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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第607页 > EDI8F32259C25MNC
怀特电子设计
EDI8F32259C
256Kx32静态RAM CMOS ,高速模块
特点
256Kx32位CMOS静态RAM
访问次数: 15 , 20 ,和为25ns
单个字节的选择
完全静态的,并没有时钟
TTL兼容的I / O
JEDEC标准高密度封装
引脚配置
72引脚的SIMM号175 (角度)
72引脚ZIP 176号
72引脚SIMM , 354号(直)
单+ 5V ( ± 10 % )电源供电
描述
该EDI8F32259C是一种高速的8Mb静态RAM
模块由32位组织为256K字。该模块
从8 256Kx4静态RAM的SOJ构建
包上的环氧树脂层压板( FR4 )板。
四个芯片使(EO # - E3 # )用于独立地
使4个字节。读或写可以执行
对单个字节或多个字节的任意组合
通过正确使用选择的。
该EDI8F32259C提供72引脚ZIP / SIMM包
这使得存储器8兆比特被放置在
不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容的,并从运营
5V单电源。完全异步电路需要
无时钟或刷新操作,并提供了平等的
访问和周期时间的易用性。
该ZIP和SIMM模块包含四个PD (存在
检测其用于识别模块存储器)销
密度的应用中备用模块可
互换。
图。 1引脚配置和框图
NC
NC
PD3
PD4
V
SS
PD1
PD2
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
V
CC
A0
A7
A1
A8
A2
A9
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
V
SS
W#
A15
A14
E2#
E1#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
E4#
E3#
A17
A16
G#
V
SS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A3
A10
A4
A11
A5
A12
V
CC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
NC
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
引脚名称
A-A17
E#-E3#
W#
G#
DQ-DQ31
V
CC
V
SS
A0 - A17
W#
G#
256K
X4
E0#
256K
X4
E1#
256K
X4
E2#
256K
X4
E3#
DQ24 - DQ27
256K
X4
DQ28 - DQ31
DQ16 - DQ19
256K
X4
DQ20 - DQ23
DQ8 - DQ11
256K
X4
DQ12 - DQ15
DQ0 - DQ3
256K
X4
DQ4 - DQ7
地址输入
芯片使
写入启用
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源(+ 5V± 10%)的
PD 1,2 = V
SS
PD 3,4 =打开
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年8月
第3版
1
怀特电子设计公司 ( 602 ) 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温度TA (环境)
广告
产业
储存温度,塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
7.5瓦
20毫安
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
4.5
0
2.2
-0.3
EDI8F32259C
建议的直流工作条件
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
V
CC
+0.3V
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
在本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
(注:对于TEHQZ , TGHQZ和TWLQZ , CL = 5pF的)
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
1TTL , CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机( TTL )电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型:T已
A
= 25 ° C,V
CC
= 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W3 ,E # = V
IL
我的I / O = 0毫安,闵周期
E#
V
IH
, V
IN
V
IL
或V
IN
V
IH
E#
V
CC
-0.2V
V
IN
V
CC
-0.2V或V
IN
0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
2.4
最大
15-25
800
240
40
±80
±20
0.4
单位
ns
mA
mA
mA
A
A
V
V
真值表
E#
H
L
L
L
W#
X
H
L
H
G#
X
L
X
H
模式
待机
输出取消
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写控制线
电容
(f=1.0MH
Z
, V
IN
=V
CC
或V
SS
)
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
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怀特电子设计
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z( 1 )
芯片禁用到输出高Z( 1 )
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z( 1 )
输出禁止到输出高Z( 1 )
注1 :参数保证,但未经测试。
EDI8F32259C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
15
15ns
最大
15
15
3
7
3
7
0
7
0
3
3
20
20ns
最大
20
20
3
9
3
9
0
9
25
25ns
最大
25
25
9
9
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 2读周期1 - W# HIGH , G# ,E # LOW
t
AVAV
A
地址1
地址2
t
AVQV
Q
t
AVQX
数据1
数据2
图。 3读周期2 - W#高
t
AVAV
A
E#
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
G#
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Q
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交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z( 1 )
数据写入时间
输出写入结束活动( 1 )
注1 :参数保证,但未经测试。
EDI8F32259C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
15
12
12
0
0
12
12
12
12
0
0
3
3
0
7
7
3
15ns
最大
20
14
14
0
0
14
14
14
14
0
0
3
3
0
8
8
3
20ns
最大
25
14
14
0
0
14
14
14
14
0
0
3
3
0
8
8
3
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
9
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怀特电子设计
图。 4写周期1 - W#控
t
AVAV
A
E#
t
AVWH
t
WLWH
W#
D
t
WLQZ
Q
高Z
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WHQX
t
ELWH
t
WHAX
EDI8F32259C
数据有效
图。 5写周期2 - ê #控制
t
AVAV
A
E#
t
AVEH
t
WLEH
W#
D
Q
高Z
t
DVEH
t
EHDX
数据有效
t
AVEL
t
ELEH
t
EHAX
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EDI8F32259C
256Kx32静态RAM CMOS ,高速模块
特点
?? 256Kx32位CMOS静态RAM
??访问次数: 12,15 ,20,和25ns的
??单个字节的选择
??完全静态的,并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
??符合JEDEC标准管脚引出线高密度封装
72针的SIMM号175 (角度)
72引脚ZIP 176号
72引脚SIMM , 354号(直)
??单+ 5V ( ± 10 % )电源供电
描述
该EDI8F32259C是一种高速的8Mb静态RAM模块
32位组织为256K字。该模块被构造
从八256Kx4静态RAM,在SOJ封装的环氧树脂
层压板( FR4 )板。
四个芯片使(EO -E3 )用于独立地使
4个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节,通过正确使用任意组合
选择。
该EDI8F32259C提供72引脚ZIP / SIMM封装,
能使8兆位的存储器被放置在小于1.3
平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容,从操作
单5V电源。完全异步电路不需要时钟
或刷新操作,并提供了平等的机会和周期
时代的易用性。
该ZIP和SIMM模块包含四个PD (在线检测)
这是用来识别在应用程序模块存储密度销
的阳离子,其中交替的模块可以互换。
图。 1
引脚配置和框图
A-A17
E-E3
W,
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
引脚名称
地址输入
芯片使
写入启用
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源(+ 5V± 10%)的
0
PD = 1,2 VSS
PD 3,4 =打开
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ECO # 14562
1
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EDI8F32259C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA (环境)
广告
产业
储存温度,塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
7.5瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
单位
5.5
V
0
V
VCC + 0.3V V
0.8
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
(注:对于TEHQZ , TGHQZ和TWLQZ , CL = 5pF的)
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL , CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机( TTL )电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型: TA = 25℃ , VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W, E = VIL , II / O = 0毫安,闵周期
E
VIH , VIN
VIL或VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC - 0.2V或VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
最大
12-25
800
240
40
±80
±20
0.4
单位
ns
mA
mA
mA
A
A
V
V
--
--
2.4
电容
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
输出取消
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写控制线
( F = 1.0MHz的, VIN = VCC或VSS )
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
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ECO # 14562
EDI8F32259C
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z( 1 )
芯片禁用到输出高Z( 1 )
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z( 1 )
输出禁止到输出高Z( 1 )
注1 :参数保证,但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
tAVAV
tAVQV
TELQV
TELQX
TAVQX
TGLQV
TGLQX
TRC
TAA
TACS
TCLZ
TOH
TOE
TOLZ
12ns
最小最大
12
12
12
3
6
3
6
0
6
15ns
最小最大
15
15
15
3
7
3
7
0
7
20ns
最大
20
20
20
3
9
3
9
0
9
25ns
最小最大
25
25
25
3
9
3
9
0
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEHQZ TCHZ
TGHQZ TOHZ
图。 2
读周期1 - W高,G ,E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
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ECO # 14562
3
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EDI8F32259C
交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
tAVAV
TELWH
TWLEH
tAVWL
塔维尔
tAVWH
tAVEH
TWC
TCW
TCW
TAS
TAS
TAW
TAW
12ns
最小最大
12
8
8
0
0
8
8
8
8
0
0
3
3
0
6
6
3
6
15ns
最小最大
15
9
9
0
0
9
9
9
9
0
0
3
3
0
7
7
3
7
20ns
最大
20
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
3
3
0
8
8
3
9
25ns
最小最大
25
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
3
3
0
8
8
3
9
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z( 1 )
数据写入时间
输出写入结束活动( 1 )
注1 :参数保证,但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TWLWH TWP
TELEH TWP
tWHAX ALE低
tEHAX
tWHDX
tEHDX
tWR的
tWR的
TDH
TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
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2001年8月第2版
ECO # 14562
EDI8F32259C
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
高Z
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
数据有效
tWHAX ALE低
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
tEHDX
数据有效
tELEH
tEHAX
2001年8月第2版
ECO # 14562
5
怀特电子设计公司 ( 508 ) 366-5151 www.whiteedc.com
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EDI8F32259C25MNC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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