怀特电子设计
512Kx8单片SRAM ， CMOS
特点
512Kx8位CMOS静态
随机存取存储器
访问70 ， 85 ，时间为100ns
数据保持功能（ LP版）
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
32脚JEDEC批准进化引脚
陶瓷Sidebrazed 600万DIP （包9 ）
陶瓷SOJ （ 140包）
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
*本产品如有变更，恕不另行通知。
EDI88512C
该EDI88512C是4兆位单片CMOS静态
内存。
32引脚DIP引脚排列坚持以JEDEC进化
标准为四兆位器件。无论是DIP和
CSOJ包引脚对引脚升级为单芯片
使128K ×8的EDI88128C 。引脚1和30变
高阶地址。
数据保留低功率版本（ EDI88512LP ）
也可用于电池供电的应用。军事
产品可符合MIL- PRF-的附录A
38535.
图1 - 引脚配置
32针
顶视图
引脚说明
I/O0-7
A0-18
WE＃
CS ＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
没有连接
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32针
进化
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A
0-18
框图
存储阵列
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
0-7
WE＃
CS ＃
OE ＃
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
价值
-0.5 7.0
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1
20
175
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
OE ＃
X
H
L
X
CS ＃
H
L
L
L
WE＃
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
读
写
EDI88512C
真值表
产量
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
动力
I
CC2
, I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+0.5
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
应力大于“绝对最大额定值” ，可能引起
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
电容
T
A
= +25°C
参数
地址线
数据线
符号
C
I
C
O
条件
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的
最大
12
14
单位
pF
pF
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC特性
V
CC
= 5V ， -55 °C≤ * T
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件：德维尔= 0.3V ， VIH = VCC -0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE＃ ， CS ＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期（ 70-100ns ）
CS ＃ = V
IH
, V
IN
≤ V
IL
, V
IN
≥ V
IH
CS ＃ = V
CC
-0.2V
C
V
IN
≥ Vcc的-0.2V或V
IN
≤ 0.2V
LP
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
民
—
—
—
—
—
—
—
2.4
典型*
—
—
45
3
—
—
—
—
最大
±10
±10
75
10
5
2
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
AC测试条件
图1
VCC
图2
输入脉冲电平
VCC
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
480
480
输出负载
Q
255
30pF
Q
255
5pF
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2
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交流特性 - 读周期
V
CC
= 5.0V ， VSS = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
70ns
Alt键。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
民
70
最大
70
70
10
25
10
35
5
0
25
5
0
10
45
30
5
0
10
30
10
民
85
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
EDI88512C
85ns
最大
85
85
10
民
100
100ns
最大
100
100
30
50
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
AVQX
t
GLQV
t
GLQX
t
GHQZ
交流特性 - 写周期
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤
+125°C
70ns
Alt键。
t
WC
t
CW
t
CW
t
AS
t
AS
t
AW
t
AW
t
WP
t
WP
t
WR
t
WR
t
DH
t
DH
t
WHZ
t
DW
t
DW
t
WLZ
民
70
60
60
0
0
65
65
50
50
0
0
0
0
0
40
30
5
最大
民
85
70
70
0
0
70
70
55
55
0
0
0
0
0
40
35
0
符号
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
1.此参数由设计保证，但未经测试。
85ns
最大
民
100
80
80
0
0
80
80
60
60
0
0
0
0
0
40
40
0
100ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
JEDEC
t
AVAV
t
ELWH
t
ELEH
t
AVWL
t
AVEL
t
AVWH
t
AVEH
t
WLWH
t
WLEH
t
WHAX
t
EHAX
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
DVWH
t
DVEH
t
WHQX
25
30
30
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图2 - 时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
EDI88512C
t
AVQV
CS ＃
t
AVAV
地址
地址1
地址2
t
ELQV
t
ELQX
OE ＃
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
数据输出
t
GHQZ
读周期1 （ WE＃高; OE ＃ ， CS ＃为低）
读周期2 （ WE＃高）
图3 - 写周期 - WE＃控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS ＃
t
WHAX
t
AVWL
WE＃
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ， WE ＃控制
图4 - 写周期 - CS ＃控制
t
AVAV
地址
t
AVEH
t
ELEH
CS ＃
t
EHAX
t
AVEL
WE＃
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS ＃控制
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数据保持特性（ EDI88512LP ONLY）
-55°C
≤
T
A
≤
+125°C
特征
只有低功率版
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保存时间
手术恢复时间
符号
V
CC
I
CCDR
t
CDR
T
R
条件
V
CC
= 2.0V
CS ＃ = V
CC
-0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V
或V
IN
≤ 0.2V
民
2
–
0
t
AVAV
典型值
–
–
–
–
EDI88512C
最大
–
185
–
–
单位
V
A
ns
ns
图5 - 数据保留 - CS ＃控制
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CS ＃
CS ＃ = V
CC
-0.2V
4.5V
V
CC
4.5V
t
R
数据保留， CS ＃控制
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