EDI8F32512C
512Kx32 SRAM模块
特点
512Kx32位CMOS静态
随机存取存储器
访问次数： 15 ， 17 ， 20 ， 25和为35ns
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
高密度封装
72引脚ZIP，第173号
72引线SIMM ，第174号（金选）
??常见的数据输入和输出
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
512Kx32静态RAM
CMOS ，高速模块
该EDI8F32512C是一个高速16兆的静态RAM模块
32位组织为512K字。该模块被构造
从四个512Kx8静态RAM，在SOJ封装的环氧树脂
层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地使
4个字节。读取或写入可以在单个字节执行
多个字节或通过适当地使用选择的任何组合。
该EDI8F32512C提供72引脚ZIP和72引线SIMM
包，这使得能够存储16兆比特被放置在
不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从单一经营
5V电源。完全异步电路不需要时钟或
清爽的操作，并提供平等的机会和周期时间
为便于使用。
销PD1- PD4 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
引脚配置和框图
引脚名称
NC
PD4
PD1
DQ
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W
A14
E
E2
A16
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
NC
NC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
NC
PD3
VSS
PD2
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
A15
E1
E3
A17
G
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
VCC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A18
NC
A-A18
E-E3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
A-A18
W
G
19
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
DQ-DQ7
8
E
DQ8-DQ15
8
E1
DQ16-DQ23
8
E2
DQ24-DQ31
8
PD1 ， PD2 ， PD4 =打开
PD3 = VSS
E3
电子设计成立
一个研究驱动韦斯特伯鲁， MA 01581 USA 508-366-5151 传真508-836-4850
电子设计（欧洲）有限公司
雪莱馆，大道莱特沃特，萨里GU18 5RF
英国 01276 472637 传真01276 473748
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1
EDI8F32512C启7 12/97 ECO ＃ 9492
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
5.0瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
符号
电源电压
VCC
电源电压
VSS
输入高电压VIH
输入低电压VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大单位
5.5
V
0
V
6.0
V
0.8
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
条件
ICC1 W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
ICC2 ê
≥
VIH ， VIN
≤
VIL或VIN
≥
VIH
ICC3
E
≥
VCC-0.2V
VIN
≥
VCC - 0.2V或VIN
≤
0.2V
ILI
VIN = 0V至VCC
国际劳工组织
V I / O = 0V至VCC
VOH
IOH = -4.0mA
VOL
IOL = 8.0毫安
民
典型*
--
--
2.4
--
（ BiCMOS工艺）
--
--
--
--
最大
800
300
80
120
±20
±20
--
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC2/ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
45
20
20
45
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
EDI8F32512C
512Kx32 SRAM模块
2
EDI8F32512C启7 12/97 ECO ＃ 9492
EDI8F32512C
512Kx32 SRAM模块
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TRC
tAVQV
TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX
TOH
TGLQV
TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
最小最大
15
15
15
3
6
3
6
0
6
17ns
最小最大
17
17
17
3
7
3
6
0
7
20ns
最小最大
20
20
20
3
10
3
8
0
8
25ns
最小最大
25
25
25
3
12
3
10
0
10
35ns
最小值最大值单位
35
ns
35
ns
35
ns
3
ns
15
ns
3
ns
12
ns
0
ns
12
ns
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
读周期2 - W高
A
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
tAVQV
3
EDI8F32512C启7 12/97 ECO ＃ 9492
交流特性写周期
符号
参数
JEDEC
Alt键。
写周期时间
TAVAV TWC
芯片使能写操作的结束
TELWH TCW
TWLEH TCW
地址建立时间
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
地址有效到写结束
TAVWH TAW
TAVEH TAW
把脉冲宽度
TWLWH TWP
tELEH
TWP
写恢复时间
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
数据保持时间
TWHDX TDH
tEHDX
TDH
写入输出高Z（ 1 ）
TWLQZ TWHZ
数据写入时间
TDVWH TDW
TDVEH TDW
输出写入结束（ 1 ） TWHQX TWLZ活动
注： 1.参数保证，但未经测试。
15ns
最小最大
15
8
8
0
0
8
8
10
10
0
0
0
0
0 6
7
7
3
17ns
最小最大
17
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0 8
8
8
3
20ns
最小最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0 8
9
9
3
25ns
35ns
最小值最大值最小值最大值
25
35
20
25
20
25
0
0
0
0
15
20
15
20
15
20
15
20
0
0
0
0
0
0
0
0
0 12
0 15
10
20
10
20
3
3
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
W
tAVWL
D
TWLQZ
Q
高Z
tWLWH
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
tWHAX ALE低
EDI8F32512C
512Kx32 SRAM模块
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EDI8F32512C启7 12/97 ECO ＃ 9492
EDI8F32512C
512Kx32 SRAM模块
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
数据有效
tEHDX
tEHAX
tELEH
5
EDI8F32512C启7 12/97 ECO ＃ 9492
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