EDI8F32256C
256Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
?? 256Kx32位CMOS静态
??随机存取存储器
??访问次数： 12，15 ，20，和25ns的
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
??符合JEDEC标准管脚引出线高密度封装
64引脚ZIP， 85号
64引线角度的SIMM ，第32号
64引脚SIMM ， 333号
??常见的数据输入和输出
??单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8F32256C是一种高速的8Mb静态RAM模块
32位组织为256K字。该模块被构造
从八256Kx4静态RAM，在SOJ封装的环氧树脂
层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地使
4个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节，通过正确使用任意组合
选择。
该EDI8F32256C提供64引脚ZIP / SIMM封装，
能使8兆位的存储器被放置在小于1.4
平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。完全异步电路不需要时钟
或刷新操作，并提供了平等的机会和周期
时代的易用性。
该ZIP和SIMM模块包含两个引脚， PD1和PD2 ，
这是用来识别应用程序模块的存储密度
其中备用模块可以互换。
图。 1
引脚配置和框图
A-A17
E-E3
W,
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
引脚名称
地址输入
芯片使
写入启用
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
8.0瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
单位
5.5
V
0
V
VCC + 0.3V V
0.8
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或VIN
= VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC - 0.2V或VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
最大
12-25
800
240
40
单位
ns
mA
mA
mA
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
--
--
2.4
±80
±20
0.4
A
A
V
V
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
读
写
输出取消
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写控制线
电容
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
tAVAV
tAVQV
TELQV
TELQX
TAVQX
TGLQV
TGLQX
TRC
TAA
TACS
TCLZ
TOH
TOE
TOLZ
12ns
最小最大
12
12
12
3
6
3
6
0
6
15ns
最小最大
15
15
15
3
7
3
7
0
7
20ns
民
最大
20
20
20
3
9
3
9
0
9
25ns
最小最大
25
25
25
3
9
3
9
0
9
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TEHQZ TCHZ
TGHQZ TOHZ
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
TGHQZ
TEHQZ
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交流特性写周期
符号
JEDEC Alt键。
tAVAV
TELWH
TWLEH
tAVWL
塔维尔
tAVWH
tAVEH
tWLWH
tELEH
tWHAX ALE低
tEHAX
tWHDX
tEHDX
tDVWH
tDVEH
TWC
TCW
TCW
TAS
TAS
TAW
TAW
TWP
TWP
tWR的
tWR的
TDH
TDH
TDW
TDW
10ns
最小最大
10
7
7
0
0
7
7
7
7
0
0
3
3
0
5
5
3
5
12ns
最小最大
12
8
8
0
0
8
8
8
8
0
0
3
3
0
6
6
3
6
15ns
民
最大
15
12
10
0
0
10
10
10
10
0
0
3
3
0
7
7
3
9
20ns
最小最大
20
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
3
3
0
8
8
3
9
25ns
最小最大
25
10
10
0
0
10
10
10
10
0
0
3
3
0
8
8
3
9
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TWLQZ TWHZ
TWHQX TWLZ
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图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
高Z
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
数据有效
tWHAX ALE低
图。五
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
高Z
tEHDX
数据有效
tELEH
tEHAX
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