怀特电子设计
特点
EDI8F321024C
1024Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
1024Kx32位CMOS静态RAM
访问次数： 15 ， 20 ，和为25ns
单个字节的选择
完全静态的，并没有时钟
TTL兼容的I / O
该EDI8F321024C是一个高速32兆位静态RAM
模块由32位组织为1024K的话。该模块
从8 1024Kx4静态RAM的SOJ构建
包上的环氧树脂层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO ＃ -E3 ＃ ）用于独立地
使4个字节。读或写可以执行
对单个字节或多个字节的任意组合
通过正确使用选择的。
该EDI8F321024C提供72引脚ZIP和72引线
SIMM包，这使32兆内存
被放置在不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。完全异步电路需要
无时钟或刷新操作，并提供了平等的
访问和周期时间的易用性。
销PD1- PD4 ，用于识别模块存储器
密度的应用中备用模块可
互换。
描述
高密度封装
72引脚ZIP ， 175号
72铅SIMM ， 176号（角）
72铅SIMM ， 356号（直）
常见的数据输入和输出
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
*本产品如有变更，恕不另行通知。
图。 1
引脚配置和框图
A0-A19
E0#-E3#
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
引脚名称
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
9
9
9
9
#
#
#
#
A0-A19
W#
G#
9
#
#
1兆欧
X4
E0#
DQ0-DQ3
1兆欧
X4
DQ4-DQ7
9
9
1兆欧
X4
E1#
DQ8-DQ11
1兆欧
X4
DQ12-DQ15
9
9
9
9
1兆欧
X4
E2#
DQ16-DQ19
1兆欧
X4
DQ20-DQ23
1兆欧
X4
E3#
DQ24-DQ27
1兆欧
X4
DQ28-DQ31
PD0和PD2 =接地
PD1和PD3 = OPEN
8F321024C引脚配置。
8F321024C座直径。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
（环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
7.0瓦
20毫安
EDI8F321024C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
–
–
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于T
EHQZ
,t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的）
*压力大于下"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该器件在这些或任何其他条件更大的功能的操作
高于本规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC
EL
ECTRICAL特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型：T已
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0V
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W＃ ，E ＃ = V
IL
， II / O = 0毫安，闵周期
E#
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
或V
IN
≥
V
IH
E#
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
民
典型值
最大
1280
480
80
单位
mA
mA
mA
A
A
V
V
–
–
2.4
–
–
–
–
–
±80
±20
–
0.4
真值表
E#
H
L
L
L
W#
X
H
L
H
G#
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
D
OU
t
D
IN
高Z
动力
I
CC2
/I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
（ F = 1.0MHz的，V
IN
=V
CC
或V
SS
)
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
电容
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
EDI8F321024C
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
0
3
3
民
15
15ns
最大
15
15
3
7
3
7
0
7
民
20
20ns
最大
20
20
3
10
3
8
0
8
民
25
25ns
最大
25
25
12
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。
读周期1 - W＃ HIGH ， G＃ ，E ＃ LOW
t
AVAV
A
地址1
t
AVQV
地址2
t
AVQX
Q
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W＃高
t
AVAV
A
t
AVQV
E#
t
ELQV
t
ELQX
G#
t
GLQV
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
Q
8F8512C路CYC2
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交流特性写周期
符号
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
EDI8F321024C
15ns
民
15
10
10
0
0
10
10
12
12
0
0
3
3
0
7
7
3
7
最大
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
3
3
0
12
12
3
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
20ns
最大
民
25
20
20
0
0
20
20
20
20
0
0
0
0
8
0
15
15
3
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
WLEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
Alt键。
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
图。 4
写周期1 - W＃控
t
AVAV
A
E#
t
ELWH
t
AVWH
t
WHAX
t
WLWH
W#
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WHQX
D
t
WLQZ
数据有效
Q
8F8512C写CYC1
高Z
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图。五
写周期2 - ê ＃控制
t
AVAV
A
EDI8F321024C
t
AVEL
t
ELEH
E#
t
AVEH
t
EHAX
t
WLEH
W#
t
DVEH
t
EHDX
D
Q
8F8512C写CYC2
数据有效
高Z
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EDI8F321024C
1024Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
?? 1024Kx32位CMOS静态RAM
??访问次数： 15 ， 20 ，和为25ns
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
??高密度封装
72引脚ZIP， 175号
72引线SIMM ， 176号（角）
72引线SIMM ， 356号（直）
??常见的数据输入和输出
??单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI8F321024C是一个高速32兆位静态RAM
模块由32位组织为1024K的话。这个模块是
从八1024Kx4静态RAM，在SOJ封装构造
对环氧树脂层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地使
的四个字节。读取或写入可以在单独的执行
字节或多个字节，通过正确使用任意组合
选择。
该EDI8F321024C提供72引脚ZIP和72引线SIMM
包，使32兆比特的存储器被放置在
不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从操作
单5V电源。完全异步电路不需要
时钟或刷新操作，并提供平等的接入和
周期的易用性。
销PD1- PD4 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
图。 1
引脚配置和框图
A-A19
E-E3
W
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
NC
引脚名称
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
E0
E1
E2
E3
8F321024C引脚配置。
8F321024C座直径。
2001年6月8版本
ECO ＃ 14320
1
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EDI8F321024C
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS的电压
工作温度TA （环境）
广告
产业
储存温度，塑料
功耗
输出电流
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
7.0瓦
20毫安
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
VIH
VIL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件大于操作指示
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ， CL = 5pF的）
VSS至3.0V
5ns
1.5V
1TTL ， CL = 30pF的
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
*典型： TA = 25℃ ， VCC = 5.0V
符号
ICC1
ICC2
ICC3
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
条件
W， E = VIL ， II / O = 0毫安，闵周期
E
VIH ， VIN
VIL或VIN
VIH
E
VCC-0.2V
VIN
VCC - 0.2V或VIN
0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
典型值
最大单位
1280毫安
480
mA
80
mA
±80
±20
--
0.4
A
A
V
V
--
--
2.4
--
--
--
--
--
电容
真值表
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
G
X
L
X
H
模式
待机
读
写
产量
DESELECT
产量
高Z
DOUT
DIN
高Z
动力
ICC2/ICC3
ICC1
ICC1
ICC1
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写线
（ F = 1.0MHz的， VIN = VCC或VSS ）
符号
CI
CD / Q
CC
CN
最大
60
20
20
60
单位
pF
pF
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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2001年6月8版本
ECO ＃ 14320
EDI8F321024C
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TRC
TAVQV TAA
TELQV TACS
TELQX TCLZ
TEHQZ TCHZ
TAVQX TOH
TGLQV TOE
TGLQX TOLZ
TGHQZ TOHZ
15ns
最小最大
15
15
15
3
7
3
7
0
7
20ns
最小最大
20
20
20
3
10
3
8
0
8
25ns
最小最大
25
25
25
3
12
3
10
0
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
8F321024C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
8F321024C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
2001年6月8版本
ECO ＃ 14320
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EDI8F321024C
交流特性写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注1 ：参数保证，但未经测试。
符号
JEDEC Alt键。
TAVAV TWC
TELWH TCW
TWLEH TCW
TAVWL TAS
塔维尔TAS
TAVWH TAW
TAVEH TAW
TWLWH TWP
TELEH TWP
tWHAX ALE低TWR
TEHAX TWR
TWHDX TDH
TEHDX TDH
TWLQZ TWHZ
TDVWH TDW
TDVEH TDW
TWHQX TWLZ
15ns
最小最大
15
10
10
0
0
10
10
12
12
0
0
3
3
0
7
7
7
3
20ns
最小最大
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
3
3
0
8
12
12
3
25ns
最小值最大值单位
25
ns
20
ns
20
ns
0
ns
0
ns
20
ns
20
ns
20
ns
20
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
12
ns
15
ns
15
ns
3
ns
图。 4
写周期1 - 硬件控制
tAVAV
A
E
TELWH
tAVWH
tWLWH
W
D
TWLQZ
Q
8F321024C写CYC1
tWHAX ALE低
tAVWL
tDVWH
tWHDX
TWHQX
高Z
数据有效
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4
2001年6月8版本
ECO ＃ 14320
EDI8F321024C
图。五
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
8F321024C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
2001年6月8版本
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