EDI8F32512C
512Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
512Kx32位CMOS静态
随机存取存储器
访问次数： 15 ， 20 ，和为25ns
单个字节的选择
完全静态的，并没有时钟
TTL兼容的I / O
高密度封装
72引脚ZIP ， 173号
72铅SIMM ，第174号（金选）
常见的数据输入和输出
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
描述
该EDI8F32512C是一个高速16兆的静态RAM
模块由32位组织为512K字。这个模块是
从四个512Kx8静态RAM，在SOJ封装构造
对环氧树脂层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地
使4个字节。读或写可以执行对
单个字节或多个字节，通过任意组合
正确使用选择的。
该EDI8F32512C提供72引脚ZIP和72引线SIMM
包，这使得能够存储16兆比特被放置
在不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。完全异步电路不需要
时钟或刷新操作，并提供了平等的机会
和周期时间的易用性。
销PD1- PD4 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
图。 1
销精读网络gurations和框图
NC
PD3
PD0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W#
A14
E0#
E2#
A16
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
NC
NC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
NC
PD2
V
SS
PD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
V
SS
A15
E1#
E3#
A17
G#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
V
CC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A18
NC
引脚名称
A0-A18
E0#-E3#
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
A0-A18
W#
G#
512K
X 8
E0#
512K
X 8
E1#
512K
X 8
E2#
512K
X 8
E3#
8G32512C座直径。
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无Connectiona
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
PD0 ， PD1 ， PD3 = OPEN
PD2 = V
SS
8G32512C引脚配置。
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
5.0瓦
20毫安
建议的直流工作
条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ ，E ＃ = V
IL
， II / O = 0毫安，闵周期
ê > V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IL
或V
IN
＆ GT ; V
IH
ê > V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
> 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
典型*
最大
800
300
80
±20
±20
--
0.4
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
--
--
2.4
--
--
--
--
--
电容
真值表
E#
H
L
L
L
W#
X
H
L
H
G#
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
动力
I
CC
2/I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
45
20
20
45
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止以输出高（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
15ns
民
15
最大
15
15
3
6
3
6
0
620
0
3
3
民
20
20ns
最大
20
20
3
10
3
8
0
8
民
25
25ns
最大
25
25
12
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
茶
TAA
TACS
TCLZ
TCHZ
TOH
TOE
TOLZ
tOHZ
图。 2
读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
D
t
WLQZ
Q
8F32512C写CYC1
t
WHAX
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WHQX
高Z
数据有效
图。 3
读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
Q
8F32512C路CYC2
t
EHQZ
t
GHQZ
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交流特性写周期
符号
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
15ns
民
15
8
8
0
0
8
8
10
10
0
0
0
0
0
7
7
3
最大
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
9
9
3
20ns
最大
民
25
20
20
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
10
3
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AHEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
TWC
TCW
TCW
TAS
TAS
TAW
TAW
TWP
TWP
tWR的
tWR的
TDH
TDH
tWHZ
TDW
TDW
TWLZ
6
8
12
图。 4
写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WLWH
W#
D
t
WLQZ
Q
8F32512C写CYC1
t
WHAX
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WHQX
高Z
数据有效
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图。五
写周期2 - ê ＃控制
t
AVAV
A
t
AVEL
E#
t
AVEH
t
WLEH
W#
t
DVEH
D
Q
8F32512C写CYC2
t
ELEH
t
EHAX
t
EHDX
数据有效
高Z
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