EDI8F3232C
32Kx32 SRAM模块
特点
32Kx32位CMOS静态
随机存取存储器
访问时间12 ， 15 ， 20 ，和为25ns
??单个字节的选择
输出使能功能
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
高密度封装
64引脚SIMM ，第54号
64引脚ZIP， 57号
?? JEDEC标准引脚
??常见的数据输入和输出
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
32Kx32静态RAM
CMOS ，高速模块
该EDI8F3232C是高速兆位静态RAM
模块组织为32Kx32 。该模块被构造
从四个32Kx8静态RAM，在SOJ封装的环氧树脂
层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地
使4个字节。读或写可以执行
对单个字节或多个字节的任意组合
通过正确使用选择的。
该EDI8F3232C提供两个64领先SIMM和64
脚ZIP包，从而使内存的1兆位
被放置在小于1.2平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。完全异步电路的情况下，
无需时钟或刷新操作，并提供
平等的机会和周期时间的易用性。
引脚名称
引脚配置和框图
ZIP
PD1
DQ
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W
A14
E
E2
NC
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
VSS
PD2
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
NC
E1
E3
NC
G
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
VCC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
PD2
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
NC
E1
E3
NC
G
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
VCC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
SIMM
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
PD1
DQ
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W
A14
E
E2
NC
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
引脚名称
A0-A14
E-E3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
A-A14
W
G
15
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
8
E
DQ-DQ7
8
E1
DQ8-DQ15
8
E2
DQ16-DQ23
PD1=Open
PD2 = VSS
电子设计成立
8
E3
DQ24-DQ31
一个研究驱动韦斯特伯鲁，马萨诸塞州01581USA 508-366-5151 传真508-836-4850
电子设计（欧洲）有限公司
雪莱馆，大道莱特沃特，萨里GU18 5RF
英国 01276 472637 传真： 01276 473748
http://www.electronic-designs.com
1
EDI8F3232C版本6 1/98 ECO ＃ 9601
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度
塑料
功耗
输出电流。
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
4瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
符号
电源电压
VCC
电源电压
VSS
输入高电压VIH
输入低电压VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大单位
5.5
V
0
V
6.0
V
0.8
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源
电源电流
符号
ICC1
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
E
≥
VIH ， VIN
≤
VIL
VIN
≥
VIH
E
≥
VCC-0.2V
VIN
≥
VCC- 0.2V或
VIN
≤
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
12ns
15ns
20ns
25ns
民
--
--
--
--
--
典型*
最大
640
600
560
520
225
80
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
待机（TTL）电
电源电流
全部备用电源
电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
ICC2
ICC3
--
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
--
--
2.4
--
--
--
--
--
±20
±20
--
0.4
A
A
V
V
真值表
G
X
H
L
X
E
H
L
L
L
W
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
DOUT
DIN
动力
ICC2 ， ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
参数
参数
地址线
数据线
芯片使能线
控制线
符号
符号
CI
CD / Q
CC
CW
最大
最大
60
20
20
60
单位
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
EDI8F3232C
32Kx32 SRAM模块
2
EDI8F3232C版本6 1/98 ECO ＃ 9601
EDI8F3232C
32Kx32 SRAM模块
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TRC
tAVQV
TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX
TOH
TGLQV
TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
12ns
最小最大
12
12
12
5
0
5
3
6
0
0
5
15ns
最小最大
15
15
15
5
0
9
3
8
0
0
8
民
20
20ns
最大
20
20
5
0
3
0
0
11
10
10
25ns
最小值最大值单位
25
ns
25纳秒
25纳秒
5
ns
0
13纳秒
3
ns
12纳秒
0
ns
0
10纳秒
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
读周期2 - W高
tAVAV
A
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
tAVQV
3
EDI8F3232C版本6 1/98 ECO ＃ 9601
交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TELEH TCW
地址建立时间
TAVWL TAS
塔维尔TAS
地址有效到写结束
TAVWH TAW
TAVEH TAW
把脉冲宽度
TWLWH TWP
TWLEH TWP
写恢复时间
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
数据保持时间
TWHDX TDH
TEHDX TDH
写入输出高Z（ 1 ）
TWLQZ TWHZ
数据写入时间
TDVWH TDW
TDVEH TDW
输出写入结束（ 1 ） TWHQX TWLZ活动
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
注1 ：参数保证，但未经测试。
12ns
最小最大
12
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
0
0
0
3
7
7
0
15ns
最小最大
15
12
12
0
0
12
12
11
11
0
0
0
0
0
3
8
8
0
20ns
最小最大
20
13
13
0
0
13
13
12
12
0
0
0
0
0
3
9
9
0
25ns
最小值最大值单位
25
ns
15
ns
15
ns
0
ns
0
ns
15
ns
15
ns
15
ns
15
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
5
ns
10
ns
10
ns
0
ns
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
W
tAVWL
D
TWLQZ
Q
高Z
tWLWH
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
tWHAX ALE低
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
数据有效
tEHDX
tEHAX
tELEH
EDI8F3232C
32Kx32 SRAM模块
4
EDI8F3232C版本6 1/98 ECO ＃ 9601
EDI8F3232C
32Kx32 SRAM模块
订购信息
产品型号
EDI8F3232C12MMC
EDI8F3232C15MMC
EDI8F3232C20MMC
EDI8F3232C25MMC
EDI8F3232C12MZC
EDI8F3232C15MZC
EDI8F3232C20MZC
EDI8F3232C25MZC
速度
（纳秒）
12
15
20
25
12
15
20
25
包
号
54
54
54
54
57
57
57
57
注意：要订购工业级产品更改最后下在后缀为I，
例如。 EDI8F3232C25MZC变得EDI8F3232C25MZI 。
包装说明
包号54
64引脚SIMM模组
3.855
3.584
0.125
直径。典型值。
（ 2的PLC。 ）
0.213
最大
0.520
最大
0.125
民
0.400
0.250
0.080
P1
0.050
典型值
31 x 0.050
1.550参考。
0.250
典型值
0.62R
P64
0.400
包号57
64引脚ZIP模块
0.050
3.660
3.640
0.225
最大
0.050
0.530
最大
0.130
0.120
0.008
0.014
0.100
典型值
0.165
0.135
0.022
0.018
0.250
典型值
0.100
典型值
0.050
典型值
5
EDI8F3232C版本6 1/98 ECO ＃ 9601
QQ：2880707522 复制
