EDI88512VA-RP
HI-可靠性产品
512Kx8塑料单片3.3V CMOS SRAM
特点
s
512Kx8位CMOS静态
s
随机存取存储器
15访问时间， 17 ， 20 ，为25ns
扩展级温度测试
s
36脚JEDEC批准的革命引脚
塑料SOJ （ 319包）
s
单+ 3.3V （ ± 10 ％ ）电源供电
WEDC的耐用塑料512Kx8的SRAM ，它允许用户以
利用采用了塑料组件的成本优势
同时不牺牲所有的可靠性提供了充分的军事
装置。
扩展温度测试与测试模式进行
关于WEDC的完全兼容512Kx8 SRAM的使用而开发的。
WEDC充分表征的设备，以确定合适的测试
模式进行测试，在极端温度。这是至关重要的
由于设备变更的经营特色，当它
操作超出了商业级温度范围。运用
商业方法都不能保证devicee ，经营
reliabily在极端温度下的字段。 WEDC的用户
从WEDC在丰富的经验，坚固耐用的塑料的好处
表征的SRAM用于军事系统。
WEDC的坚固耐用的塑料SOJ是兼容的足迹
WEDC的全面军事陶瓷36引脚SOJ 。
图。 1
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O0
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
引脚配置
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
引脚说明
I / O
0-7
A
0-18
WE
CS
OE
V
CC
V
SS
NC
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
没有连接
36针
革命的
框图
存储阵列
A
-18
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
OE
1999年6月第1版
1
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
EDI88512VA-RP
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+125
0.55
20
175
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
-0.5 7.0
单位
V
OE
X
H
L
X
CS
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
真值表
模式
待机
输出取消
读
写
产量
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
ICC
2
， ICC3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
—
—
最大
3.6
0
VCC +0.3
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能OP-
该设备在这些或任何其他条件大于那些关合作表示
本规范的业务部门是不是暗示。置身于abso-
琵琶最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
参数
地址线
数据线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
最大单位
7
8
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE ， CS = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
CS
≥
V
IH
, V
IN
≤
V
IL
, V
IN
≥
V
IH
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
VCC -0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
(15ns)
(20-55ns)
条件
民
-2
-2
—
—
—
—
—
2.4
最大
2
2
170
160
50
10
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC -0.3V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480
480
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
Q
255
30pF
Q
255
5pF
注意：
对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
EDI88512VA-RP
交流特性 - 读周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
0
0
7
3
0
0
7
0
0
7
7
15ns
民
15
15
15
3
0
0
8
0
0
8
7
最大
民
17
17
17
3
0
0
10
0
0
10
8
17ns
最大
民
20
20
20
3
0
0
12
10
20ns
最大
民
25
25
25
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
符号
JEDEC
Alt键。
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
15ns
民
15
13
13
0
0
12
12
12
12
0
0
0
0
0
8
8
0
7
最大
民
17
14
14
0
0
14
14
14
14
0
0
0
0
0
8
8
0
8
17ns
最大
民
20
15
15
0
0
15
15
15
15
0
0
0
0
0
10
10
0
8
20ns
最大
民
25
17
17
0
0
17
17
17
17
0
0
0
0
0
12
12
0
10
25ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
3
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EDI88512VA-RP
图。 2
时序波形 - 读周期
地址
t
AVAV
t
AVQV
t
AVAV
地址
地址1
地址2
CS
t
ELQV
t
ELQX
OE
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
数据I / O
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （WE高）
图。 3
写周期 - 我们控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS
t
WHAX
t
AVWL
WE
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ，我们控制
图。 4
写周期 - CS控
地址
t
AVAV
WS32K32-XHX
t
AVEH
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEL
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
CS
WE
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS控
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4
EDI88512VA-RP
图。五
归一化图的操作
ICC1 （为20ns ）与温度
14
13
220
210
ICC1 （毫安）
把脉冲宽度（ NS ）
写入脉冲宽度与温度。
12
11
10
9
8
7
6
200
190
180
170
160
-55
25
温度。 （ C）
125
-55
温度。 （ C）
25
125
ICC3与温度
TAVQV与温度
10
TAVQV （ NS ）
22
20
ICC3 （ MA）
1
18
190
16
14
0.1
0.01
12
-55
25
温度。 （ C）
125
-55
25
温度。 （ C）
125
ICCDR与温度
10
1
ICCDR （ MA）
0.1
0.01
归一化曲线是作为一个
为广大客户服务。他们是
不应当被解释为了保证
工作特性的影响。
实际器件的特性将
而有所不同。
0.001
-55
25
温度。 （ C）
125
IDR ， 2V
IDR ， 3V
5
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QQ：2881677436 复制
