PD2
V
SS
PD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
V
SS
A15
E1#
E3#
A17
G#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
V
CC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A18
NC
引脚名称
A0-A18
E0#-E3#
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
A0-A18
W#
G#
512K
X 8
E0#
512K
X 8
E1#
512K
X 8
E2#
512K
X 8
E3#
8G32512C座直径。
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无Connectiona
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
PD0 ， PD1 ， PD3 = OPEN
PD2 = V
SS
8G32512C引脚配置。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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9牧师
1
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EDI8F32512C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
5.0瓦
20毫安
建议的直流工作
条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ ，E ＃ = V
IL
， II / O = 0毫安，闵周期
ê > V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IL
或V
IN
＆ GT ; V
IH
ê > V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
> 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
典型*
最大
800
300
80
±20
±20
--
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
--
--
2.4
--
--
--
--
--
电容
真值表
E#
H
L
L
L
W#
X
H
L
H
G#
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
动力
I
CC
2/I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
45
20
20
45
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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交流特性读周期
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止以输出高（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
15ns
民
15
最大
15
15
3
6
3
6
0
620
0
3
3
民
20
20ns
最大
20
20
3
10
3
8
0
8
民
25
25ns
最大
25
25
12
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
茶
TAA
TACS
TCLZ
TCHZ
TOH
TOE
TOLZ
tOHZ
图。 2
读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
D
t
WLQZ
Q
8F32512C写CYC1
t
WHAX
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WHQX
高Z
数据有效
图。 3
读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
Q
8F32512C路CYC2
t
EHQZ
t
GHQZ
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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交流特性写周期
符号
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
15ns
民
15
8
8
0
0
8
8
10
10
0
0
0
0
0
7
7
3
最大
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
9
9
3
20ns
最大
民
25
20
20
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
10
3
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AHEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
TWC
TCW
TCW
TAS
TAS
TAW
TAW
TWP
TWP
tWR的
tWR的
TDH
TDH
tWHZ
TDW
TDW
TWLZ
6
8
12
图。 4
写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
D
t
WLQZ
Q
8F32512C写CYC1
t
WHAX
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WHQX
高Z
数据有效
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图。五
写周期2 - ê ＃控制
t
AVAV
A
t
AVEL
E#
t
AVEH
t
WLEH
W#
t
DVEH
D
Q
8F32512C写CYC2
t
ELEH
t
EHAX
t
EHDX
数据有效
高Z
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512Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
?? 512Kx32位CMOS静态
??随机存取存储器
??访问次数： 15 ， 20 ，和为25ns
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
??高密度封装
72引脚ZIP，第173号
72引线SIMM ，第174号（金选）
??常见的数据输入和输出
??单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8F32512C是一个高速16兆的静态RAM
模块由32位组织为512K字。这个模块是
从四个512Kx8静态RAM建于SOJ包上
环氧树脂层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地使
4个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节，通过正确使用任意组合
选择。
该EDI8F32512C提供72引脚ZIP和72引线SIMM
包，这使得能够存储16兆比特被放置在
不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。完全异步电路不需要时钟
或刷新操作，并提供了平等的机会和周期
时代的易用性。
销PD1- PD4 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
图。 1
引脚配置和框图
A-A18
E-E3
W
G
引脚名称
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
PD0 ， PD1 ， PD3 = OPEN
PD2 = VSS
8G32512C引脚配置。
8G32512C座直径。
2001年7月8版本
ECO ＃ 14564
1
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EDI8F32512C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
5.0瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC - 0.2V或VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
典型*
最大
800
300
80
±20
±20
--
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
--
--
2.4
--
--
--
--
--
电容
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC2/ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
45
20
20
45
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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2
2001年7月8版本
ECO ＃ 14564
EDI8F32512C
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
最小最大
15
15
15
3
6
3
6
0
6
20ns
最小最大
20
20
20
3
10
3
8
0
8
25ns
民
最大单位
25
ns
25
ns
25
ns
3
ns
12
ns
3
ns
10
ns
0
ns
10
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
8F32512C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
8F32512C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
2001年7月8版本
ECO ＃ 14564
3
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交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TWLEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TELEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
15ns
最小最大
15
8
8
0
0
8
8
10
10
0
0
0
0
0
6
7
7
3
20ns
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
9
9
3
25ns
最大最小
25
20
20
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
8
0
10
10
3
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
最大单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
ns
ns
ns
ns
图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
8F32512C写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
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4
2001年7月8版本
ECO ＃ 14564
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图。五
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
8F32512C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
2001年7月8版本
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